低氧单晶硅工艺研究

一、引言 硅单晶中的氧在不同温度下以不同的组态存在,而不同组态的氧对材料电学性质的贡献又各不相同。在器件制造过程中,硅单晶要通过氧化、扩散、烧结等工艺过程,由于都是在高温(1000～1200℃)下进行,所以材料原来测定的电阻率和寿命等参数,都将发生很大的变化。这样,半导体器件的特征值,如P-N结的击穿电压、电流放大倍数与电流的关系、     

波尔兹曼常数测量及实验数据处理

本应用P-N结电压电流特性,较精确测量了玻尔兹曼常数．应用计算机进行了实验数据分析处理。实验中采用弱电流测量的方法,在其它有关弱电流测量的实验中可以借鉴。     

NiAl位错核心结构的模拟

利用ＥＡＭ势函数对ＮｉＡｌ中〈１００〉，〈１１０〉刃位错和〈１００〉螺位错的位错核心结构及〈１００〉刃位错与点缺陷的交互作用进行了模拟研究．结果表明：〈１００〉刃位错在（００１）面沿［１１０］和［１１０］方向扩展，呈“蝶形”结构；而〈１００〉刃位错在｛１１０｝滑移面上位错核心结构更为紧凑，位错扩展现象不明显．这和试验中观察到的ＮｉＡｌ中位错进行〈１００〉｛１１０｝滑移，而非〈１００〉｛００１｝滑移的结果相一致．〈１１０〉位错在（００１）面沿［１１０］和［１１０］方向也有所扩展，但同〈００１〉位错相比，沿［１１０］方向位错核心扩展的宽度更大，由位错应力场导致的原子位移也更明显．通过模拟还发现〈１００〉螺位错、〈１００〉刃位错、〈１１０〉刃位错在滑移面内均无位错的分解现象．〈１００〉刃位错和点缺陷的交互作用模拟结果表明：在位错核心附近引入点缺陷列对位错核心结构的轮廓影响不明显，说明难以通过引入点缺陷，局部改变有序度的方法来影响位错核心结构     

鎢单晶体中位錯蝕斑的研究

本文指出了在钨单晶体{100}面产生金字塔形浸蚀斑,{111}面产生三角锥形浸蚀斑的浸蚀剂和浸蚀条件。通过浸蚀——抛光——再浸蚀的方法及亚晶界的分析,初步建立了位错和浸蚀斑间一一对应的关系。进一步运用这一技术研究了钨单晶中的亚晶界,通过倾侧性亚晶界的交结点的分析,指出钨单晶体中存有二组〈100〉柏格斯矢量的刃位错组成的不对称倾侧亚晶界,二组1/2〈111〉柏格斯矢量的刃位错组成的不对称倾侧亚晶界。文章还提出了分析二组非正交的异柏格斯矢量的刃位错所构成倾侧晶界(且观察面不与位错线正交)的较为一般的极图分析法。     

γ－TiAl单晶位错滑移特性的研究

利用透射电子显微术对Ｔｉ－５６％Ａｌ（原子分数）单晶变形亚结构中位错的滑移特性进行了研究．结果表明：γ－ＴｉＡｌ相单晶在室温下，沿［１１２］方向受力产生的可动位错系为｛１１１｝１／２〈１１２］型超位错，位错滑移方向为〈１１０］或〈１３２］；位错线轴向处于〈１１０］或〈１３２］方向的部分由于受到Ｐｅｉｅｒｌｓ应力势的限制而变为难滑移部分，位错继续运动的结果导致在平行于这些方向上形成２条长直的位错对     

单晶铜纳米线弯曲、扭转的变形机制的分子动力学研究

本文利用分子动力学方法研究了〈001〉/{100}和〈110〉/{111}两种单晶铜纳米线在弯曲、扭转载荷作用下的变形机制和力学行为.在〈001〉/{100}铜纳米线的弯曲过程中,当弯曲角度很大时,我们观察到了一些五重变形孪晶.分析表明,配位数为12的其它原子类型与hcp原子类型间的相互转化是导致出现这种五重变形孪晶的重要因素.这个结果与文献（Appl Phys Lett,2006,89：041919）所报道的纳米晶铜在拉伸状态下所观察到的五重变形孪晶的形成过程截然不同;然而该孪生变形机制并未在相应的？110？/{111}单晶铜纳米线的弯曲加载过程中被发现.此外,通过对〈001〉/{100}和？110？/{111}单晶铜纳米线进行扭转模拟,我们发现,这两种纳米线的扭转塑性变形分别是以从表面边角和侧表面发射全位错为主的变形机制.     

几种预氧化工艺在低温水中消毒效能比较

实验以细菌总数为检测指标,在实验室观察了高锰酸钾、氯、氯胺单独预氧化工艺,以及高锰酸钾与氯或氯胺联用预氧化工艺的消毒效果随水温的变化,并比较了几种预氧化工艺在低温水中的杀菌效能,探讨低温水中杀菌效能较高的预氧化工艺．结果表明,在一定时间范围内,水温对几种预氧化工艺消毒效能均有程度不同的影响,通过比较几个工艺消毒时的Q10值得出如下结论：高锰酸钾与氯或氯胺联用预处理工艺的消毒性能受温度的影响程度明显小于单独氯、氯胺及高锰酸钾工艺,而且,高锰酸钾与氯或氯胺联用工艺处理低温、污染严重的地表水的消毒性能明显好于单独的氯、氯胺及高锰酸钾工艺,为我国北方地区冬季处理受污染水源水提供了一种安全预处理技术。     

半导体色敏传感器(SCSS)原理及其检测电路

系统的介绍了半导体色敏传感器(SCSS)的测色原理,建立了光照下P-N结短路电流与波长的关系。给出了SCSS单色及三颜色检测电路,为工程设计奠定了基础。     

不同组分Zn1-xCdxTe<110>单晶产生THz辐射的研究

本文介绍了不同组分的Zn1-xCdxTe〈110〉单晶产生THz辐射的特性.通过实验我们得到了不同组分的Zn1-xCdxTe〈110〉单晶产生THz辐射的效率与晶体中Cd所占组分的关系.发现当Cd的组分x=0.05时,晶体产生THz辐射的效率最好.通过研究晶体对THz辐射的吸收和实验中晶体的相位匹配条件,我们发现晶体的相位匹配是影响THz辐射产生效率的主要因素.     

含P—N结的石墨烯中的阿哈罗夫-玻姆效应

理论上讨论了含P-N结的石墨烯中的阿哈罗夫-玻姆效应.在石墨烯中的P-N结具有令电子发生负折射的性质,根据此一特性,考虑当四个P-N结组成一个封闭的路径并包围一个数值为ψ的磁通时电子运动的情形.分析表明,磁通将对电子的运动产生影响,使其局域流密度发生变化.     

镍基单晶高温合金蠕变机制研究进展

 叶片在服役过程中主要承受〈001〉轴向的离心载荷，由离心应力导致的蠕变损伤是叶片的主要失效机制之一。基于单晶叶片的典型服役条件，总结了国内外关于高温低应力和中温高应力蠕变变形损伤机制的研究现状，指出深入开展含典型缺陷单晶高温合金蠕变行为、氧化和热腐蚀对单晶合金蠕变-疲劳变形损伤机制影响研究十分必要。     

分段升压法探究铝电解电容器的老练工艺

改进老练工艺是降低铝电解电容器漏电流的一项重要措施,随着阳极箔比容越高,机械强度越差,铝电解电容器制造过程中氧化膜受损更加严重,极大的恶化了电容器漏电流性能,分段老练法采用分层氧化的办法修复受损氧化膜,缓和老练升压强度,增加氧化膜中γ-Al2O3的含量,进而相应增加电容的耐压能力,降低漏电流,有效提高了铝电解电容器的老练效果。     

电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)

用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加 ,并对实验结果作了初步讨论     

镍基高温合金单晶的生长和氧化行为

采用改进型坩埚下降法生长了镍基高温合金单晶,使用氧化铝坩埚和〈001〉方向的籽晶,生长得到直径为30～40 mm、长度260 mm的晶棒。采用异型氧化铝坩埚,生长出特殊形状且中空的高温合金单晶涡轮机叶片构件。腐蚀显示所生长的晶体具有典型的镍基高温合金单晶形貌,在枝晶区域有少量的γ′/γ共晶,枝晶的平均间距是367μm,γ′相是立方结构且分布均匀。研究了晶体在900和1 000℃氧化200 h的氧化行为,氧化120 h后其增重达到一个恒定值。     

Electron Tunneling from the 〈100〉 and 〈111〉 Oriented Si into the Ultrathin Rapid Thermal Nitrided SiO2 Films

用卤素-钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN),在〈100〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了SiSiOxNyAl电容,并测量了由低场到FN隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy膜的电流传输特性.测量结果说明,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别,而在高场范围对〈100〉晶向电容结构的FN隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的FN隧穿电流显著增加,并对实验结果作了初步讨论.     

约瑟夫森隧道结制作工艺的研究

本文研究了用热氧化法制作约瑟夫森隧道结工艺过程中氧气压力、湿度、氧化时间对隧道结性能的影响。在我们所使用的氧气压力２×１０－２乇—４００乇及氧化时间２分钟—１００分钟的范围内都可以得到典型的约瑟夫森隧道结，但氧气压力和氧化时间对临界电流及结的其他参量有明显影响。 约瑟夫森器件已有许多应用。而制结工艺是实际应用中首先要解决的问题，由于要的势叠层很薄（１０Ａ—３０Ａ），实际制作有很多困难。我们用热氧化法形成势叠，得到了较好的成品率。     

A-O-混凝-固定生物活性炭组合工艺处理煤气废水的中试研究

采用“A-O-混凝-固定化生物活性炭（IBAC）”组合式工艺对煤气废水进行了中试研究，并在生化段采用了水解酸化池与接触氧化池串联。研究结果表明，在进水CODc，〈2500mg／L、NH^＋ 4- N〈150mg／L、多元酚〈600mg／L和单元酚〈100mg／L时，处理后的水质可以达到CODe，〈150mg／L、NH^＋ 4-N〈25mg／L、多元酚〈20mg／L和单元酚浓度介于0．053-0．809mg／L之间。该工艺对CODe，的去除率〉90％，单元酚去除率〉95％，NH^＋ 4-N去除率〉80％。     

InP及In_(0.53)Ga_(0.47)As单晶薄膜吸收光谱的实验测定

报导了用光学透射比法在外延单晶薄膜上进行InP及In_(0.53)Ga_(0.47)As材料吸收光谱测定的实验结果,对单层及双层材料样品两种情形分别讨论了透射比T(λ)与吸收系数α(λ)之间的理论关系;并描述了使用异质结外延材料与选择腐蚀工艺制备单晶薄膜样品的方法。对获得的实验结果进行了理论分析与解释,并与其他作者的研究结果进行了比较。     

铝合金板材制耳的理论测算

应用Tucker单晶制耳理论,结合晶体学取向空间划分的方法,预测铝合金板材中各织构组分所引起的制耳倾向类型及相对大小·首先对{100}〈001〉和{110}〈112〉取向单晶的制耳进行模拟,发现与Tucker单晶制耳理论所得结果完全一致·再将该方法应用于无织构的板材、冷轧板材、退火板材及西南铝厂生产成品板材的制耳计算,结果与理论预期值符合较好·此计算方法可以快速有效地预测板材制耳发生的倾向,并可以用于深冲铝合金板材的织构调控·基于"工艺 织构 制耳"关系的研究,有助于建立合适的织构/性能快速预报系统·     

冷变形织构沿纯铜线材径向分布的研究

为了探讨显微组织与形变织构的相关性,对纯铜线材运用精确的线材织构测定方法进行织构测定,采用取向分布函数法(ODF)分析了织构沿纯铜线材径向的分布.研究表明:单晶铜线材表面织构组分由〈100〉,〈112〉与〈110〉组成.由表及里〈100〉呈现增加趋势,并在中心层成为主要织构组分;〈112〉先增加后减少;〈110〉呈现减少趋势.多晶铜线材表面织构组分有〈100〉,〈111〉,〈112〉.由表及里〈100〉呈现先增加后减少;〈111〉呈现增加趋势,并在中心层与〈100〉成为主要织构组分;〈112〉先减少后增加.