新颖的多功能混合模式CCⅡ滤波器

提出了一种新颖的混合模式ＣＣⅡ滤波器模型电路，由该模型电路可以得到同时实现一阶低通、高通输出的滤波器及同时实现二阶低通、带通输出的滤波器，一阶滤波器由２个ＣＣⅡ器件及４个ＲＣ元件构成，二阶滤波器由２个ＣＣⅡ及５个ＲＣ元件构成，与同类电路比较，所用ＣＣⅡ器件较少，固有频率ω０与品质因数Ｑ独立可调，电路中所有ＲＣ元件均接地，便于集成，ＣＣⅡ由ＣＭＯＳ器件构成，与ＶＬＳＩ工艺兼容。文中给出了电路的计算机ＰＳＰＩＣＥ仿真结果。     

SZ—1无机防腐涂料在南常输变电工程中的应用

本文论述ＳＺ－１无机新型防腐涂料的性能与特点和南常１１０ＫＶ输电线路工程中铁件防腐施工应用的情况，该涂料具有推广实用价值和较好经济效益。     

XENIX环境下COBOL数据文件在软盘上的随机建立

本指出了在ＸＥＮＩＸ系统和ＤＯＳ系统下，ＣＯＢＯＬ程序在环境部中的描述不同，并着重给出了在ＸＥＮＩＸ系统环境下，将ＣＯＢＯＬ数据件建立在软盘上的方法。     

S_(11)环型铁芯变压器

漯河宏达变压器有限责任公司开发的Ｓ１１环型铁芯变压器对变压器的铁芯结构体作出重大变革，环型铁芯无需消耗接缝的磁化容量。磁路分布均匀，大大减少了空载激磁电流，提高了功率因数，降低了电网无功引起的损耗，改善电网的供电品质，环型铁芯加工节约用材，硅钢片无横剪工艺，加工无边角废料，无需夹件紧固，能较多地降低制造成本。Ｓ１１型与Ｓ７型相比，空载损耗降低３９％，负载损耗降低２４％，节约钢片材料２４％，总重量减少１６％，具有显著的节能节材优点。因此成为国家推荐的新一代换代产品，有着广阔的市场前景和较高的社会经…     

极大子环的Levitzki根

讨论环Ｒ的极大子环Ｓ的Ｌｅｖｉｔｚｋｉ根的性质，证明若环Ｒ有极大子环Ｓ，则ＬＲ∈Ｓ，ＲＬ∈Ｓ，其中Ｌ是Ｓ的Ｌｅｖｉｔｚｋｉ根。     

内作用内余作用构造的各种Smash积

从研究由内作用、内余作用构造的各种Ｓｍａｓｈ积（包括Ｓｍａｓｈ余积，双Ｓｍａｓｈ积，Ｄｏｕｂｌｅ Ｓｍａｓｈ积，Ｄｏｕｂｌｅ Ｓｍａｓｈ余积）入手，阐明这些Ｓｍａｓｈ积具有良好的代数性质。     

解析ISDN

近两年 ＩＳＤＮ在我国 蓬勃发展起 来，各省市的 电信部门相继 开通ＩＳＤＮ业 务，尤其在上海、广州、北京等地，ＩＳＤＮ的发展趋势更是势不可挡。今年中国电信推出的“一线通飓风行动”，在全国大力推广ＩＳＤＮ业务，引起了很大的反响。那么，什么是 ＩＳＤＮ？ ＩＳＤＮ有哪些功能？ ＩＳＤＮ的好处在哪儿？怎样拥有ＩＳＤＮ呢？…… 一、什么是 ＩＳＤＮ？ ＩＳＤＮ即Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ（ＳｅｒｖｉｃｅｓＤｉｇｉｔａｌＮｅｔｗｏｒｋ综合业务数字网）的缩写，俗称“一线通”，是以电话综合数字网为基础，采用数字传输和数字交换技…     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

苯乙烯──丙烯酸载体──铁配合物的某些表征参数对其催化活性的影响

制备了不同铁含量、不同序列长度及分布的聚（苯乙烯──丙烯酸）铁配合物（ＳＡＡＣ·Ｆｅ）。考察了铁含量，序列长度分布和催化活性之间的关系，发现在Ｆｅ／ＣＯＯＨ摩尔比为０．２０时催化活性最高；当ＡＳＳ＋ＳＳＡ＝０．３３０，ＳＳＳ＝０．３４１，ＳＡＳ＝０．２４１时，ＳＡＡＣ·Ｆｅ显示最高的活性。     

扩环上的投射模

研究了环的投射模在扩环上的遗传特征，得到了，设Ｒ∈Ｓ，Ｃ（Ｒ，Ｓ）为Ｓ的极大理想，则有：（１）Ｒ∈ＰＦ，则Ｓ∈ＰＦ，（２）若Ｒ「ｘ１……ｘｎ」∈ＰＦ，则Ｓ「ｘ１，…ｘｎ」∈ＰＦ；（３）若Ｒ「ｘ１，…，ｘｎ」∈ＰＦ，则Ｓ「ｘ１…ｘｎ」∈ＰＦ。     

烟草盐适合愈伤组织生理特性的研究

采用逐步提高ＮａＣｌ浓度的方法，获得了耐１％ＮａＣｌ的烟草愈伤组织变异系（Ｓ１）。与原始型愈伤组织（Ｓ０）相比，在１％ＮａＣｌ胁迫下，Ｓ１的干重增量高于Ｓ０４．６倍，组织渗透势下降，而含水量提高；游离脯氨酸、蔗糖、还原糖含量及乙烯释放速率的增加Ｓ０高于Ｓ１，但腐胺的累积量相反。Ｓ１对甘露醇渗透胁迫和Ｎａ２ＳＯ４盐胁迫也具有适应性，但对低温（０－１℃）敏感。ＡＢＡ促进了Ｓ０对盐胁迫的抗性，但对已耐盐     

Ca1—nSrnS：Cu^＋,Eu^2＋的合成与光谱特征

研究了Ｃｕ＾＋，Ｅｕ＾２＋共激活的Ｃａ１－ｎＳｒｎＳ的发光性质，基质组分Ｃａ／Ｓｒ摩尔比与荧光性质的关系，Ｃｕ＾＋和Ｅｕ＾２＋在纯ＣａＳ基质中的发射光谱分别位于４３０ｎｍ及６３０ｎｍ附近，随着基质中Ｓｒ含量的增加，红、蓝发射带都向绿区移动；当基质为纯ＳｒＳ时，红、蓝发射带复合为一个主峰在５１７ｎｍ、半宽度为８０ｎｍ的带谱，实验结果表明：Ｃａ１－ｎＳｒｎＳ：Ｃｕ＾２＋，Ｅｕ＾２＋是一种红、蓝发射峰值     

蕴含Ck图的度序列

设Ｓ是ｎ项可图序列，σ（Ｓ）是Ｓ中的所有项之和，设Ｇ是一个简单图，σ（Ｇ，ｎ）是使得任意ｎ项可图序列Ｓ满足σ（Ｓ）≥ｍ，则Ｓ有一个实现包含Ｇ的ｍ的最小值，本文给出了σ（Ｃｋ，ｎ）的下界并证明了当ｎ≥５时，σ（Ｃ５，ｎ）＝４ｎ－４，当ｎ≥７时，σ（Ｃ６，ｎ）＝４ｎ－２。     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

小青杨管间细胞壁和纹孔结构的扫描电镜研究

本文利用切斜面拉开细胞的离析后扫描的方法，以北方广泛分布的小青杨为材料，较详细地观察了管间细胞壁的自然分层，小青杨管间细胞壁共分五个层次，即：内壁（Ｓ３）＋网状层（Ｓ２）＋中层（Ｓ１＋Ｐ＋胞间层＋Ｐ＋Ｓ１）＋网状层（Ｓ２）＋内壁（Ｓ３）。     

低温二极管的计算机模拟及分析

在通用半导体器件模拟软件ＰＩＳＣＥＳ（版本为９００９Ｉ，ＳｕｎＯＳ４．１（Ｚｈｉｐｉｎｇ））的基础上，修改了模型方程，加进了低温参数模型，成功地开发和编制了适于低温半导体器件模拟软件ＳＥ－ＰＩＳＣＥＳ，模拟了７７Ｋ下二极管的稳态特性、瞬态特性和交流小信号分析，并将模拟结果和３００Ｋ下的作了对比分析。     

钛硅类沸石弱酸催化性能研究（I）：TS—2和TBS—2对氧 …

研究了ＴＳ－２和ＴＢＳ－２沸石在催化氧化苯乙烯重排反应中的酸催化性能，与不含硼的ＴＳ－２沸石相比，ＴＢＳ－２的重排活性比ＴＳ－２的高出近一倍，生成苯乙醛的选择性也稍好于ＴＳ－２．ＸＲＤ，ＩＲ及ＳＥＭ表征证明具有较高结晶度、较高骨架钛、较适宜骨架硼以及晶粒细小均匀的沸石有着最佳的重排活性，晶粒较大的沸石催化活性有所下降，结晶度和骨架钛都较低的沸石重排活性明显下降。此外还考察了溶剂、反应温度和时间以及     

一阶非线性中立型方程非振动解的渐进性

本文研究了一阶中立型非线性方程在允许ｃ＿ｉ（ｔ）（ｉ＝１，２，…，ｍ）振动且的条件下非振动解的渐进性，其中δ＝±１，证明（Ｅ）＿＋最多有Ｓ（０，０）和Ｓ（ｂ，ａ）两种类型的非振动解；（Ｅ）＿最多有Ｓ（０，０）、Ｓ（ｂ，ａ）和Ｓ（∞，∞）三种类型的非振动解。     

CMOS／SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性

以金刚石膜作为绝缘埋层，利用金刚石膜上的薄层硅（ＳＯＤ）技术，制作５４ＨＣＴ０３ＣＭＯＳ／ＳＯＤ结构的集成电路，对该电路在辐照后的恢复特性进行研究，结果表明，ＳＯＤ电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路；常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的ＳＯＤ电路的快速恢复。     

运用决策支持技术进行兰州市交通规划

在分析决策支持系统ＤＳＳ基本结构和兰州市交通网络现状的基础上，对中加合作项目中“兰州市效能规划决策支持系统（ＬＴＤＳＳ）”的系统结构、分析模型，系统开发技术和途径等问题进行了研究探讨，提出了系统开发的总体思路和方案。