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相似文献
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1.
采用微磁学方法研究了磁性层的磁晶各向异性对反铁磁耦合三层纳米体系磁特性的影响.结果表明:随着磁性层磁晶各向异性的增大,反铁磁耦合三层纳米体系具有4种不同类型的磁滞回线,上、下磁性层的反转场逐渐减小,而饱和场先减小后增大.当磁晶各向异性较小时,反磁化过程为反磁化核的形成与传播过程;当磁晶各向异性很大时,反磁化过程为先形成多畴微磁结构,再逐渐反转的过程.  相似文献   

2.
采用磁控溅射技术制备了Tb/Fe50[Mn]50 n多层膜,用Versalab振动样品磁强计测量薄膜样品在不同温度下的磁滞回线,研究了Tb/Fe50[Mn]50 n多层膜体系矫顽力和温度、薄膜层数及反铁磁层厚度的关系,以及薄膜铁磁层与反铁磁层界面耦合作用和铁磁层的层间耦合作用.研究发现铁磁层与反铁磁层的界面耦合作用随温度升高而增加,且存在随薄膜厚度增加而增大的转变温度Tt.当TTt时,界面耦合使矫顽力减小;当TTt时,使矫顽力增大.铁磁层的层间耦合作用随反铁磁层厚度在铁磁耦合和反铁磁耦合之间振荡变化,当TTt时耦合作用强度随温度增加而减小,但当TTt时,耦合作用突然增强.  相似文献   

3.
构造了FePt∶Au有序纳米颗粒膜的微结构模型,利用微磁学模拟的方法研究了一系列不同Au含量的FePt∶Au颗粒膜的磁学性质.对比实验数据,分析反磁化过程可知:当反映Au含量的交换作用比例系数β>0.4时,FePt∶Au颗粒膜的矫顽力随β减小而增大,但增幅较小,磁化反转为一致反转;当β<0.3时,随β的减小矫顽力迅速增大,磁化反转一致性降低.分析指出,当FePt磁性颗粒之间间距约为3~4nm时,颗粒间的交换相互作用可以近似为零,磁化反转为非一致反转.  相似文献   

4.
Cr/Gd双层膜的磁特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用磁控溅射法制备居里温度(TC)略低于奈尔温度(TN)的Cr/Gd双层薄膜.利用振动样品磁强计研究薄膜在不同温度下的磁滞特性.结果表明:该类薄膜系统与TCTN的铁磁/反铁磁双层薄膜的磁滞特性不同,当测量温度(T)大于TC时,Gd层处于铁磁态,矫顽力(HC)随温度非单调变化;当T为80~205K时,HC随温度增加逐渐减小;在T=205K出现一个极小值后逐渐增大;在T=255K附近出现一个主峰;当T为255~295K时,HC随温度升高迅速减小;当T295K时,HC随温度升高迅速增大.即铁磁/反铁磁界面处的反铁磁自旋与铁磁自旋的交换耦合作用对铁磁层磁有序态的维持温度和矫顽力影响较大.  相似文献   

5.
基于Stoner-Wohlfarth模型研究了非对称型反铁磁耦合三层体系的磁滞特性,得到了不同磁层厚度以及磁参数下发生线性磁相变临界转换场的解析表达式,以及9种可能存在的不同类型易轴磁滞回线.基于磁相变的临界条件获得了非对称反铁磁耦合双层膜体系在k1-k2如空间的磁滞回线相图.非对称反铁磁耦合双层膜体系作为磁隧道结的自由层时,相对于单层结构自由层具有更好的热稳定性.  相似文献   

6.
该文使用飞秒时间分辨泵浦-探测磁光克尔光谱技术,研究了飞秒激光加热GdFeCo磁光薄膜跨越铁磁补偿温度时,净磁矩方向发生转变而引起磁化反转的反常克尔磁滞回线。通过测量不同激发功率下以及不同泵浦脉冲数下的反常克尔回线,揭示反常回线包含连续脉冲激发产生的积累效应以及外场磁化史的记忆效应,对反常回线的形成起源做了深入探索和详细研究。研究结果对于深入理解GdFeCo合金薄膜中稀土-过渡金属间的反铁磁耦合特性以及磁化反转的机理具有重要意义。  相似文献   

7.
计入外磁场、体和界面单轴各向异性后,详细研究了铁磁或反铁磁层间耦合的自旋双链系统中的光学界面自旋波及其存在的充要条件.结果发现:对于不同的界面各向异性,该系统可以存在0、1和2个光学界面自旋波,其能量随铁磁层间耦合强度的增大而升高,却随反铁磁层间耦合强度的增大而降低.  相似文献   

8.
研究与两个铁磁导体耦合的分子结中电流的生热性质.发现当分子结的能级为零时,电流和热流在不同电压下随着两个铁磁体磁化强度的增加而单调变小.当两个铁磁体的磁化方向相互反平行时,电子的入射和透射隧穿速率随磁化强度的增大而变得相差更大,从而使得电流和热流被抑制的趋势更为明显.当电压取固定值时,电流和热流在不同的分子结能级条件下随着铁磁体磁化强度的增大而变小.同样地,当两个铁磁体的磁化方向为反平行时,电流和热流被抑制的趋势更为明显.  相似文献   

9.
计入外磁场、体和界面单轴向异性后,详细研究了铁磁或反铁磁层间耦合的自旋双链系统中的不迩界面自旋波及其存在的充要条件,结果发现:对于不同的界面各向异性,系统可以存在0、1和2个光学界面自肇波,其能量随铁磁层间耦合强度的增大而升高,却随反铁磁层间耦合哟度的增大而降低。  相似文献   

10.
以H.Wang等人的实验结果为依据,用微磁学理论对直径为400 nm,具有不同缺口角度的Co纳米盘在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟.从剩磁态、剩磁和矫顽力三个方面考察了不同缺口角度的引入对磁体磁性能的影响.比较模拟结果发现:当磁场垂直于盘的缺口方向时,获得的剩磁态均为磁通闭合磁畴结构,且此时剩磁和矫顽力都随缺口角度的增加呈增加趋势.  相似文献   

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