GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

用低压金属有机气相外延（LP－MOCVD）在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料，并对材料进行Raman、光致发光（PL）谱的测试分析，结果表明在GaAs／InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移；PL谱峰较强，16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰，表明了GaAs外延层的晶体质量较好。以此生长方法制备了金属－半导体场效应晶体管（MESFET），其单位跨导可达200ms/mm。该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Co2＋的光谱及g因子的研究

采用一种修正的晶体场理论方法研究了３ｄ＾７离子在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的光谱和ＥＰＲ谱ｇ因子。此方法考虑了ｄ＾７离子ｄ电子与配体混合而导致ｄ轨道中ｅ和ｔ２轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对ｇ因子的贡献,用此方法解释了ＧａＰ,ＩｎＰ和ＧａＡｓ中Ｃｏ＾２＋的光谱和ｇ因子,并对结果进行了讨论     

半导体材料微体缺陷激光扫描分析技术

半导体材料内部的一致性是实现微器件功能的重要保证。为实现半导体材料微体缺陷的无损、高效、和准确检测 ,在研究广义 L orenz- Mie理论的基础上 ,通过将散射光分布分析引入到检测当中 ,提出了对近红外激光散射信号探测和缺陷大小特征的判据 ,来检测半导体材料缺陷的方法。介绍了检测的基本原理和理论模型 ,以及基于这一构想的全自动检测系统的实现方法 ,并提出了微缺陷检测的判据。对一组 Ga As样品进行了实验研究 ,证明了该方法的可行性     

半导体中的广延缺陷电子性质、器件效应及结构

广延或结构性缺陷是对结构完整性的永久偏离，即对实际晶体原子的正确部位的永久性偏离。研究半导体的一个中心议题是与研究各种缺陷以及它们对材料的性质和电子器件工作的影响相关的。有关半导体中广延缺陷的电子性质（即位错、堆积缺陷、晶粒间界和沉淀）和这些缺陷对各种各样电子器件的影响的课题几十年来一直引起人们广泛的兴趣。     

Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜材料的热壁外延生长

本文利用改进了的热壁外延装置，在ＧａＡｓ衬底上外延生长了ＧｄＴｅ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ，ＺｎＳ等半导体单晶薄膜，ＺｎＳｅ／ＺｎＳ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ异质结构和ＺｎＳ／ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ超薄层、多层结构。ＳＥＭ，ＥＭＰＡ，ＸＲＤ及ＰＬ等分析测试结果表明，所生长的半导体薄膜材料具有良好的结晶学性质和光学性质。     

光电信息材料

光电信息材料是一种新型信息材料，其传输、存储和运算信息的速度过错大于电子信息材料，在信息技术的发展中起重要作用，本文阐述了光存储材料，未免纤通信材料少光电功能材料的用途，研究现状和发展方向。     

有机光电材料研究进展与发展趋势

本文综述了有机光电材料的研究进展,及其在有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳电池、有机传感器和有机存储器等领域的应用;介绍了清华大学在有机发光技术方面取得的进展.     

硅基半导体光电子材料的第一性原理设计

具有特定功能的半导体材料的计算设计，是计算材料科学的一个重要研究领域．由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布，因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题．为了进一步解决硅基光电子集成（OEIC）技术发展的瓶颈．设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体，是一项富有挑战性的工作．本文在分析大量半导体能带结构的基础上，给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制，并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础，提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案．根据这个方案所表达的设计思想，我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计．结果发现，用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA／Sim／VIB／Sim／VIA具有直接带隙特性．其中当m=5或奇数时，材料有四角结构对称性，而m=6或偶数时是正交结构对称性．VI“。。是在〈001〉生长方向生长的单层VI族元素．这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配，与微电子技术相兼容，并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现．预期这类新材料及其相应器件的研制开发．将大大开拓全硅OEIC和硅光子集成（PIC）技术的进一步发展．     

半导体量子结构和Si基光电子材料设计的新进展

评述近年来在半导体量子结构电子态理论应用于Si基光电子材料设计方面的重要进展。着重对有直接高技术应用背景的论题进行讨论和展望。最近关于Si纳米晶光增益和纳米硅/氧超晶格材料超稳定电致发光等具有突破性发现的实验研究成果具有重要意义。对本课题组在该领域的主要贡献及最近关于Si/O超晶格结构的理论研究进展也作简要报道。这些研究正酝酿着信息领域光电子集成技术的重大突破。     

光电化学材料与器件省部共建教育部重点实验室

<正>一、实验室介绍江汉大学光电化学材料与器件省部共建教育部重点实验室于2011年10月获批组建。目前,实验室有专兼职教师51人,其中教授及研究员22人,副教授及副研究员7人,讲师及助理研究员14人,实验师及实验员8人。上述人员中具有博士学位者     

光电化学材料与器件省部共建教育部重点实验室

<正>一、实验室简介光电化学材料与器件省部共建教育部重点实验室于2011年10月获批组建。实验室以江汉大学为依托,以化学与材料科学的基础研究和应用研究为指导,以有重要应用价值的光电化学材料与器件为研究对象,探讨其制备、合成方法与机制,着重解决光电化学材料与器件发展过程中新出现的结构与制备、结构与性能关系问题,获     

光电化学材料与器件教育部重点实验室

<正>一、实验室概况光电化学材料与器件教育部重点实验室(江汉大学)于2011年10月获批组建,并于2015年10月顺利通过教育部验收,是省内市属高校中首个获批的教育部重点实验室。实验室致力于光电化学材料与器件工程领域的基础和应用基础研究,坚持立足武汉地区,面向产业需求,瞄准先进科技前沿,     

含微缺陷各向异性复合材料中的Jk积分和M积分

对于含裂纹、孔洞、夹杂等各种微缺陷的平面各向异性复合材料,通过Bueckner功共轭积分的路径无关性和渐进特性,给出了Bueckner积分在这类材料中的解析表达式,并引入不同的辅助位移应力场,证明了功共轭积分与Jk积分和M积分存在简单的2倍关系,由此获得了含微缺陷各向异性材料中Jk积分和M积分的显式表达式.结果表明:当各个缺陷上不受任何外力作用时,对于沿包含所有微缺陷的闭合积分路径,Jk积分总是为0,而M积分则取决于材料常数、外加机械载荷、具体缺陷情况等所有断裂损伤因素.此项研究有望为描述微缺陷损伤的M积分方法提供理论基础.     

板材成形缺陷及其数值仿真

以典型冲压件及冲压过程为例,介绍自行研制的覆盖件成形与模具设计ＣＡＥ软件系统对板材成形缺陷,即鼓动、起皱、破裂与回弹的数值仿真结果及与实验结果的比较．旨在检验金属塑性成形屈服准则、塑性流动本构理论以及动边界摩擦约束处理方法的有效性,进而为解决金属覆盖件塑性加工成形与模具制造工业面临的关键力学问题提供有效的数学工具．     

含缺陷材料冲击断裂的动态焦散线试验研究

采用新型数字激光动态焦散线试验系统,对固定倾斜角度不同离心率缺陷的PMMA试件进行了重锤冲击试验,研究含缺陷材料的动态断裂行为。研究结果表明:不同离心率的缺陷试件断裂形态基本相似;裂纹从试件下边界起裂,扩展至缺陷中部,发生停滞后由缺陷椭圆长轴上端点B继续起裂,直至贯穿整个试件。缺陷离心率的变化对裂纹的前期扩展没有明显的影响,对裂纹停滞时长及B点起裂时应力强度因子影响较大,缺陷离心率越大,停滞期时长越短。缺陷离心率的增大对缺陷端部的应力集中具有促进作用。