Mo／Si多层膜的制备及X射线衍射表征

采用磁控溅射方法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜。通过小角Ｘ射线散射图证明该多层膜是原子水平的，界面清晰，与设计周期基本相同。通过Ｘ射线衍射方法检测了该多层膜的组成和结构，同时对Ｍｏ／Ｓｉ多层膜的位错密度等参数进行定量研究。结果表明，该超晶格的位错密度随周期厚度的减小而增大，晶粒尺寸随周期厚度的减小而减小。     

多孔硅的制备和光致发光

用阳极氧化方法制备了多孔硅样品，研究了样品在室温下受温下受紫外光（３５５ｎｍ）激发的发光特性，发现着阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加，发光峰呈蓝移，用ＫＯＨ溶液和水对多孔硅处理，发光光谱有明显变化，解释了有关发光现象。     

锂离子电池硅基负极黏结剂研究:现状、挑战及展望

人们对锂离子电池的容量与寿命提出越来越高的要求.开发具有新型结构和优越性能的聚合物黏结剂,可有效提高电极在循环过程中的机械和电化学稳定性,最终助力实现高性能锂离子电池.本文通过阐述近年国内外围绕硅负极用黏结剂种类、特性及复合体系的研究成果,总结了黏结剂的组成及物化参数对电极电化学性能的影响规律,并展望硅负极黏结剂的发展...     

硅晶体管禁带宽度的测定方法

禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各区域禁带宽度的新方法.由于发射区重掺杂,本文还考虑了载流子的简并情况.     

二氧化碳焊诱导熔滴短路过渡可控硅电源的研究

本文就可控硅整流弧焊电源用于CO_2气体保护焊诱导熔滴短路过渡的控制性能进行了研究。介绍了两种控制诱导熔滴短路过渡的方法(即:电源输出外特性恒流-恒流切换控制和恒压-恒流切换控制)以及电源控制电路的工作原理和控制效果的比较试验结果。     

感应电动机机特性测试的一种新方法

针对感应电动机械特性传统测试方法复杂，精度低，重复性较差等缺陷，介绍了一种自动精确测取感应电动机机械特性的新的“动态”测试方法，该方法以动力学定律为基础，用转矩传速器和惯性电气自动补偿器分别取负载转矩了加速转矩，从而得到了被试电机的“动态”输出转矩，简单介绍了测试装置工作原理和测试结果，并讨论了扫描时间对测量精度的影响。     

自然光照条件下硅光电池组件伏安特性

本文给出了利用DS—125型光电池(阵)户外特性测试仪测得的自然光照条件下硅光电池组件的伏安特性。对同类产品在自然光照下和人工模拟光照下测得的电性能进行了比较。同时也对单晶硅和多晶硅两类不同晶体硅组件在两种不同测试条件下获得的结果进行了比较。 作者认为,由于模拟光下测得的光电池组件输出比自然光照下的输出值为大,因此,若以模拟光照条件下的峰瓦值来确定光电系统的容量时,应考虑1.10—1.20的修正系数。     

a-C∶H/Si太阳电池的研究

本文报导了a-C∶H/Si太阳电池的结构、制备方法和已达到的性能。测试发现电池的暗I-V特性及在200～1000nm波长范围内的反射光谱特性均优于单晶硅太阳电池。进而讨论了这种电池成为一种性能优良的太阳电池的可能性。     

PTCDA/p-Si异质结势垒的形成及电流传输机理分析

根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其电流～电压特性。     

基于实验室用差动变压器式位移测量系统的设计

根据实验室用差动变压器的工作原理及特性,设计了位移测量系统,对各个组成部分进行具体分析并给出参考数值;对测量系统进行了标定,确定了拟合直线,给出了测量系统的特性参数。针对实验室用差动变压器式电感传感器特性曲线较差、精度低的问题,给出了解决方案,提高了位移测量系统的精度。     

半导体激光器端面反射率的优化

本文从半导体激光器的速率方程组出发,分析了半导体激光器端面反射率的变化对其输出光功率的关系。数值计算表明,在对半导体激光器端面反射率进行优化后,能够获得最佳输出功率。此外,还分析了端面反射率优化后对半导体激光器微分功率特性的影响。     

硅钼蓝分光光度法测定硅黄铜中的硅量

本文提出以硅钼蓝分光光度法测定硅黄铜中（含硅：1.00%-4.50%)硅的含量；硅黄铜试样以硝酸－氢氧酸溶解，硅与钼酸铵形成硅钼络离子，然后用硫酸亚铁铵作还原剂使硅钼络离子还原为硅钼蓝，借此进行分光光度法测定；实验表明：本方法操作简便，分析快速，测定准确度高。     

激光CVD制备a-Si∶H/a-SiC∶H多层非晶薄膜的方法及其光学特性研究

介绍利用激光的光化学反应来分解气体制备α-Si:H/α-SiC:H多层非晶薄膜的方法,并对应用XPS等手段测得的这种非晶薄膜的光学特性进行了讨论.     

金属/电介质多层膜的光学特性

在Ｄｒｕｄｅ模型的基础上,计入金属薄膜表面对传导电子弛豫时间的影响,计算了金属的介电函数和光学常数,并利用结构特性矩阵方法计算了金属／电介质多层膜的反射率和吸收率,讨论了金属层厚度、层数对反射率和吸收率的影响     

用于分离水—乙醇的醋酸纤维素膜的渗透气化特性

本文研究了二醋酸纤维素(CA),三醋酸纤维素(CTA)均质致密膜及CA反渗透膜对水-乙醇混合液的分离特性,发现这三种膜均呈现出良好的水优先透过性,展示了潜在的应用前景.CA与CTA对不同水-乙醇混合液的渗透气化速率J及选择分离比α,呈现出相同的变化趋势,但在各组成比,CA比CTA致密膜的J值要小,α则大.CA反渗透膜对水-乙醇混合液的渗透气化特性与CA致密膜不同,与操作温度之间的关系也不呈现Arrhenius指数变化规律.对上述透过现象,从膜的溶胀度及形态结构的角度进行了理论探讨.     

热氮化SiO2膜的抗辐射特性

离子注入、电子束和离子束曝光以及电子束蒸发等技术已用于超大规模集成电路生产中.但是,这些新工艺引入了高能粒子辐射,给MOS集成电路的概介质带来了新的缺陷.因此,寻找抗辐射的栅介质是令人感兴趣的课题.近来,Ito等人提出,将SiO_2膜在无水氨气中加热处理一定时间,能直接转变为氮氧化硅,称为热氨化二氧化硅.它与热生长的SiO_2膜相比,具有较高的击穿电场强度和介电常数,较好的抗氧化能力和抗沾污性能.但是,对热氮化SiO_2膜的抗辐射特性的研究报道不多.仅Naiman等人作了一些研究.在他们的实验中,把10nm厚的热氮化SiO_2膜与50nm厚的SiO_2膜作了比较,这不能说明前者的抗辐射特性比后者的好.     

用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究

在ＨＦ－ＨＮＯ３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）。金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明浸蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环，当显色处于临界时间时，样品光致发光最强，与阳极氧化样品相比，化学浸蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级，其峰值能量为１．９４－２．０４ｅＶ，半峰宽（ＦＷＨＭ）为０．３５－０．４１ｅＶ。还对比讨论了阳     

多孔阳极氧化铝膜的研究进展

重点分析了多孔阳极氧化铝膜的自组织特性和偏振特性，指出了它在纳米材料模板制备、微偏振器制作上的应用前景及最新研究进展，最后简要介绍了阳极氧化铝在纳米镶嵌复合发光材料中的应用前景。     

不精确帧同步对幅值相位线性插值影响的分析

在正交频分复用系统中,常见的频域线性插值方法为I 路Q路信道分别进行线性插值(I-Q 插值). 幅值相位线性插值（A-P 插值）由于性能略差且硬件实现复杂度高而很少被采用. 该文在不精确帧同步系统中循环前缀（cyclic prefix, CP）提前截去的情况下,研究了A-P 插值方法受CP提前截去量的影响,并与I-Q 插值进行比较,给出了I-Q 插值和A-P 插值的均方误差通用表达式. 研究结果表明,A-P 插值方法的性能受CP提前截去量的影响很小,仅取决于频域信道相关特性,而I-Q 插值会受CP提前截去量及频域信道相关特性两方面的影响. 因此,当同步算法性能较差而引起较大定时偏差时,也可选择A-P 插值作为频域插值算法.     

小型换用大型电渗析器计算方法的研究

研究了根据小型电渗析器的试验运行数据，设计生产大型电渗析器的淡水产量，脱盐率以及所需的膜对数和段数计算方法，并介绍了工程设计使用实例。