关于LAP晶体的分子基团和主要性能关系的研究

本文论述了探索紫外有机非线性光学晶体中关于分子基团选择和结构的基本原则;较详细地分析了 LAP 晶体中的分子基团及其排列方式,报道了 LAP晶体的一些主要性能参数,还对分子基团和晶体性能之间的关系进行了讨论。     

我校的新材料研究又有新的突破——三种达国际先进水平的晶体通过技术鉴定

1986年3月28日,在国家教委和山东省科委联合组织鉴定会上,二十多位教授、专家对我校晶体材料研究所研制成功的精氨酸磷酸盐(LAP)、硼酸铝钇钕(NYAB)和新型热释电晶体(ATGSAs)给予了很高评价。这三种晶体的研制成功,表明我国的晶体生长已从单纯模仿、赶超外国人的发明,发展到可以自己创造性地探索新材料领域的阶段。     

复杂结构无机晶体的可控合成

文章介绍了晶体形状的形成机理并综述了复杂结构无机晶体的可控合成方法.晶体形状是由其生长习惯和分形生长确定的,液相合成利用实验条件调整晶体本身的生长习惯,被证明是复杂结构无机晶体最广泛使用也是最成功的合成方法之一;电沉积法由于可以随意地设计晶体的生长条件和生长环境,同时可以随时停止和随时重新开始结晶,为探讨复杂微结构的结...     

硫酸三甘氨酸及其同晶的完整性研究

本文借助于x——射线形貌术系统地研究了TGS、DTGS、DATGS的完整性。实验表明:TGS、DTGS、DATGS的缺陷构形相似;在晶体中存在位错、包裹体、沉积物,沉积到和微包裹体缀饰的生长条纹;在DATGS晶体轴两端均有一双晶。DTGS、DATGS晶体的完整性不如TGS。在生长出的晶体中大部分起源于晶体的位错成束类聚,在对应于晶种生长方向的投影区域定域。因此在晶体中可以有一体积区域无位错。最后,讨论了生长缺陷和生长条件的关系,并指出了生长高质量晶体的径途。     

带锥台托盘KH2PO4晶体生长与位错分布

利用光学显微镜对采用锥台托盘及传统平托盘生长的晶体进行位错腐蚀观察，发现锥台托盘生长的晶体上半部分位错分布与平托盘生长的晶体相似，部分区域位错密度低于平托盘生长的晶体。对于锥台托盘生长的晶体下半部分，其柱面位错缺陷很少，位错集中在与锥台直接接触的下锥面。下锥面的存在阻止了柱面底部新位错的形成，为柱面生长提供了更好的生长条件。硬度分析表明使用锥台托盘一定程度上提高了晶体结晶完整性。     

静电场下有机晶体TTF—TCNQ研究

为了弄清重力对有机晶体和聚合物形成的影响,本文采用静电悬浮法研究了ＴＴＦ－ＴＣＮＱ晶体的生长情况．结果表明,在高压静电场下生长的ＴＴＦ－ＴＣＮＱ晶体的尺寸、热稳定性和质量均比没有施加电压下生长的ＴＴＦ－ＴＣＮＱ晶体要好     

LiTaO_3单晶的层向生长机制

对 LiTaO_3单晶的生长机制进行了理论分析。根据提拉法生长条件下的温度分布,预料该晶体的主要生长机制是层向生长,并得到了实验证实。讨论了晶体生长的过程和机制后指出,凡是提拉法生长条件下表面出现生长棱的晶体,均具有层向生长机制。     

坩埚液面下降速率的计算方法及其应用

本文首先给出用恰克拉斯基法生长晶体时计算坩埚液面下降速率的方法.接着应用该方法的计算结果,准确地求出了晶体的实际生长速率和对晶体的生长史进行了研究.同时,对坩埚熔体的动态轴向温度梯度进行了估算.     

低腐蚀隧道密度压电石英晶体

小型化高频器件的发展 ,需要一些低隧道密度压电石英晶体 .本文分析了低隧道密度石英晶体的特点 ,用水热法生长了低隧道密度石英晶体 .报道了生长这种晶体的工艺条件 ,对产品的性能进行了测试 .讨论了工艺和技术条件对产品质量的影响 .     

二维DNA晶体在水-甲醇体系中生长的研究

报道了一种新的DNA晶体的生长体系,即甲醇-水(甲醇体积比50%)体系.甲醇-水体系是DNA晶体生长较宽松、容易的环境.TEM和AFM观察到在甲醇-水体系中生长的DNA晶体比在水中生长的DNA晶体更大,而且DNA晶体的构象发生了明显的变化,可能存在有B-,A-和Z-3种构象.     

LiNbO3晶体小面生长动力学的实验研究

按同成分配比的ＬｉＮｂＯ３的原料中，掺入溶质钇，用提拉法生长晶体时，人为地引入生长层，生长层记录了不同时刻的生长界面形态，借以追溯生长过程中固－液界面的形态和演变过程。晶体沿Ｙ轴生长，ＬｉＮｂＯ３晶体形成小面的｛０１１２｝面族中的（０１１２）面与生长轴的夹角最小，它与凸的固－液界面相切时，形成小面生长区。利用“倾倒法”使晶体和熔体快速分离，在晶体底部观察到平坦的（０１１２）面小面生长区。通过不同的晶体截面，观察了晶体内（０１１２）面小面生长区的形态。测量了小面半径与相应的固－液界面的曲率半径。结果表明：小面半径的平方与相应的固－液界面的曲面的曲率半径成比例，这一结果与小面生长的动力学理论预言的结论相一致。最后讨论了小面生长机制，计算了小面生长比非小面生长所需要增加的过冷度。     

水热条件下影响晶体生长的因素

着重对水热法生长晶体过程中的影响因素进行了分析.高压釜内温度分布、溶液(或溶剂)填充度、浓度和pH值、杂质等会对生成晶体的形状、结构、颜色、生长速度、晶体缺陷和晶体质量产生影响.     

流化床中氯化钠结晶动力学实验研究

根据流化床作用原理,实验得到氯化钠晶体在流化床内的生长速度分别与晶体粒径、溶液流量和过饱和度之间的关系,初步建立了氯化钠结晶生长动力学模型。     

低量浓度掺杂La~(3+)对KDP晶体生长质量的影响

在低浓度掺杂下,利用溶液降温法生长了KDP晶体和掺杂不同量浓度三价La3+的KDP晶体。通过对未掺杂KDP晶体和掺杂La3+生长的KDP晶体对比研究发现,随着La3+离子掺杂量浓度的增加,抑制了柱面的扩展,减慢了KDP晶体生长速度,但是提高了生长溶液的稳定性,同时减少了晶体中缺陷的产生。对晶体柱区进行显微硬度的测量发现,随La3+离子掺杂量浓度的增加,晶体的致密度降低;用紫外/可见分光光度计在200~800 nm波段对样品柱区做了透过率测定,发现低量浓度(La3+≤4×10-3mol/L)的La3+掺杂可以提高KDP晶体在紫外波段的透过率,改善晶体的质量。     

富勒烯晶体的液相生长和形貌

进行了不同条件下富勒烯晶体的液相生长，探讨了它的生长过程，分析了生长富质量晶体的条件，获得了宏观量级的单晶；用扫描电镜研究了所出现的各种形貌，并用透射电镜分析了晶体的结构，有完整无缺陷的单晶生成。     

对接籽晶法生长鄰苯二甲酸氢铊单晶体

本文介绍了一种按晶体点阵匹配的原则将两块邻笨二甲酸氢铊单晶体对接起来作为生长籽晶的方法．并对用这种对接籽晶培养出来的晶体进行了质量检测．包括：是否单晶的鉴别、（００１）面位错密度的观察和晶体在电子探针谱仪上应用参数的测量，检测结果表明对接籽晶生长的邻苯二甲酸氢铊晶体和用完整籽晶生长的邻苯二甲酸氢铊晶体在质量上无明显差别．     

生物膜孔模版中多形态ZnO纳米结构的生长及性能

以天然鸡蛋壳膜为模版,Zn(NO3)2乙醇溶液为溶剂,将鸡蛋壳膜在室温下(T=300 K)经过溶剂浸泡,然后叠放一定层数进行退火处理,生长出ZnO纳米晶体.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光谱仪分析了ZnO纳米晶体的形态、结构和荧光特性,研究了纳米晶体的生长模式,讨论了叠膜层数对其生长模式和形态的影响.鸡蛋壳膜孔中生长的ZnO纳米晶体为六方纤锌矿结构,纳米晶体的尺寸和形态依赖叠模版的层数.叠放单层模版,模版容易发生卷曲,使其中生长的ZnO颗粒自组装成管状;叠放多层模版,模版之间的相互限制控制了ZnO的生长方向,使ZnO颗粒趋向于聚集成致密的六角形片状形态.ZnO颗粒的尺寸随膜层的增加而减小,各种形态的ZnO纳米晶体都具有强的紫外荧光.     

低掺磷YPxV1-xO4单晶的生长与性能

用提拉法生长了四方锆石型YPxV1-xO4(x≤0.15)晶体.对晶体中P元素浓度的测定结果表明,YPxV1-xO4单晶可以按化学计量比生长.测定了晶体的晶胞参数、折射率和激光损伤阈值.晶体在400～3000nm波长范围的透过率达到80%且无吸收峰,而且,晶体几乎不发出荧光.综合各项测试结果可以推论:YPxV1-xO4晶体适于作为稀土离子的激光基质晶体.     

一种固相中生长尿素晶体的新方法

尿素晶体的生长方法种类较多,多是在溶液中进行.本文介绍了一种固相中生长尿素晶体的新方法,以固体化肥颗粒作为载体,腐植酸、蘑菇渣提供生长环境,在溶剂辅助的作用下,室温生长得到针状尿素晶体.在晶体生长过程中,环境通过提供微通道、化学吸附与物理吸附等作用,促进了尿素晶体的形成,溶剂的挥发为晶体生长提供了伸展向颗粒表面的牵引力,最终晶体在固相中沿着孔径生长.得到的晶体最长约为1.5 cm,平均长度在2 mm~3 mm之间.     

点状籽晶法生长KDP晶体的(100)面位错分布

通过光学显微镜对点状籽晶法生长的KDP晶体（100）面位错蚀坑的观察和分析,发现柱区的位错线走向不同于片状籽晶法生长的晶体。晶体的位错主要来自籽晶的位错。通过籽晶成锥-微溶-生长的过程可以减少籽晶锥区位错向晶体中的延伸,在晶体内部,当两条夹角很小的位错线相交时会合并成一条位错线。