高介电常数HfAlO氧化物薄膜基电荷俘获型存储器件性能研究

利用原子层沉积方法制备了高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件,并对器件的电荷存储性能做了系统研究.利用高分辨透射电子显微(HRTEM)技术表征了(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜的形貌、尺寸及器件结构.采用4200半导体分析仪测试了存储器件的电学性能.研究发现,存储器件在栅极电压为±8V时的存储窗口达到3.5V;25℃,85℃和150℃测试温度下,通过外推法得到,经过10年的数据保持时间,存储器件的存储窗口减小量分别为17%,32%和48%;(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件经过105次写入/擦除操作后的电荷损失量仅为4.5%.实验结果表明,利用高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜作为存储层能够提高器件的电荷俘获性能,具有良好的应用前景.     

基于复合封装薄膜的水汽透过率测试系统研究

基于活泼金属(钙、镁)电学法设计研发了用于老化测试环境下的水汽透过率测试仪器,测试精度达到10-6 g·m~(-2)·d~(-1).利用本测试仪器测试了不同叠层次数的Al_2O_3/ZrO_2复合薄膜的水汽透过率,结果表明,多次叠层后的Al_2O_3/ZrO_2复合薄膜的水汽阻隔性能得到了较好提升.     

热处理对以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响

采用阳极氧化法制备了Al_2O_3绝缘材料,并制备了以Al_2O_3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管器件(OTFT)。Al_2O_3绝缘层经过10 min 350℃氢热处理后,OTFT迁移率比未经氢热处理的增大近20倍,且阈值电压降到了-7 V。Al_2O_3膜MIS结构电容—电压(C–V)特性的平带电压平移量数据表明,Al_2O_3膜经过热处理后,并五苯半导体与Al_2O_3绝缘体界面处以及绝缘体内缺陷态密度显著地降低,Al_2O_3绝缘层和并五苯半导体层之间的接触得到改善,这使得经热处理Al_2O_3膜的OTFT器件性能得到显著的改善。     

MNOS存储晶体管的研制

用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10~(-2)至10~(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。经测试,这种晶体管阈值窗口可设置在6V,对于管子处于高导态时,保留时间为10~3min,闽值电压变化的典型值为1V;当管子处于低导态时,其保留时间为3×10~3min 时阈电压变化的典型值为0.2V。这种存储管可擦写的次数为10~5以上。表明存储晶体管具有良好的器件特性。     

ZrO2改性Al2O3纳米介孔材料性能研究

采用化学沉淀法制备了ZrO_2、Al_2O_3与ZrO_2-Al_2O_3材料,利用X射线衍射分析考察了焙烧温度对材料的结构性能的影响;利用ZXF-6型自动吸附仪分析了ZrO_2与Al_2O_3之间的相互作用对织构性能的影响;利用氨气程序升温脱附测试了各材料酸性位和酸量大小及其变化.结果表明,ZrO_2和Al_2O_3之间的相互作用对结构性能和织构都有稳定作用,1 000℃高温老化后的ZrO_2-Al_2O_3以四方相的ZrO_2和γ-Al_2O_3两种物相存在,比表面积为88 m2/g,孔容为0. 22 m L/g,孔径为9. 8 nm,属于纳米介孔材料.新鲜材料表面酸性大小排列顺序为,ZrO_2Al_2O_3ZrO_2-Al_2O_3,老化后的ZrO_2-Al_2O_3表面酸性不稳定,有待继续改进.     

叠层有机电致发光器件中电荷产生层的优化

叠层结构应用到有机电致发光器件中,可以显著的提高器件的性能,尤其是电流效率。在叠层结构中,电荷产生层发挥着及其重要的作用,因此对电荷产生层的优化具有重要的意义。我们通过一系列试验,确定了电荷产生层合理的参数为:由掺杂Li的BCP和V2O5层共同组成,其中BCP掺杂2%的Li,V2O5的厚度为30nm。     

二氧化锆增韧三氧化二铝陶瓷的显微结构与性能的研究

本文对ZrO_2增韧Al_2O_3陶瓷的7种成分(ZrO_2含量分别为0、5、10、15、20、3045wt%,其中Y_2O_3为3mol%)进行了对比性研究。试验表明:在所研究的Al_2O_3-ZrO_2(Y_2O_3)系陶瓷中,在Al_2O_3中加入ZrO_2(Y_2O_3)可以有效地提高其强韧性,并在15-20wt%ZrO_2时出现峰值;几种增韧机理中显微裂纹增韧起主导作用;在Al_2O_3-ZrO_2系中,ZrO_2的加入可以明显阻止Al_2O_3基体相的晶粒长大;在Al_2O_3基体中,ZrO_2粒子的分散有两种形态,其形成机理也不同。     

Al_2O_3掺杂对立方ZrO_2材料性能的影响

本文探讨了Al_2O_3掺杂对立方ZrO_2材料电性能和抗热震性的影响.试验中,用X射线衍射分析和扫描电镜观察发现:立方ZrO_2材料的电导率随Al_2O_3含量的增加而下降,但不改变其离子导电的机制;Al_2O_3明显地改善了材料的抗热震性.文中对于这些性能变化的微观机制作了初步分析.     

利用固体电解质浓差电池测定冰晶石-氧化铝熔体中Al_2O_3的活度

利用固体电解质(ZrO_2+CaO)作为氧离子导体组成浓差电池:Pt(O_2吸附)|Na_3AlF_6+Al_2O_3(饱和)|ZrO_2+CaO|INa_3AlF_6+Al_2O_3(N_2)|Pt(O_2,吸附),测定了冰晶石-氧化铝熔体中Al_2O_3的活度并根据测定结果对Al_2O_3加入冰晶石熔体中所生成的新离子数目及其对Al_2O_3分解电压的影响,进行了讨论。     

不同氛围溅射HfO_2栅介质薄膜的电学性能和界面微结构

本文研究了不同沉积氛围(纯Ar,Ar+O2和Ar+N2)中射频磁控溅射制备HfO2薄膜的介电性能和界面微结构.实验结果表明在纯Ar氛围室温制备的HfO2薄膜具有较好的电学性能(有效介电常数ε-r～17.7;平带电压～0.36 V;1 V栅电压下的漏电流密度～4.15×10-3 A cm-2).高分辨透射电子显微镜观测和X射线光电子能谱深度剖析表明,在非晶HfO2薄膜和Si衬底之间生成了非化学配比的HfSixOy和HfSix混合界面层.该界面层的出现降低了薄膜的有效介电常数,而界面层中的电荷捕获陷阱则导致薄膜电容-电压曲线出现顺时针的回线.     

铁基形状记忆合金及其记忆效应

论述了铁基形状记忆合金的研究进展和记忆效应,对六种铁基记忆合金的特性作了简介。提出了尚待解决的问题和对今后发展的看法。     

中枢记忆性T细胞和效应记忆性T细胞

免疫记忆是适应性免疫应答的重要特征,其细胞学基础的阐明是疫苗开发和疾病预防的关键。近年来的研究表明,记忆性T细胞可以被进一步划分为中枢记忆性T细胞和外周记忆性T细胞2个亚群,它们的分布和功能迥异,在生物学特性上也不尽相同。二者关系的深入探讨对于免疫记忆的认识和疾病防治均具有重大的理论和实践意义。     

Fe-Mn-Si基形状记忆合金的记忆性能

研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金和Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｎｉ合金的记忆性能—回复率和回复力．结果表明：Ｃｒ，Ｎｉ元素明显提高回复率和回复力．两种合金的回复率随淬火温度升高而增大，在７００～８００℃达到最大值，以后随淬火加热温度进一步升高而降低．回复率随预变形量增加而降低．在预变形—加热回复的循环过程中，回复率发生降低，３０次后趋于稳定．预变形量小于２％时，回复力随预变形量增加而增大；预变形量大于２％后，回复力增加缓慢     

Flash Memory程序存储器实验的设计

介绍了FLASH存储器芯片W29C011A的读写操作和软件数据保护方法，设计了基于52单片机实验系统的FLASH存储器实验项目，在不用编程器的条件下，利用FLASH存储器的ISP功能将机器码写入FLASH存储器芯片，实现程序存储器功能。     

内隐还是外显记忆: 对女性面孔吸引力记忆偏好的ERP研究

运用事件相关电位(ERPs)技术, 采用学习-再认的实验范式, 考察38名大学生(21名男生和17名女生)对女性面孔吸引力再认记忆的认知神经机制。结果发现大学生对女性面孔吸引力的记忆偏好存在性别差异, 再认任务中有吸引力的女性面孔诱发了男性更负的早期ERP成分(N90, N220和N300), 而对女性的效应并不显著。这可能与两性在遗传基因、性激素、大脑结构与功能上的不同有关。进一步对男性的记忆特点进行分析发现, 内隐记忆效应在N80和LPC(300~600 ms)上表现显著, 其最强效应出现在中央区和顶区; 外显记忆效应在P170和LPC(400~600 ms)上表现显著, 其最强效应出现在前额区和额区。表明男性对有吸引力女性面孔的记忆偏好效应更大, 且内隐和外显记忆的脑机制在单一的再认任务中产生了分离。     

内存池在Vxworks系统内存管理中应用

实时性、可靠性是嵌入式应用使用自己的内存管理程序的要求。概要地分析了嵌入式操作内存管理的实现原理,在此基础上详细阐述内存池的算法,并描述了它的实现方法。     

结构与记忆--兼论化学学习方法

1 物质结构与性质认识、记忆的关系 学生在化学学习中普遍存在着“化学缠”的问题,即学生并非根本不会,但是总觉得模糊不清,头绪不明。这种现象反映出学生对化学学习既缺乏科学的方法,又缺乏对化学学习规律的整体认识。实际上中学化学教材中,物质结构理论像一根红线贯穿教材始终。结构决定性质,性质反映结构,存在、制备、用途又反映出物质     

"记忆大师"揭秘记忆之谜

现年46岁的英国人多米尼克·奥布雷恩(DominicO’Brien),曾八次获得世界“记忆大师”的称号。在接受一家德国杂志采访时,他向人们介绍了记忆的技巧以及训练记忆力的方法。他认为,记忆的关键在于想象。没有想象力,记忆力便无从谈起。人在青少年时期想象力非常丰富,所以对各种童话和圣诞老人等都深信不疑。使用脑电图仪对青少年的大脑活动进行研究发现,在这一时期,大脑α波和θ波的活动非常强。这两种波运动缓慢,主要是在人做梦或回忆时出现。从上学开始,尤其是当人主要进行理性思维时,大脑中出现的则是另一种运动速度较快的脑波,即β波。奥…     

基于脑电信号分析的正确记忆与错误记忆的差异性

人们在生活中经常会产生漏报等错误记忆,区分出产生正确记忆与错误记忆的大脑运行认知机制,对提高人类正确记忆发生率、抑制错误记忆产生以及改善患者记忆障碍问题等具有重要的意义。基于脑电信号探索正确记忆与错误记忆的差异性,能更全面地理清人脑活动过程中正确记忆与错误记忆加工机制的异同。设计了基于Deese-Roediger-MC-Dermote(DRM)范式的改进的脑电实验,采集被试的脑电数据,探究正确记忆与错误记忆的差异性。采用时频域分析的方法分别对δ、θ、α、β、γ波进行了差异分析,对具有显著差异的频段采用皮尔逊相关方法分别构建脑功能网络,并对脑网络特征属性进行了对比分析。结果表明：大脑前顶区错误记忆θ、α₂波能量谱密度显著大于正确记忆(P<0.05)。对脑网络的分析结果显示,大脑前后额区、后顶区θ、α₂波脑功能网络连接正确记忆显著多于错误记忆;正确记忆θ、α₂波节点度均显著高于错误记忆,α₂波聚类系数正确记忆显著高于错误记忆;正确记忆与错误记忆θ、α₂波介数中心度均无显著差别...