硼铝硅系透明玻璃陶瓷晶相生长的分形动力学

通过熔融法结合两步热处理制度制备了硼铝硅系透明玻璃陶瓷.基于R.Kopelman等人对分形结构中扩散控制反应速率的研究结果,探讨了硼铝硅系透明玻璃陶瓷中晶相生长的分形动力学.结果表明,用分形结构扩散控制反应动力学理论来分析硼铝硅系透明玻璃陶瓷的晶化过程是行之有效的,通过实验数据拟合得出分形子谱维数dS=1.269.     

ZQ高压功率二极管的玻璃钝化研究

本文研究报导了ZQ高压功率二极管的玻璃钝化方法,采用适当的腐蚀技术、玻璃粉涂敷技术和玻璃微晶化技术,获得了良好的内层玻璃钝化膜。实验结果表明,用该膜钝化的ZQ器件具有优良的可靠性和高温工作特性。     

低温钝化玻璃的研制

本文吸收日本专利文献[1]、[2]、[3]高温钝化玻璃之特长,并与普通低温玻璃[4]相结合,研制成一种新型的低温钝化玻璃。在所试验的半导体元件(如3DK50、3 CT30G等)上获得成功。国内外已有的高温钝化玻璃,仅适用于以半导元件的整体为对象(如半导体二极管的钝化、封装)的一种模型方法;而本文研制的低温钝化玻璃适用于所有半导体元件、器件的钝化、封装。     

扩散炉型等离子化学蒸汽淀积系统生长氮化硅膜的研究

为了进一步提高半导体器件的合格率和可靠性,集成电路管芯的表面钝化处理已成为半导体器件工作的重要课题之一. 由于铝硅合金最低共熔温度的限制,器件的表面最终钝化膜应在低温下淀积(<450℃).这就使得一些优质钝化材料,如阻挡可动离子沾污和抗湿气能力很强的高温GVD氮化硅,因淀积温度过高(700～900℃)而无法用于管芯蒸铝后的钝化工作中.为了     

氢化非晶硅膜在半导体器件表面钝化上的应用

本文叙述一种新的钝化膜——氢化非晶硅(a—Si:H)薄膜在硅半导体器件表面钝化上的应用。发现这种薄膜复盖于器件表面可以使PN结的反向漏电流明显减小,器件的小电流h_(FE)有较大幅度的提高。试验了三种不同的钝化方案,并对其钝化效果作了比较。根据实验结果,初步探讨了这种氢化非晶硅薄膜的钝化机理,指出其良好的钝化作用在于这种薄膜具有半绝缘、电中性和富含氢的特点。给出了钝化器件的长期可靠性试验结果。     

a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。     

某些氧化物对ZnO-B_2O_3-SiO_2系钝化玻璃性能的影响

本文运用差热分析、X-衍射分析、偏光显微镜和电子显微镜的分析,研究了某些氧化物(SnO_2、Ta_2O_5和PbO)对ZnO-B_2O_3-SiO_2系钝化玻璃在热处理前后性能的影响。认为该系统结晶型钝化玻璃析出的晶相主要是ZnSiO_4、α-Zn_5B_4O_(11)及Zn_3B_2O_6,而且通过热处理可控制和调节玻璃的物化性能。该类玻璃可用作硅元件的钝化材料。     

一种新的非晶钝化膜a—Si_xC_(1-x)∶H膜

本文介绍了一种新的钝化膜——a-Si_xC_(1-x)∶H薄膜在硅器件表面上的应用,实验结果表明:这种膜的钝化效果和a—Si∶H类似,在某些方面更好些,文中还对这种膜的钝化机理作了初步探讨。     

无机保护用硅晶闸管的研究

研究了直流溅射造成硅器件性能劣化的原因，探讨了用液相钝化预处理能提高溅射合格率的机理，提出了避免劣化的方法．试验证明，液相钝化多孔硅加溅射含氧非晶硅（ａ－ｓｉ：ｏ）所形成的复合膜是用于硅晶闸管表面保护的较好的无机材料     

聚酰亚胺表面钝化工艺

介绍了聚酰亚胺(PI)作为硅双极型大功率开关器件芯片制造阶段表面钝化膜的工艺技术,该钝化工艺的工艺简单、成本低且能与普通的硅平面制造工艺兼容。实验表明,该工艺的使用能提高器件的可靠性,降低生产成本。     

氮化硅薄膜的制备技术综述

氮化硅薄膜在微电子材料及器件生产中被广泛用作表面钝化保护膜、绝缘层、杂质扩散掩膜等。在硅基太阳能电池中,氮化硅用作钝化膜和减反射膜。本文综述了几种制备氮化硅薄膜的方法。     

熔凝玻璃钝化的研究和应用

本文介绍了以电泳涂敷法制成的较薄玻璃膜为介质膜的金属—玻璃—半导体(MGs)结构的C—V特性测量,介绍了离子探针(IMA)测量玻璃膜的性质以及运用计算机进行曲线拟合。结果表明,Zn系玻璃膜的负电荷密度和其热成型过程的气氛和温度处理有关。Na~+离子主要聚集在玻璃膜内靠表面一侧,其随深度分布趋势接近指数函数。作者研制了内层玻璃钝化高压PN结器件,测量得到了良好的电特性。     

高温退火对掺磷氮化硅钝化性能的影响

为了深入了解掺磷氮化硅的性质,以便更好地将其应用于太阳能电池,本文研究了高温退火(300~700℃)对掺磷氮化硅在p型硅上面的钝化性能的影响.实验结果显示,高温退火后,掺磷氮化硅钝化的p型硅样品的有效少子寿命发生了严重衰减现象.这表明高温退火削弱了掺磷氮化硅对p型硅的钝化性能.K中心的讨论和高频电压-电容曲线的分析结果表明,高温区掺磷氮化硅对p型硅的钝化性能减弱主要是由正的固定电荷数量增多引起的.     

非晶硅薄膜的低频辉光放电淀积

本文报导了利用低频(50赫)辉光放电法淀积非晶硅薄膜。测量了膜的电阻率、光学常数和红外吸收谱。实验表明该膜有良好的肖特基势垒特性和对硅器件的表面钝化作用。     

新型微通道板的进展与研究

这里介绍一种新型光电器件－新型微通道板（AT－MCP），阐述了目前还原铅硅玻璃微通道板（RLSG－MCP）存在的局限性及与其比较AT－MCP所具有的优点。     

用Raman光谱研究P_2O_5和M_0O_3对钠硼硅玻璃结构的影响

本文用Raman光谱研究了钠硼硅基础玻璃的结构及高价氧化物P_2O_5和M_0O_3对其结构的影响。结果表明,钠硼硅玻璃结构符合“基因模型”理论,M_0O_3以其阳离子的高场强作用使结构中三配位硼增加,而P_2O_5受配位关系制约使结构中四配位硼增加。     

含Sm稀土硼硅酸盐玻璃的形成区及吸收谱线

使用传统玻璃制造工艺,可以制得高含量的稀土硼硅盐酸玻璃。通过实验,得到稀土硼硅酸盐玻璃的形成区。与此同时,研究了稀土硼硅酸盐玻璃的吸收光谱。所有得到的数据表明稀土离子在玻璃结构中起着重要的作用。     

搪玻璃设备的修补方法及其配方

搪玻璃设备是用含高硅量硼硅玻璃质釉喷涂在钢制容器的表面并以高温将其烧成牢固密着于金属表面的制品.它具有良好的机械性能和化学稳定性,是一种优良的     

介质对高压硅半导体器件表面的钝化作用

本文研究高压硅半导体器件P-N结表面与表面保护材料的界面问题,作者分析了反向漏电流随电压的变化规律,在此基础上提出钝化系数B_(ID)、B_K,用以定量地讨论钝化作用和鉴别保护材料的质量。同时,用这些参数作者实验研究了现今用于PN结表面钝化的硅漆和硅橡胶中聚合物结构、侧基的组成、纯度及填料对钝化作用的影响,结果表明侧基中苯基较多,纯度较高的改性硅漆对于表面钝化作用是比较优良的。     

硼硅玻璃在氧化铝陶瓷上的高温润湿行为与界面结合性能

采用硼硅玻璃作为焊料,氧化铝陶瓷片作为基底,研究了玻璃焊料在氧化铝陶瓷基底上的高温润湿行为和界面结合性能,分析了温度、气氛和压力对组织和性能的影响规律.研究结果表明:真空条件下580℃熔融玻璃焊料与陶瓷基底之间接触角最小,为15.54°,玻璃焊料与氧化铝陶瓷基底具有良好的润湿性;在580℃真空条件下,且无加压烧结时,粘...