真菌的应用研究——真菌多糖

真菌多糖具有重要的经济和药用价值。结合我们多年来研究结果,综述了糖类研究的历史进程以及真菌多糖的免疫调节功能、功效及其应用。     

真菌多糖化学研究

论述目前在真菌多糖化学研究中常用的提取,分离纯化方法,对多糖结构进行研究的方法,以及目前研究中真菌多糖的结构与抗肿瘤作用的可能联系,抗肿瘤的机理     

食用菇多糖提取物体外抗氧化性能研究

香菇和鸡腿菇分别经热水浸提,反复醇提、洗涤、真空干燥后得到两种多糖提取物。通过多糖抗食用油脂的氧化作用、利用Fenton反应检测对羟基自由基(.OH)的清除作用、对邻苯三酚自氧化系统产生的超氧阴离子自由基(O2-.)的清除作用以及在模拟胃液条件下清除NO2-的作用,对这两种不同来源的食用真菌多糖的体外抗氧化活性进行了研究。结果表明:两种多糖提取物都具有体外抗氧化性能,香菇多糖提取物的抗活性氧自由基能力和清除NO2-的能力优于鸡腿菇多糖提取物。     

一株虫草类真菌的液体发酵产胞内多糖培养基的优化

采用液体发酵法培养虫草真菌菌丝体。以虫草真菌胞内多糖量为指标,通过单因素试验,表明玉米淀粉为最佳碳源,酵母粉为最佳氮源,酵母膏为最佳生物素,最适pH为7.0;正交试验表明最适虫草真菌产胞内多糖培养基配方为:玉米淀粉5%,酵母粉2%,酵母膏0.1%,KH2PO4 0.1%,MgSO4.7H2O 0.05%,pH 7.0。     

真菌多糖化学研究

论述目前在真菌多糖化学研究中常用的提取,分离纯化方法,对多糖结构进行的方法,以及目前研究中真菌多糖的结构与抗肿瘤作用的可能联系,抗肿瘤的机理。     

药用真菌多糖研究进展

多糖组分是药用真菌中已知的主要活性物质,近年来成为食品和医药界研究的热点.药用真菌多糖来源广泛,常见的主要有灵芝、香菇、裂褶菌和冬虫夏草等.药用真菌多糖常用的提取方法包括热水浸提、碱提、酸提和中性盐溶液提取等,新技术如超声波、微波和酶法辅助提取也逐渐应用于药用真菌多糖的提取.研究表明,药用真菌多糖主要具有免疫调节、抗肿瘤、抗病毒、抗氧化、降血糖和降血脂等生物活性.药用真菌多糖的分子量、糖苷键键型、空间结构和化学改性等对其生物活性有显著的影响作用.     

利用正交实验法提取广枣多糖及测定其含量

本文采用正交实验法从广枣中提取了水溶性多糖,选择的实验影响因素为提取温度(A)、提取时间(B)、醇析时间(C)等三因素三水平的正交实验,并用苯酚—硫酸法测定了对应其提取条件的多糖含量.结果表明:提取温度对多糖提取的影响显著.提取条件为提取温度在75℃,提取时间为7 h,醇析36 h(A2B1C2)时各糖含量最高,其值为:43.95%,即广枣水溶液性多糖的最佳提取条件为A2B1C2.     

正交提取金果榄粗多糖的工艺研究

目的:研究金果榄粗多糖的提取优化条件。方法:以金果榄多糖得率为指标,采用L9(34)正交实验设计,考察提取时间、温度、提取次数及料液比等因素对金果榄粗多糖提取得率的影响。结果:其粗多糖最佳提取条件为:A1B3C2D2,即提取时间1.5h,提取次数3次,提取温度80℃,料液比1:20,此条件下多糖得率为13.64%。结论:本方法结果可作为提取金果榄粗多糖工艺的依据。     

下期发表论文摘要预报

灵芝真菌发酵生产灵芝多糖和灵芝酸方庆华 ,　钟建江*(华东理工大学生物反应器工程国家重点实验室 ,上海 2 0 0 2 37)　　摘要 :提出了灵芝真菌同时高效生产灵芝多糖和灵芝酸的发酵过程。在摇瓶中考察了氮源、接种量、起始糖浓度和装液量对灵芝细胞生长及灵芝多糖和灵芝酸生产的影响。结果表明酵母膏和蛋白胨复配作为氮源有利于细胞生长。接种量对细胞量有一定影响 ,但是对产物积累量影响更大。在50 g/L起始糖浓度下 ,细胞干重达到 1 6.7g/L,同时胞内多糖、胞外多糖和灵芝酸分别达 1 .1 9g/L,0 .854g/L和 2 1 2 .3mg/L。考察装液量发现 ,…     

真菌多糖的药用开发

真菌多糖是从各种真菌的子实体中提取出来的多糖体,在保健食品和医疗工业中广泛应用,特别是近年来在治疗各种疑难病症中取得了可喜的效果。真菌多糖从其来源分,有四种: 一、云芝多糖这是一种含有β—1.6和β—1.3苷键的葡聚糖,对各种癌症均有抑制作用。据报道,日本科学家从云芝中还提出一种蛋白多糖(PSK),其单糖部分大部分是葡萄糖,含少量甘露糖和木质糖;蛋白部分由17种氨基酸组成,实验证明对小鼠肉癌S—180有强烈     

电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO2膜

用卤素－钨灯作辐射热源快速热氮化（RTN）,在＜100＞和＜111＞晶向Si衬底上制备了Si-SiOxNyAl电容,并测量了由低场到F－N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy膜的电流传输特性。测量结果说明,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别,而在高场范围对＜100＞晶向电容结构的F－N隧穿电流要比＜111＞晶向电容结构的F－N隧穿电流显著增加,并对实验结果作了初步讨论。