交流磁场作用下弥散硬化埃林瓦合金中的负△E效应

一、前言 铁磁性金属和合金的杨氏模量E由于试样被磁化而产生变化,这种现象称为△E效应.在弱磁场范围,试样因磁化其E值减小或△E/E为负称为负△E效应.文献[1,2]研究了纯金属Ni在直流和交流磁场作用下的负△E效应,文献[3]研究了直流磁场作用下弥散硬化     

稀土正铁氧体RFeO_3中的磁化开关效应

磁化开关效应(也称自旋开关效应),是指RFeO_3中稀土离子磁矩或铁离子磁矩在特定的外场和温度下发生180°翻转的现象,且由于材料体系中稀土离子的不同而呈现出多种表现形式。文章对稀土正铁氧体RFeO_3体系中的磁化开关效应进行分类讨论,并详细讨论磁化开关现象发生前后,稀土离子磁矩和铁离子磁矩两种亚晶格的磁构型,以及外磁场对磁化开关效应的调控。     

一个新的多元负指数分布族

若X服从负指数分布,记作X～E(λ),λ>0为参数。由于负指数分布的重要性,已有各种形式的多元推广,本文是一种新的推广,并较彻底地研究了有关性质。     

一种新型负折射率微波媒质的设计与仿真模拟

提出了以外加磁场作用时磁导率为负的亚铁磁材料-YIG为基体, 在其中嵌入等效介电常数为负的金属导体线周期阵列结构构造出负折射率微波媒质的新方法. 设计了一种C/X波段负折射率微波媒质, 并利用基于三维时域有限积分法的电磁场仿真程序模拟了复合媒质的电磁特性. 仿真结果表明, 在导体线周期阵列结构的等效介电常数为负的7.02~9.80 GHz频带与基体YIG等效磁导率为负的5.22~8.14 GHz频带相重叠的7.51~8.13 GHz带宽内, 入射电磁波能通过复合媒质, 并在复合媒质与常规正折射率媒质的交界面处发生了负折射现象, 证实了复合媒质在该带宽内等效折射率为负, 验证了新型负折射率微波媒质设计方法的可行性.     

电子束通过磁化等离子体辐射光

自由电子通过慢波结构时,原则上可以产生光频辐射,例如Smith-Purcen效应,但是,这并没有实用价值,这是由于它要求电子束紧贴光栅表面通过时方有高耦合率,从而效率很低或要求电子束通过高折射率介质(Cerenkov效应)从而使介质损伤。为克服上述困难,可以考虑电子束通过等离子体,这就要求等离子体对电磁波的折射率大于1,有外加磁场的磁化等离子体可以满足这个要求。     

大肠杆菌E.Coli B/r和Bs-1生物学一次击中探测器的Thindown效应

Sch(?)fer等人用重离子O～U能量从1.5～19.5 MeV/u轰击E.Coli B/r和Bs-1生物样品,测量了它们的重离子失活截面,观察到了截面随入射离子的能量减小,阻止本领增加而减小的现象,即Thindown现象.最近,Katz和Zachariah所做的10MeV/u由He至Ar的离子对E.Coli作用截面的计算表明,E.Coli是一次击中探测器,报道的是对低原子序数和低LET离子的辐射响应,在这种情况下Thindown现象并不出现.由于E.Coli一类细菌的构造远比哺乳动物细胞简单,所以研究这些细菌的辐射效应显得更有意义.Thindown效应对辐射作用模型研究有重要意义.     

稀土永磁材料的发展及展望

<正> 1永磁材料概况1.1永磁材料的性能特征 磁性与电性一样是物质的基本属性之一。物质的磁性根据其不同的特点,可以分为弱磁性和强磁性两大类。弱磁性仅在具有外场的情况下才表现出来,并随着磁场增大而增强。强磁性主要表现在无外加磁场时仍存在自发磁化。有限大物质的自发磁化通常被分成若干小区域,不同区域的自发磁化强度方向不同以使体系的静磁能最小。这些小的区域称为磁畴。在     

图与其补图覆盖数间的关系

对图G(V,E),,使得V∪E中的任一元素或在A_T中,或与A_T中的元素相邻,或与A_T中的元素相关联,则称A_T为G的全覆盖;G中元素数最少的全覆盖,称为G的最小全覆盖;G的最小全覆盖中的元素数,称为G的全覆盖数,并简记作α_T(G) 设α(G)、α′(G)分别表示图G的(点)覆盖数、边覆盖数,G~c表示G的补图,则     

围绕霍尔效应的那些概念

<正>霍尔效应:此为电磁效应的一种,是美国物理学家霍尔于1879年发现的。在一个通有电流的导体中,如果施加一个垂直于电流方向的磁场,由于洛伦兹力的作用,电子的运动轨迹将产生偏转,从而在垂直于电流和磁场方向的导体两端产生电压,这个电磁输运现象就是著名的霍尔效应。产生的横向电压被称为霍尔电压,霍尔电压与施加的电流之比则被称为霍尔电阻。由于洛伦兹力的大小与磁场成正比,所以霍尔电阻也与磁场成线性变化关系。与量子霍尔效应相关的发现之所以屡获学术大奖,是因为霍尔效应的功能在许多技术设计中都十分重要。人们日常生活中常用的很多电子器件的设计原理都来自霍尔效应,仅汽车     

FeCrSiB纳米晶薄膜中的纵向和垂直巨磁电感效应

材料的交流阻抗随外加直流磁场的改变而变化的特性称磁阻抗效应.1992年日本名古屋大学毛利佳年雄教授等人最先报道了这一现象.最初对这一效应研究得最多的是具有零或负磁致伸缩系数的钴基非晶态软磁合金细丝,特别是长度只有几毫米的小尺寸细丝.当丝通以高频电流时,丝两端感生的电压振幅随沿丝长方向所加外磁场强度的改变而变化,这种变化无磁滞效应,是快响应、高灵敏度的.对这种特别大的磁阻抗效应人们称之为巨磁阻抗效应.在趋肤效应可以忽略的低频情况下,阻抗中的电阻分量受外磁场影响很小,交流电压的磁场关系主要来自细丝的电感分量,因而这时称巨磁电感效应.由于巨磁阻抗效应在交流磁传感器件中有着广阔的应用前景,因而它一出现就受到了人们的重视,目前所研究的材料品种已扩大到非晶薄带和薄膜中,而纳米晶合金薄膜中的巨磁阻抗效应至今还未见报道.     

GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As短周期超晶格中负微分电导效应的观察

1970年,Esaki和Lsu提出了半导体超晶格的概念,旨在获得一个全新物理范畴的电子性质.由于超晶格中电子态之间的耦合,导致微带形成,载流子在这些微带中的输运将展现出新的物理现象,例如,Esaki和Lsu所预言的负微分电导效应.然而,后来在超晶格中载流子纵向输运实验上所观察到的低温条件下的负微分电导效应是由于高场畴或者级连共振隧穿引起的.最近,Sibille等人在GaAs/AlAs短周期超晶格中在室温条件下观察到Esaki-Lsu所预言的负微分电导效应.在本文中,我们给出了GaAs/Al_0.3Ga_0.7As短周期超晶格在300K和77K温度下的微带输运实验结果,两个温度下的实验数据均表现出清楚的负微分电导效应,而且77K温度下的微带电导明显地大于300K下的微带电导,这与理论的预言是相符的.     

Melnikov猜想Δ=4情形的一个证明

设Ｇ为一个平面图,Ｖ(Ｇ),Ｅ(Ｇ),Ｆ(Ｇ),δ(Ｇ)和Δ(Ｇ)分别表示Ｇ的顶点集合、边集合、面集合、顶点最小度和最大度.ＮＧ(ｕ)为点ｕ在Ｇ中的邻集,Ｇ[Ｓ]为Ｇ中由ＳＶ(Ｇ)导出的子图.Ｇ中的一个3圈Ｃ3称为Ｇ的一个分离三角形,如果Ｃ3的内部和外部均含有Ｖ(Ｇ)\Ｖ(Ｃ3)中的顶点.Ｇ的边面全色数χｅｆ(Ｇ)是使得集合Ｅ(Ｇ)∪Ｆ(Ｇ)中的相邻或相关联的元素均染为不同色的最少颜色数.由定义,χｅｆ(Ｇ)≥Δ(Ｇ)是显然的.另一方面,Ｍｅｌｎｉｋｏｖ猜想[1]:对任何简单平面图Ｇ,χｅｆ(Ｇ)≤Δ(Ｇ) 3.文献[2,3]给出了下面结果:定理1　若Ｇ为Δ(Ｇ…     

磁化油燃烧效率的研究

自1973年石油危机以来,从世界范围来看,节约能源已引起极高的重视。除发展新能源之外,改进雾化并提高燃料油的燃烧效率也是一个极重要的方法。柴油通过强磁场的过程称为磁化。油是一种反磁性物质。它没有磁矩。在它通过磁场或磁场和电场时,油分子的基本粒子——电子在磁场或电场和磁场的诱导下产生瞬时极化,产生一个瞬时诱导磁矩。诱导磁矩的产生使原来的平衡状态被破坏,引起分子以直角互相排斥,减弱了分子间互相作用的静电力,增强了油粒子的雾化能力,改善了油的燃烧性能。     

冷变形和回火对Fe-Mn基合金ΔE/E-T曲线的影响

一、前言 Fe-Mn基合金由于在低于反铁磁转变点T_N产生因瓦和埃林瓦效应,加之该类合金不含或少含贵重稀缺元素,在研制无磁低膨胀和无磁恒弹性合金中一直受到重视。在合金成分确定的情况下,冷变形压下量和回火温度对扬氏模量及温度系数影响的系统性研究,至今见之不多。本工作系统地研究了冷变形和回火对Fe-Mn基合金的△E/E-T曲线影响,为选择最佳制备工艺在室温附近的一定温度范围内获得无磁恒弹性特性提供了依据。     

电场调控铁电/铁磁异质结构的磁性

随着大数据时代的到来,具有非易失性、高读写速度、高存储密度、低功耗和微型化的存储器成为了未来信息存储发展的主要趋势.尽管有多种信息存储方式,利用磁性材料磁化翻转的磁存储依然是当下信息存储的主体.在磁信息存储的过程中,相比于磁场和电流驱动的磁化翻转,在铁电/铁磁异质结构中利用电场调控铁磁性材料的磁化翻转具有高存储密度、低能耗、局域化和高效率等优点.铁电/铁磁异质结构磁性的电场调控也因此成为了当前研究的热点之一.本文系统地回顾了兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室在铁电/铁磁异质结构的磁电耦合效应研究方向的进展:实现了电场作用下铁磁层材料磁矩的挥发性或非挥发性翻转,多态高密度存储,外延单晶铁磁层薄膜磁性的多场调控,磁化动力学性能以及自旋波(磁子)的电场效应,并讨论了未来多场可控自旋电子学的发展趋势.     

荫度与独立数、覆盖数的关系

定义1对图G(V,E),由V中互不相邻的点组成的一个集合,称为G的一个独立集;而β(G)=max{|B||B为G的独立集}     

Alq3有机发光二极管中的超小磁场效应

制备了基于Alq3的有机发光二极管,器件结构为ITO/NPB/Alq3/LiF/Al,并在不同温度测量了器件在不同偏压下传导电流与电致发光的磁场效应.在较大的磁场范围内,磁电导曲线基本服从B2/(|B|+B0)2规律.而在零场附近很小的磁场范围内,测量结果显示出奇特的超小磁场效应.考虑载流子自旋与有机分子中核自旋之间的超精细相互作用对载流子自旋的调控,可以对这种零场附近的超小磁场效应给出合理解释.     

关于两类图的整和数

本文中的图均指无向简单图,以N,Z分别表示全体自然数及全体整数集合.对子集S(?)Z(N),S上的整和(和)图定义为图G=(S,E),满足条件对u,v∈S,uv∈E当且仅当u v∈s.此时,S称为G的一个整和(和)标号.一个图称为整和(和)图,如果它同构于某一子集S(?)Z(N)上的整和(和)图.容易验证,对一个有m条边的n阶图G,G∪mK_1是一个和图,只需标定G的顶点为2~i,1≤i≤n,同时对v_i,v_j∈E(G),标定对应的孤立点2~i 2~j即可.因此,对每一个图G,存在一个最小的非负整数r,使G∪rK_1为和图,记σ(G)=r,并称为G的和数.图的整和数ξ(G)类似定义,只是标号范围放宽到整数集上.容易看到ξ(G)≤σ(G).     

图与补图的n-全色数

定义1 对图G(V,E)和自然数n,对其长度不大于n的路上所有点(或所有边、或所有点和所有边)均染为不同色,其所用颜色的最少数目称为G的n-色数(或n-边色数、或n-全色数),简记作X_n(G)(或X′_n(G)、或X_n~T(G))。     

负吸收介质法卜利-白洛干涉仪

光在非吸收或正吸收分层介质中传播的理论,M.Born等有过简明而概括的描述。其目的是为解释各种薄膜光学现象提供一个理论基础。现在看来,只耍引进负吸收介质的概念,受激光发射器可以看作是一块由非吸收、正吸收及负吸收介质组成的分层介质,也是一个具有负吸收介质的F—P干涉仪。它可以是非吸收(多层)——负吸收——非吸收(多层)类型,也可以是正吸收——负吸收——