信号、噪声通过线性工作系统设备过程中信噪比的变化

本文就信号、噪声通过线性工作系统设备过程中信噪比变化的问题，提出一个简单和实用的模型，建立相应的计算公式，并在视频领域和音频领域对公式展开讨论，进一步阐述公式的实用性，可作为工作系统的设计和调整的参考，以祈获得更好的社会效益和经济效益．     

基于PL系统的形态生成模型

采用人工生命的基本方法,综合考虑了自然环境中阳光和重力对树木形态的影响,结合树木自身的生长基因,提出了一个以ＰＬ系统为基础的树木生长模型．该模型通过改变模拟系统自身的替换规则,使得系统可以随环境因素的变化自动调整所迭代的分枝模型,从而实现自然环境下树木形态的计算机模拟．介绍了模拟系统及计算方法,并给出了模拟结果．     

基于印刷干燥节能设备的模糊自适应PID研究

研究印刷干燥节能设备工作原理,提出设备的主要控制参数,并确定控制方案。分析了模糊运算规则,提出模糊自适应PID控制算法,利用模糊规则获得参数调整算法,并在线对常规PID控制器的参数进行调整,提高PID的控制性能。系统经过实际调试运行,具有良好的效果,提高系统的响应速度和控制精度。     

660MW汽轮发电机组节能技术工作体会

提出通过开展技术交流、加强技术改造、加强运行控制调整和提高设备系统检修质量来提高机组经济性,并提出了进一步的节能技术工作建议.     

提拉法生长大直径白宝石单晶

探讨了电阻炉提拉法生长白宝石单晶过程中，固体和液体中温度梯度与生长速率和晶体应力的关系．对生长系统和工艺作出相应的调整、改进．实验中摸索出了生长Φ＞４０ｍｍ的白宝石单晶的工艺     

电网继电保护综合自动化系统的研究

本文提出了电网继电保护综合自动化系统的概念,就是综合利用整个电网智能设备所采集的信息,自动对信息进行计算分析,并调整继电保护的工作状态,以确保电网运行安全可靠的自动化系统,同时阐述了该自动化系统结构功能及其实现方法。     

雷达高度表回波信号采集器中的回波捕捉

针对提高雷达回波信号捕获率的要求,对雷达高度表视频回波信号高速采集系统提出了改进方案．对采集系统在实际工作中可能会受到的持续强干扰的情形,通过动态调整门限的方法实现捕捉中的恒虚警概率,并根据回波自身的特点提出多帧近似的模糊处理方法,从而提高了捕获率．     

集群式智能型网络信息自动搜寻与采集系统

互联网上分布的许多用于搜集网络信息的ＷｅｂＳｐｉｄｅｒｓ（网络爬虫）一般都工作在单机上,难以快速完成大规模的信息采集工作．对此提出了一种集群式Ｓｐｉｄｅｒ系统的构想,它能够使许多Ｓｐｉｄｅｒ工作在不同的主机上完成同一项任务（每个Ｓｐｉｄｅｒ负责一部分,可动态调整）,因此可大大加速信息采集工作．文中描述了这种系统的体系结构与模型,并介绍了该系统的一种实现,即ＣｈｉｎａＷｅｂＷｉｚａｒｄ．它不仅可以在集群模式下工作,还能动态地发现新的站点．该系统为搜索引擎提供了底层支持,对网点建设者和开发者具有参考价值．     

MPOA系统中边界设备的仿真实现

简要分析了一种ＭＰＯＡ仿真系统,在此基础上,论述了仿真系统中边界设备的仿真实现方法,包括边界设备的逻辑结构、工作流程及子模块功能等．仿真运行结果表明,所提出的实现方法是合理及有效的     

低压系统三相负载不平衡的影响及其调整

本文较详细地分析了低压系统中三相负载不平衡对电网设备、用电负载的影响,并提出调整的方法要领。     

GaN系半导体材料生长的MOCVD控制系统设计与实现

针对MOCVD系统工艺及控制要求,设计了MOCVD控制系统.采用PLC作为核心控制器,负责各类输入输出信号的控制,进行数据处理,控制半导体材料生长.同时采用WinCC组态软件设计上位监控系统.经过近一年运行,MOCVD控制系统运行状况良好,控制系统具有高可靠性、抗干扰能力强、控制精度高等特点,满足系统控制要求,保证了材料生长顺利进行.     

MOCVD 生长的动力学模式探讨

讨论金属有机化合物气相沉积(MOCVD)方式生长晶体的一种动力学解释．应用分子动力学、化学反应动力学等推导出MOCVD反应过程中晶体生长速度—原材料输运速度有关的公式，并应用这个公式进行了计算，计算结果与实际生长时的参数接近．     

AlN MOCVD生长模式的密度泛函研究

采用密度泛函理论(density functional theory)和Gaussian03程序包研究AlN MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)的生长模式,得到与实验观察相一致的计算结果,给出AlN MOCVD在衬底上生长出单层薄膜后,然后进行的是岛状生长而不是层状生长的理论解释.     

制备GaN基材料的数值模拟研究进展

综述了紫外探测器的实际应用,特别介绍了紫外预警系统的作用原理;详细介绍了GaN基材料及其生长方法;对MOCVD法制备GaN基材料的过程做了详细描述,特别介绍了国内外MOCVD系统制备GaN基材料的数值模拟方法。     

常压MOCVD法生长高质量GaAs薄膜的研究

本文采用三甲基镓(TMG)和砷烷(AsH_3)作为源气体,用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在常压600～750°的温度范围内进行了GaAs薄膜的生长。研究了源气体流量和衬底温度对生长速率的影响。用扫描电子显微镜(SEM)、电子能谱和Vanderauw法测量表明,这套系统生长的GaAs薄膜具有很高的质量。     

MOCVD工艺模拟系统

报道一个 Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 全方位综合工艺模拟系统． 该系统包含反应室气流流体力学模拟、化学反应热力学模拟和沉积过程动力学模拟等 ３ 个子系统， 它们可以独立运行， 也可以联合运行．     

GaN生长工艺流程实时监控系统

分析了在ECR-MOCVD装置上外延长生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素，在此基础上，设计了一套由80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统，用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控，并提出了一种合适的工艺流程监控策略，阐述了如何从软件上确保工艺流程的连续可靠运行。实践证明，轮硬件系统设计合理、抗干扰措施完善，很好地保证了工艺流程的连续可靠运行，实验数据的可靠性和工艺流程的可重复性也大大提高，并以类似系统的工艺过程自动化设计具有一定的指导借鉴意义。     

用MOCVD法制备TiO2薄膜

用低压MOCVD法，以四异丙纯钛为源物质，高纯氮气作为载气，氧气为反应气体，制备出了TiO2薄膜，考察出了沉积温度，基片距离均对沉积速率有影响，发现在不同反应条件下TiO2薄膜生长行为受动力学控制或受扩散控制。     

现代外延生长技术

由于现代外延生长技术的不断完善，使异质结器件、量子阱与超晶格材料的生长与应用得到迅速发展．本文概述了目前半导体材料与器件研究最先进的几种外延生长技术，包括ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＣＢＥ、ＡＬＥ和ＨＷＥ．     

一种新型的液态源MOCVD技术

一种新型的液态MO源金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,它采用液态MO源脉冲输送技术。该方法采用了可编程控制器(PLC)和触摸屏,可通过触摸屏完成系统控制、工艺参数设置及数据显示,提高了MOCVD系统的自动化程度,确保工艺的重复性和稳定性。通过该方法,成功地制备了TiO2薄膜。