表面声波在一维电子通道中诱导产生的声电电流

表面声波(SAW)在GaAS／AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时，在通道中可诱导产生声电电流，根据准经典(WKB)近似，计算出一维电子通道钳断情况下的量子化声电电流，并详细讨论了源漏偏压和库仑相互作用对声电电流的影响。     

二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响

表面声波(SAW)在GaAs／AlxGa1-x As量子阱表面沿一维电子通道方向传播时，可诱导产生声电电流，由于GaAs／AlxGa1-x As材料的压电效应，伴随SAW要产生一个压电运动电势，该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关，作者采用准经典(WKB)近似，研究了2DEG的深度对一维电子通道中声电电流量子化特性的影响。     

单电子输运器件中的动态电子传输

在基于GaAs/AlGaAs异质结二维电子气的声表面波单电子输运器件中,利用声表面波诱发的动态量子点依次通过由串联的三对刻蚀门电极各自所形成的准一维通道,成功实现了电子的量子化动态输运,并对输运特性进行了分析.通过提出局域态杂质模型和电子的屏蔽效应,解释了实验中观测到的双峰声电电流现象.     

电子—声子相互作用对金属介观环中持续电流的影响

在连续模型中研究了电子－声子相互作用对一维金属介观环中由磁通Φ诱发的持续电流的贡献．持续电流随磁通Φ的变化具有周期性．周期为磁通量子Φ０＝ｈ／ｅ．研究表明,电子－声子相互作用不仅降低系统能量而且对持续电流有抑制作用．持续电流与系统中的电子数（Ｎ）有明显的依赖关系．当（Ｎ）增加到足够大时,持续电流趋于零．     

准一维系统中Lyapunov指数的性质?

建立了Anderson模型的传输矩阵,并采用传输矩阵法求解了准一维系统中的Lyapuov指数(LE),LE与电子局域化长度成反比,LE很好地描述了电子的局域化性质.通过计算SPS理论中的τ值,研究了在一维系统中成立的标度方程是否适用于准一维系统.本文还给出了多条链中不同通道的LE之间关联的计算方法,计算了2个通道和3个通道之间关联随着系统无序度的变化情况.     

具有电子间相互作用的准一维体系的介电损耗

把电磁场理论应用到准一维材料中．考虑到一维链状体系的链节内成键原子间的作用和沿链的电子间的长程相互作用，导出了随频率变化的介电函数和介电损耗的微观计算公式，并且用数值计算的方法研究了吸收谱和频率的关系     

半导体量子阱中电子朗道能级的共振分裂和钉扎行为

本文采用改进的Ｗｉｇｎｅｒ－Ｂｒｉｌｌｏｕｉｎ微扰理论，研究了束缚于半导体量子阱中电子共振谱的分裂．考虑到晶格振动的各种光学极化模，解释了电子共振谱在横光学声子频率附近的这种“奇异”的分裂和钉扎行为．计算了跃迁频率对磁场强度的依赖性．理论结果和他人的实验数据进行了比较．最后指出，这种共振分裂和钉扎行为是量子阱中电子和界面声子相互作用的结果．     

超细金属丝中电子的关联函数和关联能

对于具有库仑相互作用的超细金属丝，该文提出了一种新的准一维模型，从而得到了准-维超细金属丝体系的电子有效库仑势形式．并在相关基函数理论框架下，利用准一维电子体系的集体振荡行为，确定了具有库仑相互作用的二体关联的Jastrow-Feenberg-Slater多体变分波函数，通过对实空间关联函数的方程的自洽迭代求解以及体系能量的变分计算，得到了金属钾L=4．967细丝的关联函数、关联能．该文得到的关联函数是恒正的，并且满足归一化条件．     

准一维聚合物中的声学极化子

本文讨论准一维聚合物中的一维电子通过形变势与三维声学声子相互作用。对弱耦合和中间耦合情形,导出了极化子基态能量和有效质量。结果表明,在这种混合维数模型中,可形成稳定的极化子。     

多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运

本文研究了多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运的声电电流特性.改变每个量子点接触的栅电压用以实现不同高度的静态势垒,从而调节声电电流.并用电子泵模型解释了不同势垒之间的耦合对于电流的影响,根据此模型得到的模拟结果与实验吻合.     

部分重叠双栅MOSFET特性的研究

研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小.     

短沟道MOS器件阈电压和跨导的温度关系

本文从yau的模型出发,推导出了短沟道硅栅MOSFET的阈电压表达式及阈电压与温度的关系:并考虑短沟道MOSFET的扩散电流。推导出简单的电流—电压关系表达式,求出了跨导;得到了与试验一致的结果。发现,随温度的降低,MOSFET的阈电压的大小上升,阈电压的温度梯度的大小减小,跨导的大小急剧上升。结果表明,MOSFET更适合低温下工作。     

非对称Halo的异质栅SOI MOSFET阈值电压解析模型

为了改善MOSFET的短沟道效应和驱动电流，首次提出了非对称Halo掺杂的异质栅SOIMOSFET结构，这种结构在沟道源端一侧注入浓度较高的杂质，再由具有不同功函数的两种材料拼接形成栅极．通过求解二维电势Poisson方程，建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型．研究表明，该结构能有效抑制漏致势垒降低和热载流子效应，且在沟道长度小于100nm条件下，阈值电压表现出明显的反短沟道特征，在Halo和栅材料界面附近的电场峰值使通过沟道的载流子的传输速度显著提高，解析模型与二维数值模拟软件MEDICI所得结果吻合度较高．     

高栅压低漏压条件下FG-pLEDMOS的热载流子退化机理

针对FG-pLEDMOS施加高栅压低漏压的热载流子应力会使器件线性区漏电流发生退化,而阈值电压基本保持不变,使用TCAD软件仿真以及电荷泵测试技术对其进行了详细的分析.结果表明:沟道区的热空穴注入到栅氧化层,热空穴并没有被栅氧化层俘获,而是产生了界面态;栅氧化层电荷没有变化,使阈值电压基本不变,而界面态的增加导致线性区漏电流发生退化.电场和碰撞电离率是热空穴产生的主要原因,较长的p型缓冲区可以改善沟道区的电场分布,降低碰撞电离率,从而有效地减弱热载流子退化效应.     

SITH耐压容量的控制和调节

分析了SITH结构的掺杂电阻率、N－基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响，分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅－阴极击穿电压的影响，讨论了如何进行正向阻断电压和栅－阴极击穿电压的控制和调节。     

基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.     

低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型

对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解,推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型,并采用数值仿真方法对模型进行了验证.结果表明:新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合.     

低掺杂多晶硅TFT阈值电压的确定和提取

通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管表面势的分析, 建立基于物理过程的阈值电压模型。当其表面势偏离亚阈值区时沟道电流将迅速增加,将此时所对应的栅压定义为阈值电压。基于多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对表面势进行化简与求解,建立了解析的阈值电压模型。器件数值仿真结果表明,采用二次导数法所提取的阈值电压值与本文所提出的阈值电压模型较好的匹配。     

功率VDMOSFET与IGBT的最新结构与性能特点

综合评述了VDMOSFET(Vertical Double Diffused MOSFET)与IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trench gate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点.新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减少原胞尺寸和增加沟道密度,具有大电流,高电压,开关频率高,高可靠性,低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的VDMOSFET和IGBT结构.