小尺寸金属系统电导率的计算

运用量子统计要函数方法和久保公式分别计算一维金属线、二维金属薄膜的杂质散射电导率,计算结果表 尺寸金属系统的电导率跟金属系统上有关,具有量子尺寸效应。     

金属薄膜中的电导率计算

考虑到杂质和表面粗糙的散射,运用量子统计的格林函数方法,计算金属薄膜中的电导率．计算表明：在薄膜系统中,来自杂质和表面粗糙散射的电导率都以π／ｋＦ（ｋＦ为费米波矢值）为周期随厚度ｄ振荡．     

量子理论中电磁场矢势的物理图象

计算出电磁场矢势Ａ对电子在外磁场中干涉图样位置移动的影响；分析了ＡＢ效应的物理实质；求解了电子在外磁场中的散射问题，给出了散射出现极大和极小值的条件；在量子理论的范围内讨论了关势Ａ的物理意义．     

衬底表面生长Pb膜的量子尺寸效应及驰豫结构研究

项目主要研究在半导体和金属衬底上生长Pb薄膜时的量子尺寸效应,即纳米量级的厚度对薄膜生长规律的影响,进而探讨量子尺寸效应对驰豫结构的影响.这是当前凝聚态物理中两个重要方向———量子尺寸效应和薄膜驰豫结构的交叉点.到目前为止,还没有发现有人开展这样的工作.因此,该项目的研究必将会对凝聚态物理的发展产生一定的影响.     

量子阱中类氢杂质束缚能的压力效应

本文采用变分法研究了量子阱中类氢杂质的束缚能的压力效应，尤其在阱较窄的情形下，其压力效应更为显著．     

具有量子修正功能的三维蒙特卡罗MOS器件模拟

为了处理纳米MOS场效应管的量子效应，在蒙特卡罗模拟中引入有效势量子修正，并提出了基于PC机群的三维并行模拟算法．每个节点应用多层网格法求解一个子区域内各网格点的Poisson方程，采用有效势法对各网格点进行量子修正，并跟踪模拟一组带电粒子的加速飞行和随机散射运动，使所有节点的负载始终保持平衡．模拟实例表明，引入有效势修正的蒙特卡罗模拟结果与薛定鄂方程计算结果吻合得较好，所提并行算法也具有较高的加速比．     

温度和外场对巨磁阻的影响

从非线性Kubo公式出发，计算电流在平面（CIP）结构三层 膜的巨磁阻效应，通过考虑电子与自旋相关体散射和界面散射，研究了电流在平面的巨磁阻量子效应，发现Kubo公式中非线性部分在不同程度上影响巨磁阻效应，在零温附近，温度参数对巨磁阻影响很小，而外加偏压对巨磁阻的影响相对较大。     

GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应

在有效质量近似下,利用微扰-变分法研究了GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应.计算了杂质态结合能随量子点半径和外加电场强度的变化关系.数值结果表明,随量子点尺寸和外加电场强度的增加,基态能和结合能均单调降低.此外,随着量子点半径的增大,斯塔克效应变得越来越明显.结果还表明在同一外电场下,球形量子点中杂质态的斯塔克能移较无杂质时导带电子的斯塔克能移小.     

量子理论中电磁场矢势的物理图象

计算出电磁场矢势Ａ对电子在外磁场中干涉图样位置移动的影响；分析了ＡＢ效应的物理实质，求解承外磁场中的散射问题，给出了散射出现极大和极小值的条件；在量子理论的范围内讨论了矢势Ａ的物理意义。     

无序金属薄膜中的局域化和相互作用效应

无序金属薄膜中的局域化和相互作用效应杨永宏（东南大学物理学系，南京２１００１８）由于弱局域化效应和相互作用效应的影响，无序金属薄膜的电阻率与玻耳兹曼输运理论的结果有很大的偏离．近年来，该方面的实验和理论研究均已取得丰硕的成果［１～４］．Ｏｖａｄｙａｈ...     

纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应

用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。     

表面性质对介质阻挡放电的影响

为了分析介质阻挡放电(DBD)中表面性质改变对气体放电的影响,实验研究了大气压介质阻挡放电介质表面覆盖或不覆盖金属膜时的放电特性,观测了放电丝时空演化行为. 结果表明,未覆盖金属膜的DBD是典型的丝状放电,而覆盖金属膜后DBD放电丝数目锐减而且随时间缓慢游动. 金属膜使介质表面等电位化,电荷表面自由移动使得放电空间只存在少数的放电丝;空间电场梯度减小以及局域热作用导致的自禁止效应使得放电丝在空间中连续随机运动.     

纳米级薄膜润滑量子化模拟的研究

以量子力学原理为基础，建立了考虑润滑介质粒子的波动性的模拟模型，并利用量子力学粒子系统的Hartree自洽场独立粒子模型对模拟模型进行了数值计算，求得了基态下的模拟模型的波函数，量子力学模拟结果与Newton力学的分子动力学模拟结果进行了比较，获得到了一些纳米级薄膜润滑的量子化信息。     

金属-介质多层膜的光学特性

分析了层结构对含极薄金属膜的金属－介质多层膜光学特性的影响，以及金属膜的光学常数及复合膜的光学特性与膜厚的关系．当金属膜为岛状膜时，多层膜的红外反射特性与岛状膜的几何参数有关，计算所得反射率与实验结果一致     

薄膜粒径对Debye温度和弹性模量的影响

通过金属薄膜电阻率的测定 ,得出Debye温度和薄膜厚度的关系 ,Debye温度和薄膜结晶大小的关系 ,以及弹性模量和薄膜粒晶大小的关系 .金属薄膜用真空蒸发的方法制作 .当基板的温度发生变化时 ,薄膜的粒子大小也将发生变化 ,基板温度越高 ,薄膜的粒子越大     

黄铜铬酸表面膜的导电性

采用金属－膜金属结构测量了黄铜在铬酸中形成的表面膜的导电性。实验得到膜的导电性良好，虽为半导体，却表现出准金属行为这一瑟文献报导不同的结论。     

Quantum phase transition in a single-molecule quantum dot

Quantum criticality is the intriguing possibility offered by the laws of quantum mechanics when the wave function of a many-particle physical system is forced to evolve continuously between two distinct, competing ground states. This phenomenon, often related to a zero-temperature magnetic phase transition, is believed to govern many of the fascinating properties of strongly correlated systems such as heavy-fermion compounds or high-temperature superconductors. In contrast to bulk materials with very complex electronic structures, artificial nanoscale devices could offer a new and simpler means of understanding quantum phase transitions. Here we demonstrate this possibility in a single-molecule quantum dot, where a gate voltage induces a crossing of two different types of electron spin state (singlet and triplet) at zero magnetic field. The quantum dot is operated in the Kondo regime, where the electron spin on the quantum dot is partially screened by metallic electrodes. This strong electronic coupling between the quantum dot and the metallic contacts provides the strong electron correlations necessary to observe quantum critical behaviour. The quantum magnetic phase transition between two different Kondo regimes is achieved by tuning gate voltages and is fundamentally different from previously observed Kondo transitions in semiconductor and nanotube quantum dots. Our work may offer new directions in terms of control and tunability for molecular spintronics.     

量子尺寸效应对超薄Pb(111)薄膜性质的影响

讨论了超薄Pb(111)薄膜在构型和稳定性方面的量子机制.首先对量子尺寸效应和电子生长以及薄膜稳定性的判断标准作了介绍,然后以Pb(111)薄膜作为例子,介绍了其生长的特性和强烈的量子尺寸效应,最后阐述了量子尺寸效应对薄膜的物理和化学性质具有深刻影响.