150 keV电子辐照下SiO_2玻璃的性能及其缺陷演化规律

研究150 ke V电子辐照下SiO_2玻璃的性能及其缺陷演化规律.光学和电学性能分析结果表明,随着辐照注量的增大SiO_2玻璃的光谱透过率和平均电阻逐渐下降.电子顺磁共振谱和红外光谱分析结果发现,150 keV电子辐照下SiO_2玻璃内部产生E'-center类型的缺陷,这是150 keV电子辐照下SiO_2玻璃光学性能发生退化的主要原因.     

掺铝氧化锌透明导电薄膜生长及光电性质研究

采用磁控溅射在载玻片上制备掺铝氧化锌AZO透明导电薄膜,并用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,四探针电阻率测试仪测量样品的方块电阻和电阻率,分光光度计测量薄膜透射率.结果表明当功率、温度、氢气掺杂比为200 W、300℃、8%时,制备的AZO薄膜具有最小的方块电阻和电阻率,且在可见光区域内透射率均超过80%.     

电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池短路电流退化机制研究

应用PC1D程序拟合1 Me V电子辐照后Ga In P/Ga As/Ge太阳电池的光谱响应得到少数载流子扩散长度随辐照电子注量的变化关系.结果表明:少数载流子(少子)扩散长度随辐照电子注量增加而减小,少数载流子扩散长度的缩短是太阳电池短路电流退化的主要原因.     

对三维沟槽电极硅探测器漏电流的仿真与模拟

该文研究了漏电流对三维沟槽电极硅探测器性能的影响.由扩散电流、产生电流和表面漏电流三部分电流构成的探测器漏电流在不同情况下受各种电流影响不同.漏电流是影响探测器性能的一个重要因素,在探测器的制造过程中,或者受到辐照以后,会在探测器中形成一系列缺陷,特别是在探测器受到辐照以后,由于深能级缺陷引起的漏电流会显著增加.由仿真可以看出,随着在负极(沟槽壁)上加的电压逐渐增大,漏电流会显著增大,直到漏电流达到饱和.在仿真中主要考虑的是产生电流的影响,其大小主要由耗尽区域的体积决定.     

丙酮在分子筛中吸附的模拟研究

挥发性有机化合物(VOCs)是当前诱发雾霾天气的主要污染物之一,其不仅会造成人体出现癌变、畸变,还会与其它污染物反应形成光化学烟雾.丙酮是VOCs的一种,其排放需受到严格控制.研究了孔道结构和压力对丙酮吸附过程的影响,从分子层面解释了其在CHA,BETA,MFI,STT分子筛孔道结构中的吸附规律.结果表明,在室温饱和蒸汽压范围内,丙酮分子在低压下并不吸附于分子筛中,只有当压力超过某一压力后,才开始发生物理吸附现象,并且随着压力的增大吸附量急剧增大,之后逐渐趋于饱和;丙酮在分子筛内部的吸附量随孔隙率的增大而增大;对于CHA和STT等笼型分子筛,丙酮主要吸附于笼腔内;对于MFI和BETA等孔道型分子筛,丙酮优先吸附于孔道交叉部位,少量分布于孔道内.     

在工作状态下感应反型层太阳电池的薄层电阻

给出了决定在工作状态下感应反型层太阳电池薄层电阻的一组方程.与以前的理论不同之处是考虑到了薄层电阻对电地工作状态的依赖性.分析中计及了电地外表面上的象电荷和二氧化硅-硅界面的界面电荷的作用.文中以氮化硅-二氧化硅-硅结构的感应反型层太阳电池作为实例,研究了它的薄层电阻与工作电压的关系.结果表明,当工作电压在0,4V附近时,薄层电阻有一最小值,而当工作电压大于0.4V时,薄层电阻随工作电压的增高而急剧增大.     

N型LPE和VPE-GaAs电子辐照缺陷能级的研究

用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法,研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型液相外延(LPE)、汽相外延(VPE)GaAs层逐次引入的缺陷和400-500K温区等时退火行为.讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后缺陷浓度N_T的变化,以及根据L²/D对N_T^-1作图来判别电照引入的"E"缺陷能级中对少子寿命起主要控制作用的复合中心能级.     

掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能研究

采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、拉曼散射分析、傅里叶红外光谱和红外椭圆偏振光谱等设备,对射频等离子增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能进行了研究.结果表明,薄膜中氮含量随工艺中氮气/甲烷流量比的增加而增加并趋于饱和.光谱中CH键吸收峰(2859~3100cm^-1)逐渐消失,而且CNH键(1600cm^-1)、C≡N键(2200cm^-1)和NH键(3250cm^-1)对应的红外吸收峰强度随氮含量的增加而增加.拉曼散射中G峰向小波数方向位移和峰值展宽的现象说明薄膜中形成了非晶的氮化碳结构,与原子力显微镜显示的薄膜中富氮的非晶纳米颗粒相对应.偏振光谱分析认为,富氮纳米颗粒的存在导致了薄膜在红外波段折射率由1.8降低到1.6.     

硅衬底温度对金刚石薄膜品质影响

采用PCVD法制备金刚石薄膜的设备研究硅衬底温度变化对沉积金刚石薄膜品质的影响.实验发现,温度从750℃增加到950℃的过程中,随着硅衬底温度上升,金刚石薄膜的质量先变好,生长速率减小;850℃质量达到最好,生长速率降到最低;850℃后质量开始变差,生长速率增加;950℃膜由反聚乙炔构成.随着硅衬底温度增加,氢原子刻蚀作用逐渐增大且愈加集中,膜表面空洞缺陷和晶界缺陷增加.综合考量,金刚石薄膜的品质先变好后变差.     

P-N结太阳电池暗特性的数值分析

以Ga As/Ge太阳电池为例使用PC1D太阳电池模拟程序分析P-N结太阳电池的串联电阻、并联电阻、反向饱和电流和品质因子对其暗I-V特性曲线影响的基本规律.研究结果表明,串联电阻的变化对开启电压没有影响,而随串联电阻的增大,在正向电压高于开启电压的范围内暗I-V特性曲线斜率减小;在正向电压低于开启电压范围内I-V特性曲线斜率随并联电阻的减小逐渐增大并接近纯电阻电路的I-V特性;随二极管反向饱和电流的增大,P-N结的开启电压明显减小,而随品质因子的增大开启电压基本不变.     

小磁性颗粒膜和大磁性颗粒膜的巨磁电阻

该文用玻恩（Ｂｏｒｎ）近似方法计算了大磁性颗粒（颗粒包含原子数ｎ〉〉１２）和小磁性颗粒（ｎ〈１２）薄膜中传导电子与颗粒的散射截面，并推导出在外磁场作用下两种磁颗粒膜的巨磁电阻公式。结果表明，小颗粒膜磁电阻的数值随颗粒包含原子数增加而变大，当颗粒尺寸增大达到某个长度标度Ｌ０（ｎ０＝８Ｌ０＾３／ａ０＾３）时，磁电阻有极大值；巨磁电阻随着颗粒表面粗糙度的增加而增大，并来源于传导电子和磁性颗粒之间的与自旋     

a-Si∶H薄膜的激光诱导结晶

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a-Si:H薄膜.使用KrF准分子脉冲激光对a-Si:H薄膜进行辐照,使a-Si:H晶化.拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a-Si:H层形成纳米硅颗粒.     

一种基于MEMS技术的压力传感器芯片设计

硅压力传感器是利用半导体硅的压阻效应制成,其品质的优劣主要决定于敏感结构的设计与制作工艺.文章从硅压力传感器敏感薄膜的选择、敏感电阻条的确定以及敏感电阻位置的选取,设计了一种方案并进行了实验验证,得出所设计的压力传感器精度达到0.1%～0.25% F.S.     

溶胶-凝胶法制备CoFe2O4/SiO2复合薄膜

以硝酸盐和正硅酸乙酯为原料利用溶胶-凝胶旋涂法在硅基片上制备了CoFe2O4/SiO2复合薄膜.用X射线衍射仪、扫描探针显微镜和振动样品磁强计对样品的结构和磁性进行了研究.结果表明,经700 ℃退火处理的薄膜样品中CoFe2O4的晶粒尺寸为6 nm,样品的矫顽力和饱和磁化强度随着环境温度的降低逐渐增大.     

温度对单根氧化锌纳米线真空传感器的影响

通过化学气相沉积方法(CVD)制备了ZnO纳米线,并且利用微栅电极法制备了单根ZnO纳米线真空传感器.ZnO纳米线的电阻率随真空度的提高而降低,在p=10 Pa时,室温情况下的电阻约为高温情况下(T=325℃)的1000倍.而在p=1 ×105 Pa时,室温情况的电阻是高温情况下的10倍.这种巨大变化主要是由于真空度迅速的升高,吸附在纳米线的表面的氧负离子进行了脱附的作用之后,使得耗尽层厚度降低,纳米线内部可参与导电的电子数增多,此时温度对纳米线的影响作用才会很大,导致纳米线电阻率迅速降低.     

基于RC网络集成电路的多晶硅薄膜电阻工艺优化

介绍基于RC[1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法,并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式.利用LPCVD方式制作多晶硅薄膜,可以得到很好的膜层均匀性和最佳的淀积速率,再利用POCl3进行高温掺杂[2],得到优化的电阻率,灵活改变各种参数,可使电阻的精度优于5%.     

多壁碳纳米管在低密度聚乙烯基体中的分散性

研究了以低密度聚乙烯(LDPE)为基体、以多壁碳纳米管(MWNTs)为增强体的复合材料的制备方法,利用SEM、电子拉力机和电阻计对碳纳米管在基体中的分散性、材料的力学性能和电学性能进行了表征。此材料的渗流阈值在10wt%~15wt%之间,其电阻率下降。复合材料的拉伸模量随纳米碳管含量的增加而提高。     

SnO_2簿膜(掺Sb)光学气敏选择性的实验研究

郑顺旋等人观察到常用的气敏-电阻型材料氧化锡薄膜的光学性质和气敏特性有关.这一发现突破了近半个世纪以来氧化物的气敏特性仅与电阻有关的模式.使得可以用光学量去探索至今还未清楚的氧化物气敏机理.也为新型气敏传感技术提供了有效的敏感材料.然而与气敏-电阻效应一样,纯SnO_2器件的气敏-光学效应对各种还原性气体的灵敏度几乎相同,因此制造出气体选择性良好的元件很不容易.为了提高SnO_2薄膜气敏光学效应的气体选择性,在纯SnO_2薄膜中掺杂了0.1wt%的Sb.实验观察     

硅片直接键合机理研究

提出硅片直接键合(SDB)的下列机理:热氧化硅表面的悬挂键在常温下与羟基因形成化学键.两个镜面平整表面互相重合,原子互相以范德瓦斯力互相吸引.在200-400℃,两表面吸附之羟基互相作用形成键合界面的硅醇键.温度高于800℃,硅醇键间发生显著化学聚合反应,形成硅氧键及水.水分子高温下扩散入体内与硅氧化,使键合强度增大,并使键合界面处空洞形成局部真空,有利于空洞消失.水扩散系数随温度而指数增大,在1050℃附近有一转折点,扩散系数增加速率显著减慢.由以上键合机理确定了优化的两阶段键合工艺,制得3英寸直接键合硅片.成功地利用SOI/SDB衬底制备了1-3μm CMOS器件,典型的电子和空穴沟道迁移率为680cm²/V·sec及320cm²/V·sec.     

光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作（英文）

该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法 .这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的.与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150℃的温度下完成.我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝(Al2O3)薄膜工艺,大小为(10×10×1)mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流-电压(I-V),电容-电压(C-V)、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的.实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符.