电容储能高功率脉冲成形网络浪涌过程分析

针对电容储能高功率脉冲成形网络工作过程中存在的电流和电压冲击问题,建立了脉冲成形网络的等效电路.采用理论分析和数值计算的方法,研究了电路放电时的瞬态过程,分析了冲击电流和浪涌电压产生的机理,讨论了抑制电流和电压冲击的措施.研究表明:硅堆结电容的存在使硅堆所在的回路具有二阶电路的特性,负载的非线性或时序放电过程会引起硅堆两端反向电压的振荡.通过在硅堆旁并联一定阻值的电阻,使系统处于过阻尼状态,可以起到抑制电压振荡的目的.实验验证了方法的有效性,为硅堆的保护提供了一种新的技术途径.     

含电压提升单元的非隔离升压变换器

提出一种新型的非隔离型高升压变换器拓扑,该变换器由一个基本Boost单元和耦合电感、电容、二极管组成的电压提升单元(coupled inductor capacitor diode cell)构成。该变换器增益比传统Boost变换器高N倍电压增益,可有效避免高升压应用场合极大占空比的出现。由于CICD单元中储能电容存在,开关管电压应力降低,因此可以选择低电压应力器件来提升效率;储能电容同样降低了输出二极管的电压应力,缓解了反向恢复问题,进一步提高了效率;CICD升压单元中二极管实现了零电流关断,解决了二极管的反向恢复问题。首先对拓扑的推演进行了阐述,然后详细分析了变换器工作原理及性能特点,最后通过saber仿真验证了理论分析的正确性。     

具备故障电流阻断能力的改进型子模块及特性

实际工程中如何实现直流故障电流的阻断是基于模块化多电平换流器(multilevel modular converter, MMC)的柔性高压直流输电(flexible high voltage DC transmission based on MMC, MMC-HVDC)系统中亟须研究与解决的关键问题之一。在分析已提出的子模块拓扑的基础上,提出一种带有双向开关的钳位双电容子模块(clamp double capacitor bidirectional switch sub-module, CDCBSSM)。该子模块拥有双电容,可以输出3个电平,发生故障时将电容反向串联进故障回路中,利用电容的反向电压在抑制故障电流的同时迫使钳位二极管处于偏置状态从而快速切断故障电流且闭锁后电容电压较为稳定。与其他子模块拓扑相比,该子模块单位电容下所需功率器件的数量最少,具有良好的经济性。在MATLAB仿真平台上对该子模块的故障阻断特性进行验证,仿真结果证实该子模块在阻断直流故障电流方面有效,且各功率器件的电压应力也和理论分析相吻合。     

二极管反向饱和电流的实验研究

利用直流复射式检流计代替电流表测量电流,采用分压式二极管反向饱和电流测试电路测量电压,对二极管反向饱和电流的测量与二极管反向饱和电流随温度变化之间的关系进行了实验研究。利用直流复射式检流计提高了测量精度,采用分压式二极管反向饱和电流测试电路便于控制电压的变化,可以更细微地观察反向电流的变化,从而较准确测得反向饱和电流值。     

三公分微带型硅超突变结变容二极管

本文介绍了用平面工艺，用液态源气相扩散的方法试制的三公分微带型硅超突变结变容二极管。它具有结电容小，电容变化比大，电压与频率的线性关系较好等优点，与砷化镓变容二极管相比它的工艺简单。     

PS湿敏二极管特性研究

研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管,在不同湿度下,分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明,在一定电压下,无论Ｎ型衬底,还是Ｐ型衬底,其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大,其正向特性却基本保持恒定,即在一定电压下,其正向电流不随湿度发生明显变化．通过与ＰＳ的电容、电阻的湿敏特性进行比较,发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性．并根据这种二极管的结构和电流输运过程,对其湿敏机理及特性进行了分析     

砷化镓隧道二极管伏安特性的若干研究

本文报导了砷化镓隧道二极管的峰值电流I_p,谷值电流I_v,峰值电压V_p,谷值电压V_v四参数温度关系的实验结果;(温度取77°K、195°K、296°K、365°K等四个固定点)分析了砷化镓隧道二极管的反向伏安特性,分析表明:反向伏安特性可用Chynoweth等提出的内场发射电流表示式来描写;也初步分析了正向负阻区后较大偏压范围内的伏安特性.     

利用正向电压下的导纳检测半导体二极管的新方法

提出了一种利用正向电压下的导纳—电压(A—V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法，并给出了它的一般分析．利用这种方法，可以判断一个二极管有无界面层存在，并测量在不同正向电压下串联电阻、结电容、结电压、理想化因子和界面层阻抗的数值．用A—V方法研究了采用不同的欧姆接触的Ni／n—GaN肖特基二极管，观察到肖特基二极管的负电容现象，并确认是一种结的效应．研究还发现，无论缺乏n^ 层还是缺乏适当的退火都能够导致界面层的形成，界面层应被看作具有非线性电阻和电容的层状结构．     

锗和砷化镓隧道二极管某些参数的温度关系

§1.引言隧道二极管峰值电流L_p,峰值电压V_p和結电容C等参数随温度变化規律的研究,在理論上及应用上都有一定的意义。理論上可以提供簡并半导体能带結构及簡并p-n結內电流傳輸机构的知識,实用上可以提供設計参数几乎不随温度变化的隧道二极管的資料。锗隧道二极管峰值电流与温度关系已发表了許多研究結果。总括起来,在4.2°K     

滤波电容参数对电源性能影响的Multisim仿真实验分析

在桥式整流滤波电路中,滤波电容的一般按公式RLC≥(3～5)T/2选取,往往认为滤波电容越大越好。采用Multi-sim10仿真软件对电容滤波电路的滤波电容参数改变时,输出电压波形、流经整流二极管的脉动冲击电流和电路接通后进入稳态的时间等方面进行了仿真实验测试,结果表明,增大滤波电容对改善输出电压波形和提升输出直流电压数值的作用有限,且随着滤波电容容量的增大,电路接通后进入稳态的时间也随之增长,流经整流二极管的脉动冲击电流也不断增大。滤波电容的容量不宜过大。     

基于β辐射伏特效应的NPN结型换能结构研究

针对PN结型换能器件收集效率低,短路电流小等缺点,首次提出NPN结型核电池换能结构.用电子束对设计制作的NPN结型换能器件进行双面辐照实验,实验结果表明NPN结型换能结构能够通过降低P区掺杂浓度提高耗尽区宽度,减小换能器件厚度降低体电阻,增大短路电流,获得较大的能量转换效率.     

半导体器件模拟软件ISE—TCAD

本文的研究目的是对半导体模拟软件ISE—TCAD进行详细介绍,旨在介绍软件的模拟方法,并利用仿真软件ISE—TCAD对其在室温下的正向伏安特性与反向伏安特性进行了模拟仿真,并取得了有价值的数据．．从模拟图的结果可知室温（303K）且偏压较低时,电流随着电压呈指数关系增长。W／SiC肖特基势垒二极管的开启电压约为0．2V;偏压较高时,电流增加缓慢,串联电阻效应明显。模拟值表明反向电流数值比正向数值小几个数量级,     

色噪声对约瑟夫逊效应中伏安特性曲线的影响

在小电容条件下，研究了热噪声（当作色噪声处理）对约瑟夫逊效应中伏安特性曲线的影响，得到了考虑噪声关联时间后的影响使得约瑟逊结上平均电压减小的结论。     

二极对管的变频C—V和G—V研究

用自制的变频C-V和G-V测试系统研究了二极对管的C-V特性及其随频率变化的关系.发现结电容随频率的降低而明显增大,并伴有反常的尖峰出现.分析表明,半导体中的深能级杂质在低频下对结电容有显著影响.本文中还探讨了结电导—电压特性以及结电导对结电容测量的影响.     

一种高压大电流半导体放电管的研究

针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法。实验结果表明,通过镓扩散、台面刻槽、玻璃钝化和钛镍银多层金属化等工艺,提高了放电管的启动保护电压和最大浪涌电流,其最大浪涌电流达到6 kA,比设计值5 kA提高了20%。     

用光探针法测量表面复合速率

通过系统的研究分析,建立了应用光探针的光电（ＰＣ）测量方法,应用镜像法和点源产生近似原理建立了物理模型,并进行了系统的理论分析．导出了光电流与表面复合速率相应关系的计算公式,确定了可进行电量测量的实验装置．采用此方法,测量了台面型高压硅半导体器件的无机钝化和有机保护界面的表面复合速率．通过测量结果和计算结果的归一化比较,获得了其表面复合速率．