Ge_2Sb_2Te_5薄膜及其存储特性研究

采用磁控溅射制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.通过XRD以及四探针法研究薄膜在退火过程中的微结构演变以及电导率变化规律.通过电流-电压特性研究了存储器的存储转变机制.     

掺Mn的硫系玻璃半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)的电流—电压特性

本文主要报导我们对掺Mn的As_(35)Te_(55)Si_(10)玻璃半导体稳态电流——电压特性,包括在≤6.5×10~3v/cm的弱场下所观察到的欧姆行为,以及在强场下log I～V~(1/2)曲线的直线关系,并用类受主中心的场发射空穴原理,对强场特性作了说明。     

非晶态Te_（81）Ge_（15）Sb_4薄膜材料的电学性能

对用熔体淬火再真空蒸发所制备的非晶态Ｔｅ＿（８ｌ）Ｇｅ＿（１５）Ｓｂ＿４薄膜的伏－安特性，直流电导率及玻璃转变温度等性能进行了研究。结果表明，这种材料具有较好的开关效应及较高的热稳定性，可用作开关器件等。     

相变存储材料Ge_2Sb_2Te_5的电子结构研究

利用密度泛函理论对稳态六方Ge2Sb2Te5进行第一性原理计算,得到了其晶格常数、能带结构、电子态密度等相关性质.详细讨论了其成键情况和电子结构对材料晶化率的影响,从电子结构的角度解释了GST稳态与亚稳态之间的转换机制,对实验掺杂研究给出了理论性的指导.     

硫族化合物非晶态半导体As_(35)Te_(55)si_(10)掺Mn和Cu的ESR特性

本文研究了非晶态半导体As_(35) Te_(55) Si_(10)中M~(2 )和Cu~(2 )离子的电子自旋共振吸收谱。结果表明:对Mn~(2 ),g=2的吸收峰主要起因于相分凝的Mn-Te群聚,g4.3的吸收峰起因于 Mn~(2 ); Cu~(2 )在该材料中引起了 g=2.113的吸收峰,随Cu量的增大,峰宽△H变宽。     

HgI_2-Ag_2S-As_2S_3硫系玻璃离子选择电极

研究了适合作为离子选择电极的HgI_2-Ag_2S-As_2S_3和HgS-Ag_2S-As_2S_3系统的玻璃形成区。通过对这些玻璃性质与结构分析,发现xHgI_2·(100-x)(0.5Ag_2S·0.5As_2S_3]系列玻璃是很好的传感膜材料。采用该系列玻璃制成了对Ag~+离子10~(-6)～10~(-1)mol/L浓度范围具有能斯特响应斜率60mV/mol·L~(-1)和对Hg~(2+)离子10~(-6)～10~(-1)mol/L浓度具有能斯特斜率30mV/mol·L~(-1)的电极。这些电极具有优良的电化学性能。结合非晶态固体电解质的离子迁移模型,提出了这类硫系玻璃屯极的响应机理。     

高温高压对Bi_(0.45)Sb_(1.55)Te_3热电性能的调控

采用高温高压法在30min内实现从元素粉末(Bi,Sb,Te)到块体纯相Bi_(0.45)Sb_(1.55)Te_3的快速合成,并利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜及高分辨透射电子显微镜表征样品的相成分和微结构,测试其在室温下的电输运性能.结果表明:高温高压法是一种简单、快速合成块体热电材料的途径;Bi_(0.45)Sb_(1.55)Te_3样品由结晶性良好的典型层状晶体构成;电阻率随合成压力的升高而增加;合成压力为2GPa的样品获得最大功率因子为10.85μW/(cm·K~2).     

Sb_2Te_3拓扑绝缘体薄膜的MBE制备研究

文章以高纯Sb和Te为锑源和碲源,使用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)设备,在超高真空条件下外延生长拓扑绝缘体薄膜。通过XRD(X-ray diffraction)、SEM(scanning electron microscope)等检测手段对薄膜样品进行物像和表面分析,研究了不同衬底温度、束流大小和束流比、生长时间等因素对薄膜质量的影响。     

高硫易切削钢Y_(15)S_(25)试制总结

一、前言近年来,随着机械加工工业向高速化、精密化和自动化方向发展,对钢材的切削性能要求愈来愈高,易切削钢正是为了适应这种形势发展的需要而出现的新钢种。它是发展农业机械、机器制造和国防工业的重要材料,特别是在拖拉机、汽车制造方面得到广泛的应用。过去由于刘少奇、林彪反革命修正主义路线的干扰,我国的易切削钢生产和科研工作长期不被重视,产量品种不能自给,大量依靠进口。无产阶级文化大革命以来,我国工人、干部和技术人员彻底批判了“洋奴哲学”、“爬行主义”、排除了干扰,发扬了“独立自主、自力更生、艰苦奋斗”的革命精神,使易切削钢的生产和科研工作得到了迅速发展,试制了     

拓扑绝缘体Sb_2Te_3和Bi_2Te_2Se薄膜电子结构的第一性原理研究

为理解拓扑绝缘体纳米薄膜的电子性质,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究拓扑绝缘体Sb2Te3和Bi2Te2Se密排面(0115)薄膜由1层增加到5层的电子结构。通过计算发现对于Sb2Te3密排面(0115)薄膜,随着薄膜层数递增,G点的能隙逐渐减小,当膜厚为5层时,薄膜表现出金属态;Bi2Te2Se密排面(0115)薄膜电子结构也表现出类似的特性。研究结果表明:随着薄膜厚度的增加,Sb2Te3和Bi2Te2Se(0115)薄膜不具有体材料绝缘性,却表现出拓朴绝缘体表面无能隙的金属性。     

Sb_4Ge_3O_(12)的合成及其二阶非线性光学性质研究

采用水热法合成了Sb_4Ge_3O_(12)单晶,该晶体属于立方晶系I43d非心空间群.紫外可见漫反射光谱分析表明其带隙为3.7 ev.对其二阶非线性光学行为进行了研究,粉末倍频效应约为KDP的1.2倍,并且能够实现相位匹配.该化合物的二阶非线性光学性能主要来自于结构中有孤电子对的SbO_3基团.     

Mn杂质在非晶半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)中引起的缺陷态及对电导特性的影响

本文主要研究了Mn杂质在非晶半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)中引起的缺陷态及对电导特性的影响。实验结果表明:在所有掺Mn的样品中,均显示出低温变程跳跃电导;随掺Mn量的增大变程跳跃电导更加明显,而且使变程跳跃电导向更低的温度方向推移。这些结果同Hauser等人在a-(As_2Te_3)_(1-x)Mn_x薄膜样品中所观测的结果几乎完全一致,文中对这种观象作了初步的讨论。     

Bi_2Se_3、Bi_2Te_3和Sb_2Te_3的声子和热力学性质的第一性原理研究

基于第一性原理的密度泛函理论,在未考虑和考虑自旋-轨道耦合(SOC)的情况下分别优化拓扑绝缘体Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3的结构,计算它们的声子谱及热力学性质.基于广义梯度交换相关泛函及SOC效应,计算得到三种物质的声子频率比不考虑SOC时更吻合实验数据.最后计算出三种物质的赫尔姆赫兹自由能F,内能E,等体热容CV和熵S随温度的变化趋势.     

Bi_2Se_3、Bi_2Te_3和Sb_2Te_3的声子和热力学性质的第一性原理研究

基于第一性原理的密度泛函理论,在未考虑和考虑自旋-轨道耦合(SOC)的情况下分别优化拓扑绝缘体Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3的结构,计算它们的声子谱及热力学性质.基于广义梯度交换相关泛函及SOC效应,计算得到三种物质的声子频率比不考虑SOC时更吻合实验数据.最后计算出三种物质的赫尔姆赫兹自由能F,内能E,等体热容CV和熵S随温度的变化趋势.     

超微锑白(Sb_2O_3)的研究

作者用金属醇盐-水解法制备了超微而均匀的锑白(0.02μm)。该方法具有设备和工艺技术简单,费用和能耗低,无污染,产品纯度和白度高等优点。     

Ga_(36.5)Sb_(63.5)熔体的电阻率—温度特性

为分析Ga36.5Sb63.5熔体电阻率的变化规律与液态结构变化的相关性,采用电阻率测试仪(RM)、X射线衍射仪(XRD)测量其电阻率及合金熔体的凝固组织。结果表明,Ga36.5Sb63.5熔体的电阻率-温度曲线在(716~730)℃温度之间出现突变,在突变区域前后温度下所得到的快速凝固组织中均含有GaSb二元相。     

Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4(α)和非稀土硫酸盐二元系的相关系和导电性研究

本文采用XRD、DTA和电测量技术研究了Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4(α)和非稀土硫酸盐二元系的相关系和导电性;我们发现在掺有8m/o CaSO_4体系中,280℃时电导率可达到10~(-3)数量级,与掺杂稀土硫酸盐的效果相似,但仍有相变存在;同时还讨论了掺入异价离子后电导率提高很多以及相变存在的原因。     

γ射线对Ge-As-Se硫系玻璃的辐照效应

对Ge-As-Se玻璃系统,进行了高能γ射线辐照试验。结果表明:辐照使样品的密度(ρ),热膨胀系数(α)和光学带隙(Eopt)等参数产生了变化,并与组成有关。样品的组成为化学计量比时,其辐照灵敏度与As2Se3含量具有线性规律,而非化学计量比组成的样品无明显规律性关系。这是γ射线引起玻璃化学键和结构变化而产生的效应。硒化物硫系玻璃在作为剂量计材料应用方面具有良好的前景。     

超细锑白(Sb_2O_3)的研制

作者用经过改进的金属醇盐——氨解法制得了粒径在1μ左右的超细锑白。该方法较之气体蒸发和等离子体法具有设备简单;工艺技术简便易行;能耗低;污染少;产品粒度分布较均匀,纯度、白度高等优点。     

Mn(OH)2空气氧化反应研究

研究了在碱条件下,用ＭｎＣｌ２,ＭｎＳＯ４,Ｍｎ（ＮＯ３）２溶液生成的Ｍｎ（ＯＨ）２的空气氧化反应。Ｘ－射线衍射测定结果表明,氧化产物为Ｍｎ３Ｏ４。用电势－ｐＨ图对反应结果做了分析,测定并分析了Ｍｎ（ＯＨ）２空气氧化过程中ｐＨ值随时间的变化特征。