加氨砷压法气相外延生长GaAs_(1-x)P_x:N/GaP

近年来发现,在磷化镓透明衬底上气相外延生长掺氮磷砷化镓时,由于等电子陷阱杂质氮这一发光中心的引进,使高x值的GaAs_(1-x)P_x(x>0.5)由低发光效率的间接跃迁型能带结构,转变为具有高发光效率的“类直接跃迁”型能带结构GaAS_(1-x)P_x:N(x>0.5),这种材料可用来制造橙红色和黄色发光器件.由于较短波长具有较高的视感度,其实际流明效率超过用GaAs_(0.06)P_(0.04)/GaAs制成的红色发光器件.     

磷压法生长GaAs_(1-x)P_x的特性和最佳条件

一、前言在以前的报道中,我们叙述了磷压法的一般工艺条件和初步结果。在文[1]的基础上,我们对磷压法作了较为深入的研究和改进。从制管结果看,发光效率又有所提高。本工作对磷压法生长的GaAs_(1-x)P_x材料进行较为全面的性能测试和制管分析,研究生长工艺条件与外延参数以及发光性能之间的关系,并由此确定最佳生长条件。磷压法以前采用过的掺杂方法是在镓源中加入掺碲的砷化镓片。此法操作不便,纯度欠高,制备     

氮和锌离子注入GaAs_(1-x)P_x(x≈0.39)提高发光效率的研究

一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs_(1-x)P_x材料中注入Zn~ 和N~ 提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs_(1-x)P_x发光二极管主要是在结区产生电致发光。因此要提高发光效率就必须研究     

光声光谱法测定磷砷化镓外延层固溶体组分

测定磷砷化镓(GaAs_(1-y)P_x)外延层固溶体组分参数常用的方法是通过测定其禁带宽度,然后利用其组分参数与禁带宽度的关系曲线或经验公式得到组分参数的数值.本文是利用被测样品的光声光谱图(见图1)确定与样品禁带宽度相对应的入射单色光波长九λ_(E(?)),再用公式     

开管(Zn)扩散平面型GaAs_(1-x)P_x发光器件

利用宽禁带半导体材料及萤光材料,制成各种颜色及外形的固体发光器件,正广泛应用于电子设备,作为显示元件。其优点是寿命长,可靠性高,功耗低,体积小和易于加工成各种显示图形。目前使用最广泛的是,GaAs_(1-x)P_x 红色电致发光器件。GaAs_(1-x)P_x 发光器件是一种p-n 结正向注入发光器件。有用ZnAs_2 P 为扩散     

混晶GaAs1—xPx禁带中央附近能级的研究

用双光源光电容法研究了混晶 GaAs_(1-x)P_x(x=0.65和0.85)中禁带中央附近深中心的特性,发现所测 x=0.65和0.85的GaAs_(1-x)P_x样品中均存在一个呈空穴陷阱的深中心,其光阀值能量分别为 0.95 eV和 0.97 eV,光电容瞬态谱具有非单指数性;且在同一波长的光激发下,非单指数性随激发光强度的增大而增强。对这一深能级中心的结构及其激发过程进行了分析和讨论,提出一种多能级耦合的缺陷中心模型并用二步激发过程解释了实验结果。     

Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结激光器的液相外延研究

本文报导了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结激光器液相外延过程中,有关组份、浓度、生长速率控制的一些实验结果。主要内容是Ga_(1-x)Al_xAs层的组份、平均生长速率随溶液中Al含量的变化和杂质Te在GaAs、Ga_(1-x)Al_xAs层中的掺杂行为等。利用所得结果可方便地控制外延层的组份、厚度和掺杂浓度。     

Sb组分对InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点能带结构及载流子复合动力学影响

本文研究Sb组分对InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点能带结构和载流子复合动力学特性的影响.采用8带k·p法计算InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点能带结构,当Sb组分从0.08增加到0.14, InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点从Ⅰ类向Ⅱ类能带转变,电子限制在量子点中,空穴逐渐进入GaAsSb盖层,波函数空间交叠减小,跃迁几率降低.为验证计算结果,生长不同Sb组分的InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点,并进行光谱测试.当Sb组分超过0.14,光致发光谱表现出明显的Ⅱ类量子点特征:发光峰红移明显,发光强度减弱,峰位随着激发光功率的增加蓝移.时间分辨光谱测试结果表明, InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点能带由Ⅰ类转变为Ⅱ类,少数载流子寿命从0.41 ns增加到14.3 ns,复合被抑制.在中间带太阳电池中使用InAs/GaAs_(1-x)Sb_xⅡ类量子点,有助于维持导带、中间带、价带独立的准费米能级,避免因引入量子点造成电池开路电压下降.     

GaAs1—xPx：N中氮浓度的光吸收法测量

在液氮温度下利用光吸收法测量了一组混晶材料GaAs_(1-x)P_x :(0.60相似文献   

In_(1-x)Ga_xAs材料的LP-MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEIn)和AsH_3为原,在(100)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs外延层的生长条件,并用X射线单晶衍射仪和光电子能谱(XPS)仪给出了不同TEIn与TMG摩尔流量比下外延层的测量结果.     

GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱

前言近年来,对GaAs_(1-x)P_x材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主要是发光二极管(LED)的发光效率和发光波长两方面。而GaAsP材料正是目前国内以致国际制造LED的重要材料,对它进行研究是有一定意义的。     

GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的液相外延

介绍我们采用的多次液相外延实验装置,讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用“正交设计”的数学方法安排外延试验,找到多层连续均匀生长的条件,使GaAs—Ga_(1-x)A1_xAs双异质结激光器阈值电流密度达到1000—2000安培/平方厘米。     

发光二极管及其亮度

发光二极管因其体积小、耗电省,可靠性高(寿命达10~4——10~6小时),响应速度快(10~(-9)——10~(-7)秒)、工作电压低、能与集成电路匹配,近年来在袖珍计算机、钟表、各种小型数字化仪表等装置中得到广泛的应用。发光二极管目前大多由Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体及它们的混晶材料制成。我们所制作的发光二极管就是用有一定混晶比x的磷化镓(GaP)和砷化镓(GaAs)的混晶材料磷砷化镓(GaA_(s1-x)P_x)这种三元化合物,依其混晶比之不同,禁带宽度可以在一个很宽的范围内变化。发光二极管是结型场致发光器件。它的主要结构是一个在外加正向电压下能发光的P—N结。图1(a)表示热平衡状态下P—N结的能带图.当给P—N结加上一定的正向     

分光光度法测定Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)P_y外延层中x,y值

本文研究了在銦、砷同时存在的情况下,用分光光度法直接测定镓和磷的显色条件,并应用于测定Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)P_y外延层中的x,y值。     

多层膜样品的背散射/沟道、溅射剥层/背散射和二次离子质谱分析

用背散射／沟道、溅射剥层／背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜。由2MeV^4He^ 离子背散射／沟道分析，确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性；用低能Ar^ 离子溅射剥层，减薄样品外延层厚度后，再做背散射分析，可获得有关较深层薄膜与基体界面和溅射剥层的信息；二次离子质谱分析清晰地显示出溅射剥层前后样品的交替层周期性结构。     

用Sol-gel方法成功地研制出PLT和BT薄膜

我校固体电子学系特种陶瓷薄膜科研组,用溶胶-凝胶(Sol-gel)方法,在SrTiO_3,MgO单晶基片上制备出钙钛矿型结构的(Pb_(1-x)La_x)_(1-x)/4O_3(简称PLT)和BaTiO_3(简称BT)外延生长薄膜。它们是(100)PLT∥(100)SrTiO_3,(100)PLT∥(100)(MgO)和(110)BT∥(110)SrTiO_3,(100)BT∥(100)MgO。在Si单晶和石英玻璃基片上制备出钙钛矿型结构的多晶薄膜。用Sol-gel方法制备PLT外延及陶瓷薄膜和BT外延生长薄膜,现国内外尚未见报道。     

分光光度法测定Ga_(1-x)Al_xAs中x值

本文研究了在同时有镓和砷的情况下用分光光度法直接测定铝的显色条件,并应用于测定Ga_(1-x)Al_xAs外延层中的x值。     

GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构

用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与 X-射线衍射测定的结果相接近     

MOCVD生长非故意掺杂GaN/Si薄膜的电阻率控制研究

本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和Lehighton非接触面电阻测量系统用来表征GaN外延层的质量和面电阻(Rs)。通过计算HRXRD测量得到的GaN(0002)和(10-12)半高宽(FWHM),估算了GaN外延层中的线性位错密度(TDD)。GaN外延层的Rs和TDD之间的关系被研究。下面GaN初始层生长条件,包括载气种类(H2或N2)、生长温度和生长压力,对上面GaN外延层的影响被讨论和分析。我们认为H2作为载气能提高GaN质量,减少GaN外延层中的TDD,并由于其活泼的化学特性,能通过还原反应去除GaN外延层中的O和C等杂质。另外,下面GaN初始层在低温和高压下生长,更有助于提高GaN质量和减少TDD。下面GaN初始层通过在H2载气、低生长温度(1050℃)和高生长压力(400mba)下外延生长,上GaN外延层的电阻率得到了提高。     

应用激光椭圆仪测定Ga_(1-x)Al_xAs外延层的组份及其表面天然氧化膜的厚度

我们应用DJS-130电子计算机及其控制的绘图仪,在光波长λ_0=6328、入射角φ_0=70°的参数下,计算并绘制了适用于不同x值的Ga_(1-x)Al_xAs外延层及其表面天然氧化膜折射率的椭偏列线图。通过对图的分析,得到了椭偏参量(ψ、⊿)对体系光学参量的响应情况。在此基础上,确认了应用激光椭圆仪测定Ga_(1-x)Al_xAs外延层组份x值的方法简便。x值的测定范围为x≤0.55,不确定性⊿x≤±0.02,