SiC(0001)(3~1/2×3~1/2)R30°结构的XPS分析

不断加热富硅SiC(0001)样品,分别用低能电子衍射(LEED)仪,扫描隧道显微镜(STM)观察,当加热到950℃时,出现SiC(0001)(3×3)R30°重构面的LEED和STM图样.利用X射线光电子能谱仪,记录发自SiC(0001)(3×3)R30°结构的角分辨X射线光电子能谱(XPS).采用最小二乘法,对内层能级的能量进行解旋,使其与实验数据拟合.分析实验结果,得出SiC(0001)(3×3)R30°结构中Si2p和C1s的能态结构,并与体内的Si2p和C1s的能态进行比较,得出表面Si2p态的能量漂移,进而发现SiC(0001)(3×3)R30°重构面仅由硅原子形成.     

4H-SiC(000(3×3)重构的原子能态

为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650℃条件下,用低能电子衍射(LEED仪),观察到4H-SiC(0001)(3×3)重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SiC(0001)(3×3)重构的角分辨X射线光电子能谱(XPS),得出该结构中Si2p和C1s的能态结构,进而发现SiC(0001)(3×3)重构面仅由硅原子形成,是在扭转的硅增层上的Si四聚物.通过比较体内和表面Si2p态的光电子能谱,得出表面Si2p态的漂移能量.     

4H-SiC(0001)(3×3)重构的原子能态

为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650 ℃条件下,用低能电子衍射(LEED仪),观察到4H-SiC(0001)(3×3)重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SiC(0001)(3×3)重构的角分辨X射线光电子能谱(XPS),得出该结构中Si2p和C1s的能态结构,进而发现SiC(0001)(3×3)重构面仅由硅原子形成,是在扭转的硅增层上的Si四聚物.通过比较体内和表面Si2p态的光电子能谱,得出表面Si2p态的漂移能量.     

三聚氰胺热解产物的特性分析

以有机物三聚氰胺为初始原料, 在真空条件下使其热解（1 000 K）. 采用X射线衍射（XRD）、 透射电子显微镜（TEM）、 X射线光电子能谱(XPS)、 化学元素分析（EA）和傅里叶红外光谱(FT-IR) 分析样品的形貌、 成分和结构. 结果表明, 在真空条件下, 三聚氰胺全部分解, 分解产物为片层石墨相C₃N₄.      

铸造多晶硅生长过程中氧的传递过程研究

定向凝固法生长铸造多晶硅系统中,氧的平衡涉及到三个界面,它们是坩埚与熔体界面、熔体与气相界面以及晶体与熔体界面。因此氧的传递包含可能的三个过程:(1)氧从坩埚中向硅熔体中进行扩散;(2)氧的分凝导致氧从熔体中进入凝固的晶体中;(3)氧在熔体表面以SiO的形式挥发。     

纳米SiC对C/C复合材料石墨化与抗氧化性能的影响规律

本文制备纳米SiC基体改性的SiC-C/C复合材料,利用X射线衍射技术、高分辨率透射电镜等研究SiC对碳材料的石墨化度的影响.纳米SiC能够显著促进碳基体材料的石墨化度,同时通过高分辨率透射电镜在纳米SiC颗粒周围观测到明显的石墨化结构,并且距离SiC越近,碳基体的石墨化程度越高.通过静态氧化实验研究SiC-C/C复合材料的抗氧化性能.结果表明,随着SiC加入量的增加复合材料的抗氧化性显著提高,纳米SiC在高温下生成较为均匀的SiO2保护层,覆盖在碳材料的表面,阻碍氧气与碳材料的接触,并且SiC含量越高,形成的保护层越厚,抗氧化能力越强.     

真空CZ法生长硅单晶碳沾污机理的研究

在真空下用CZ法生长硅单晶时,经热力学分折和实验研究证明,硅单晶中碳的主要来源除石墨托与石英坩埚间的反应生成CO外,气氛中氧化组元(O_2,SiO等)亦与石墨器件反应生成CO。碳以CO形式进入融硅,使硅单晶中碳含量增加。本研究采用了对石墨器件表面涂SiC、Mo、ZrO_2和热解石墨等方法,并用石英保温筒代替石墨保温筒。在真空度为1～3×10~(-2)托下,投料300g,用CZ法生长硅单晶,其晶体尾部的碳量平均值,比原工艺晶体中碳的平均含量降低了45％。     

粉末压片X射线荧光光谱法测定长石中的主量元素

针对X荧光熔融制样需要采用铂黄金坩埚等贵金属器具,而在高温下多金属矿中的硫元素会对铂黄金坩埚有很大伤害,严重时将直接导致坩埚无法脱模,不仅影响融样速度,而且造成直接经济损失巨大.熔融成型玻璃片在室温下还容易出现破裂等现象,这是多金属矿样熔融制样的一大难题.粉末压片法制样不仅解决了样片破裂的问题,提高了制样速度,而且还大大降低了制样成本.通过粉末压片法制样,建立一套用波长色散X射线荧光光谱法测定长石中的硅铝钾钠等主量元素的分析方法.通过对样品粒度、压片机制样条件进行讨论,确立了称样2.5000 g与羟甲基纤维素1.0000 g混合研磨2 min,压片机压力为30 t、保压20 s的条件.实验结果表明,此条件下该方法精密度高、准确性好,并具有快速、高效、样品制备简单、成本低等优点,可用于批量测定长石实际样品.     

BN与TiNi系合金熔体的界面反应

以高纯氮化硼（BN）作为坩埚材料,对其应用于TiNi系合金熔炼时的界面反应进行研究.研究BN在不同温度下（1 450 ℃,1 520 ℃）,保持一定时间（90s,180 s,270 s,360 s）与TiNi系合金熔体的相互作用情况,得到了不同反应时间、反应温度下的界面层,并用扫描电子显微镜（scanning electron microscopy, SEM）、X射线衍射（X ray diffraction, XRD）和电子探针显微分析(electron probe microanalysis, EPMA)对界面进行形貌、物相和成分的分析,对反应机理作了讨论.研究结果表明,BN与熔体作用的产物在试验条件下不与熔体继续反应,从而保护了熔体不受到进一步污染.     

包覆及填充式Fe_3O_4/CNTs纳米复合材料的制备及性能研究

采用原位共沉淀法低温下制备出Fe_3O_4/CNTs纳米复合材料.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、共焦拉曼光谱仪(Raman)等表征手段对样品的化学成分、结构、形貌和性能进行了测试表征.实验结果表明,Fe_3O_4纳米颗粒成功包覆到CNTs的表面及填充到CNTs空腔内,形成磁性Fe_3O_4/CNTs纳米复合材料.Raman结果显示,复合后石墨化结构减少,材料的缺陷增多.样品具有良好的超顺磁性和高分散性,在实际应用中展示出良好的吸附性能,并能在外加磁场作用下实现吸附剂的回收再利用.实验中,样品对MB的吸附动力学接近于拟二阶动力学模型.