克林沙星的吸附伏安特性及其应用

在0．2mol·L^-1KH2PO4-K2HPO4（pH6．80）底液中,克林沙星（CF）在汞电极上有一线性扫描还原峰,峰电位Eρ=-1．46V（vs．Ag／AgCl）,该峰说明汞电极对克林沙星具有明显的吸附性。测得CF在汞电极上的饱和吸附量Гs=4．82×10^-11mol．cm^-2,每个CF分子所占电极面积为2．64nm^2,CF在汞电极上的吸附符合Langmuir吸附等温式。测得吸附系数β=1．06×10^6,25℃时的吸附自由能△G^θ=-32．13kJ·mol^-1,电极反应电子数n=2,不可逆体系动力学参量αnα=1．44,表面电极反应速率常量ks=0．26s^-1。建立了吸附溶出伏安法测定CF的最佳条件,方法的检出限为2．0×10^-8mol．L^-1。     

硫茚酸的吸附伏安特性及其应用

目的为了研究硫茚酸（Sulindac）的吸附伏安特性。方法在KHP（pH4．20）底液中,硫茚酸在汞电极上有一线性扫描还原峰,峰电位Epc=-1．21V（VS．Ag／AgCl）,该峰具有明显的吸附性。结果吸附粒子为硫茚酸中性分子,测得硫茚酸在汞电极上的饱和吸附量为1．16×10^-10mol／cm^2,每个硫茚酸分子所占电极面积为1．43cm^2,硫茚酸在悬汞电极上的吸附符合Frumkin等温式。测得吸附系数β=1．22×10^6,吸引因素γ=1．02,电子转移数n为2,不可逆吸附的电子转移系数α为0．86,表面电极反应速度常数ks=0．32／s。结论建立了吸附伏安法测定硫茚酸的最佳条件,检出限为1．0×10^-9mol／L,该方法可用于硫茚酸片剂中硫茚酸含量的测定。     

二甲基亚砜中Ni^2＋电化学性质的研究

研究了二甲基亚砜中Ni^2＋在Pt电极上的电化学性质．293K时,在0．01mol·L^-1 NiCl2-0．1mol·L^-1 LiClO4-DMSO体系中利用循环伏安法,计时电流法。计时电量法测定Ni^2＋的扩散系数D0和传递系数α分别为：1．29×10^-6cm^2·s^-1和0．14;并通过塔菲尔曲线求出交换电流密度i0=7．87×10^-8A／cm^2．     

盐酸莫西沙星的吸附伏安特性及其应用

在0.25mol·L-1KH2PO4-NaH2PO4(pH6.38,GB604-88 5.)底液中,盐酸莫西沙星(Moxifloxaein Hydrochloride,简称MF)在汞电极上有一线性扫描还原峰,峰电位EP=-1.24V(vsAg/AgCl),该峰具有明显的吸附性;吸附粒子为MF中性分子,测得MF在汞电极上的饱和吸附量Fs=4.31×10-11mol·cm-2,每个MF分子所占电极面积为2.12nm2,MF在汞电极上的吸附符合Langmuir吸附等温式;测得吸附系数β=1.11×106,25℃时的吸附自由能ΔGθ=-35.24kJ·mol-1,电极反应电子数n=2,不可逆体系动力学参量αna=1.21,表面电极反应速率常量ks=0.3-1s-1;建立了吸附溶出伏安法测定MF的最佳条件,方法的检出限为2.0×10-8mol·L-1.     

加替沙星的吸附伏安特性及其应用

在0.3mol/L KH2PO4-NaH2PO4(pH6.4)底液中,加替沙星(GTF)在汞电极上的线性扫描伏安测试显示一个还原峰,并具有明显的吸附特性,测得GTF在汞电极上的饱和吸附量为40.1pmol/cm2.GTF在汞电极上的吸附符合Langmuir吸附等温式,建立了吸附溶出伏安法测定GTF的最佳条件,方法的检出限为20.0nmol/L.     

铁基蒙脱土修饰电极上多巴胺的电化学行为及其测定

制备了FeC l3改性蒙脱土修饰电极,采用循环伏安法研究了多巴胺（DA）在该电极上的电化学行为.结果表明,电极过程为扩散控制的准可逆过程,其氧化峰电流与浓度在1.0×10^-5-4.0×10^-3mol·L^-1范围内呈良好的线性关系,其线性回归方程为：Ipa（A）=-3.288 04×10^-6-0.035 99 C（mol·L^-1）,相关系数R为0.997 6,检测限可达2.88×10^-6mol·L^-1,回收率在95.4%-103.1%之间,为DA的测定建立了一种电化学方法.     

线性扫描溶出伏安法测定松花蛋中铅的含量

用线性扫描溶出伏安法测定松花蛋中铅的含量。采用三电极系统,银基汞膜电极为指示电极,饱和甘汞电极为参比电极,铂丝电极为对电极,使用LK98BII微机电化学分析系统对松花蛋中痕量铅进行测定。实验讨论了底液、沉积电位、扫描速度对实验结果的影响。结果表明：在抗坏血酸存在下0．2mol／L硝酸钾为底液,沉积电位为-1．5V,扫描速度为0．5V／s,铅的溶出峰电位为-0．43V,铅浓度在3．02×10^-3-3．02×10^-6mol／L范围内与峰高呈现良好的线性关系,测得松花蛋中铅的含量为3．630×10^-4mg／kg,该方法的回收率为103％-114．2％。而采用国标法测得松花蛋中铅的含量为3．379×10^-4mg／kg,两种方法的相对误差较小。且线性扫描溶出伏安法具有操作简便,重现性好,灵敏度高等优点。     

更昔洛韦在SDBS胶束中的电化学行为及其电化学测定方法

以碳糊电极（CPE）为工作电极,在BR（Britton-Robinson Buffer）中用循环伏安法研究了更昔洛韦（GCV）在十二烷基苯磺酸钠（SDBS）胶束体系中的电化学行为,并以此建立了一种GCV电化学定量分析方法．用差分脉冲伏安法（DPV）,在优化的测试条件下测得GCV氧化峰电流与其浓度在2．0×10^-7～2．0×10^-4mol／L范围内呈良好的线性关系,检出限为2．8×10^-8mol／L．该方法灵敏准确,用于GCV含量测定,结果令人满意．     

铁氰化钴修饰铂电极的制备及其对H2O2的电催化作用

以铂电极为基体,用电沉积方法制备了铁氰化钴修饰电极,研究了该电极的电化学特性及H2O2在该修饰电极上的电化学行为。实验表明,该电极对H2O2具有催化作用;在4．9×10^-5～1．1×10^-3mol／L范围内,峰电流与H2O2的浓度呈线性关系（R=0．9986）,检出限为1．3×10^-5mol／L。     

酸性铬蓝K修饰电极的制备及其对抗坏血酸的测定

应用电化学方法将酸性铬蓝K固定在玻碳电极（ GCE）表面上而制备出新型的修饰电极,并用循环伏安法对其电化学行为进行表征,考察了其对抗坏血酸的电催化性能。结果表明：在HAc-NaAc缓冲溶液（pH=3.6）中,-200-800 mV电位扫描范围内,抗坏血酸在此修饰电极上发现有一个氧化峰,并且此峰的高度和抗坏血酸的浓度成正比关系。在选定的最佳条件下,氧化峰电流与抗坏血酸的浓度在8×10^-8-1×10^-3 mol·L^-1范围内有良好的线性关系（R=0.9992）,检出限为2×10^-8mol·L^-1（信噪比3∶1）,并用于实际样品分析中,得到较满意的结果。     

洛美沙星的吸附伏安特性及其应用

在Britton Robinson(pH8 80 ) 0 0 2mol·L- 1KCl底液中 ,洛美沙星 (Lomefloxacin ,简称LMF)在汞电极上有一线性扫描还原峰 ,峰电位Ep=- 1 4 0V (vs.Ag/AgCl) ,该峰具有明显的吸附性 .吸附粒子为LMF中性分子 ,测得LMF在汞电极上的饱和吸附量Гs=4 2 7× 10 - 11mol·cm- 2 ,每个LMF分子所占电极面积为 3 89nm2 ,LMF在汞电极上的吸附符合Langmuir吸附等温式 .测得吸附系数 β =2 2 9× 10 6,2 5℃时的吸附自由能ΔG =- 36 2 9kJ·mol- 1,电极反应电子数n =2 ,不可逆体系动力学参数αnα=1 84 ,表面电极反应速率常数ks=0 2 9s- 1,扩散系数D =7 38×10 - 7cm2 ·s- 1.建立了吸附溶出伏安法测定LMF的最佳条件 ,检出限为 5 0× 10 - 8mol·L- 1.     

线性扫描吸附伏安法测定食品中痕量氟

报道了食品中氟的线性扫描溶出伏安法测定 .在 p H=4 .9的 0 .0 2 mol/L六次甲基四胺的缓冲溶液中 ,铈 -茜素络合剂 -氟的络合物产生一灵敏的阴极峰 ,峰电位为 -0 .85V( vs.SCE) ,峰高与 F- 浓度在 2 .0× 1 0 - 8～ 4 .0× 1 0 - 7mol/L范围内呈线性关系 ,检出限为 1 .0× 1 0 - 8mol/L .该法用于食品中的痕量氟的测定 ,结果满意 .另外 ,对峰电流的性质和电极反应的机理进行了研究     

铅在氧化石墨烯-纳米氧化镍修饰玻碳电极上的电化学行为

用氧化石墨烯-氧化镍纳米复合膜修饰玻碳电极,制备了电化学传感器.用循环伏安法研究了铅在该电极上的电化学行为,建立了差分脉冲溶出伏安法测定痕量铅的电化学分析法,详细优化了氧化石墨烯的用量、富集电位、富集时间、电聚圈数、底液的pH值等测定条件.研究结果表明:在优化条件下,Pb2+的浓度在1×10-7～1×10-6mol/L的范围内与溶出峰电流呈良好的线性关系,检出限为1×10-8mol/L.将该方法用于水样中Pb2+的测定,回收率为96.5%～104.2%.     

日落黄分子印迹电化学传感器的研制与应用

利用分子印迹技术,以日落黄为模板分子、邻氨基酚为功能单体,采用循环伏安法在石墨电极表面电聚合形成邻氨基酚聚合膜,经电化学方法在0.5mol/L H2SO4溶液中将模板分子去除,制得具有特异识别空穴的日落黄分子印迹修饰电极,然后,采用紫外可见分光光度法和电化学法对聚合薄膜进行表征.实验表明,该分子印迹修饰电极对日落黄有较高的结合速率、特异识别能力和灵敏度,-0.010V处微分脉冲伏安法的峰电流与日落黄的浓度在1.00×10-6～1.00×10-4 mol/L范围内呈良好的线性关系,且检出限为2.00×10-7 mol/L.运用该方法测定了饮料中的日落黄,回收率为95%～108%,为饮料中日落黄的选择性分析提供新的实验方法.     

锡在金电极上的欠电位单层沉积的分析应用

用循环伏安法研究了Sn2 在金盘电极上的欠电位沉积.在特别提纯的1 mol/L HCl支持电解质溶液中,Sn2 在金盘电极上可以产生清晰的欠电位沉积峰和本体沉积峰.基于Au/Sn欠电位体系优良的电化学特性,发展了一种选择性好、灵敏度高的电化学分析方法.Sn2 浓度在1.96×10-10～2.91×10-s mol/L范围内与峰电流有线性关系.连续7次测定1.0×10-9 mol/L Sn2 得到的相对标准偏差为5.06%.该方法已用于实际样品的测定,所得结果与原子发射光谱(ICP-AES)所得数据相吻合.     

多壁碳纳米管-[BMIM]PF_6修饰电极测定Hg~(2+)

制备了多壁碳纳米管(MWCNT)-离子液体([BMIM]PF6)修饰电极并作为工作电极,采用阳极溶出伏安法检测Hg2+。研究表明,Hg2+在修饰电极上可得到灵敏的溶出峰。考察了实验条件对Hg2+在该修饰电极上溶出伏安行为的影响。在优化的实验条件下,Hg2+在1.0×10-6mol/L～1.0×10-4mol/L浓度范围内与其溶出峰电流呈良好的线性关系,相关系数为0.9992,检出限为1.0×10-7mol/L。该修饰电极制备简单,用于微量汞的检测,效果良好。     

丁二酮肟修饰玻碳电极差分脉冲溶出伏安法测量痕量镉

以丁二酮肟作为修饰剂制备化学修饰电极,用于痕量镉的伏安法测定．研究了支持电解质种类及酸度、修饰膜厚度、富集电位、富集时间、扫描速度等因素对伏安曲线的影响,获得较为优化的测试条件,在0．1mo/L HAc—NaAc缓冲溶液（pH=4．0）中,ca（Ⅱ）的浓度在2．0×10^-9moL／L-2．0×10^-6 moL／L范围内与它的氧化峰电流呈良好线性关系,检测限达2．0×10^-9 moL／L．该电极具有很好的重现性．在含4．0×10^-7moL／Lcd（n）试液中连续测定10次,其RSD为7．8％．本法用于环境污水样（咸宁市咸安区的西河水）测定,获得满意的结果．     

碳纳米管修饰碳糊电极吸附溶出伏安法测定铜

制备了羧基化碳纳米管修饰碳糊电极（MWCNT/CPE）,并研究了Cu（Ⅱ）-SPAPT络合物在该电极上的吸附伏安行为,建立了一种测定痕量铜的新方法。采用二阶导数线性扫描溶出伏安法进行分析。结果表明：在0.1 mol/L的HAc-NaAc（pH=4.0）中,于-400 mV处搅拌富集一定时间,从-400~600 mV范围内以250 mV/s的扫描速度线性扫描,络合物吸附在MWCNT/CPE表面,于66 mV（vs.SCE）处产生一灵敏的阳极溶出峰,其峰电流与Cu（Ⅱ）浓度在4×10-11mol/L-8×10-9mol/L和8×10-9mol/L-1×10-7mol/L范围内分两段呈良好的线性关系,检出限（S/N=3）为2.2×10-11mol/L（富集时间240 s）。同时,探讨了电极反应机理。该方法操作简便、灵敏度高,应用于人发中铜含量的测定,结果满意。