氩原子自电离共振跃迁的绝对广义振子强度测量

根据 Bethe理论 ,高能快电子碰撞截面可以分解为电子碰撞前后动力学散射因子和靶的电子碰撞激发跃迁的几率或广义振子强度 ( GOS) .作为动量转移函数的 GOS测量可以提供独特的电子跃迁和电子散射过程的信息 ,用于精确的波函数质量评估 ,以及开发新的量子计算方法等 . Lassettre及其合作者首先采用角分辨的电子能量损失谱技术用于精确的偶极振子强度测量 ,角分辨的电子能量损失谱方法优于光吸收谱方法之处在于前者可以在很宽的能量范围内获得精确的绝对截面数据而无需进行绝对的实验测量 ,它提供了一个强有力的实验手段用于原子分子价壳…     

电子与离子碰撞强度计算

散射电子用经典轨道理论描述,跃迁几率用量子力学方法进行计算,进而计算电子碰撞激发截面和碰撞强度.对于高能入射电子,在光学允许跃迁的情况下,用该方法得出比较好的结果.     

Ca,Ti,Cu,Ge,Mo和Ag原子的K壳层电离截面的理论计算

利用修改后的MBELL模型,研究K壳层的相对论效应和离子效应对快电子离子碰撞电离K壳层产生截面的影响;在BELL模型中,引入相对论效应和离子效应,基于相对论效应的K壳层电子离子碰撞电离截面的理论,计算Ca,Ti,Cu,Ge,Mo和Ag的K壳层电子碰撞电离截面。研究结果表明:考虑到相对论效应和离子效应后,修改后的MBELL的K壳层产生截面的结果明显优于BELL的计算结果和其他半经验公式的计算结果,其计算结果可用来模拟K壳层激光等离子体的超热电子能谱和产额,且可为一些电子仪器的制造提供精确的碰撞电离参数。     

Ne-HF散射的非弹性分波截面

利用非线性最小二乘法拟合在CCSD（T）／aug-cc-pVQZ理论水平下计算的分子间相互作用能,得到了基态Ne-HF复合物势能面的解析表达式．在此基础上,采用量子密耦方法计算了入射能量分别为60,75,100和150meV时,Ne原子与HF分子碰撞的分波截面,详细讨论了长程吸引和短程各向异性相互作用对非弹性分波截面的影响．结果表明：（i）势能面的长程吸引阱对低激发分波截面,特别是j=0→j′=1跃迁的尾部极大有重要贡献,而对j′≥3的非弹性跃迁截面没有贡献．（ii）短程（排斥和吸引）相互作用对低激发分波截面,特别是j=0→j′=1,2跃迁的主极大有重要贡献．对j′≥3的跃迁,短程相互作用在非弹性激发中起着关键作用．（iii）尽管不同碰撞能量时,非弹性分波截面的极大值和极小值对应的位置不同,但它们分别对应于几乎相同的碰撞参数．     

氦原子电子激发跃迁的绝对广义振子强度测量

在2．5keV碰撞能量下，采用改进后的高能量角分辨的电子能量损失谱仪，我们测量了作为能量损失E和动量转移K函数的氮原子1s1s→1s2s，1s1s→1s2p电子激发跃迁的绝对广义振子强度(GOSs)，GOS实验数据同Kim及Inokuti的基于第一玻恩近似的理论计算符合得非常好．     

1.5—4.5MeVα粒子引起Lu,Ta和Au L亚壳层电离的研究

以能量为１．５－４．５ＭｅＶ的α粒子轰击Ｌｕ，Ｔａ和Ａｕ靶，测得Ｌ亚壳层Ｘ射线产生截面，利用荧光产额和Ｃｏｓｔｅｒ－Ｋｒｏｎｉｇ跃迁几率等原子参数得到Ｌ亚壳层电离截面，将实验所得Ｌ亚壳层电离截面与ＥＣＰＳＳＲ预言值进行比较，对Ｌ１和Ｌ３亚壳层，理论值与实验结果符合较好。     

电子碰撞K壳层电离截面的理论研究

基于相对论的电子离子碰撞的K壳层的电离截面理论,计算了原子C、Al、Ca、Ti、Cu、Ge、Mo、Ag、Au、Pb电子离子碰撞电离截面,并分析了其随入射电子能量和电子温度的变化趋势,所得的计算结果和其它理论值和近期的文献实验数值进行了比较,计算结果可为Kα光子产额与超热电子数额和能量模拟提供原子参数.     

高里德堡原子同稀有气体原子热碰撞的L—混合跃迁截面

本文采用一种考虑了原子心电子屏蔽不完全效应的屏蔽库仑近似波函数,在冲击近似下计算了高激发碱金属原子钾、铷同氦原子热碰撞的角动量混合跃迁截面,进一步证明文献[3]结论的普遍性。     

内壳层电子电离对NaⅨ电子碰撞电离截面和速率系数的影响

在库仑-玻恩交换近似及我们改进的屏蔽常数定义和算法的Z-标度类氢模型下,计算了NaⅨ被电子碰撞的共振电离截面和速率系数.研究了内壳层电子电离对截面和速率系数的影响.     

核物探X射线荧光法在锡、锑、锶、钨、金、铜、铁、钼等矿产勘查中的应用

一、导言核物探放射性同位素X射线荧光方法,是在六十年代发展起来的。它的物理基础是:当放射性同位素所放出的X射线去轰击研究介质,使原子的电子壳层内层电子逐出而形成电子空位,产生激发状态,当邻近壳层上的电子补充这个空位时,同时放出特征X射线(即荧     

R矩阵法计算低能电子与Be+的碰撞激发

用二态密耦Ｒ矩阵方法,在入射电子能量约１－２０ｅＶ内,我们计算了电子与Ｂｒ＾＋碰撞的２ｓ→２ｓ,２ｐ弹性和激发截面,中列出了计算的结果,对比电子与Ｌｉ原子碰撞截面,详细讨论了各分波对截面的贡献。     

类钯Xe8+离子DR速率系数的理论计算

详细研究了温度在0.1～1650eV范围内类钯Xe8+离子的DR过程.详细计算了4d、4p和4s壳层电子激发到4f和5l壳层的DR速率系数,通过比较4d、4p和4s壳层电子激发的DR速率系数,发现在中低温时,4d电子激发的DR速率数最大,在高温时,内壳层4p和4s电子激发对总DR速率系数有重要的贡献.     

类钠铜、硒和锝离子电子碰撞直接和非直接电离速率系数

本文在Z标度类氢模型算法下,采用库仑-玻恩交换近似和改善的屏蔽常数定义,计算了类钠铜离子和类钠水窗两端的硒和锝离子的内外壳层电子的电子碰撞直接电离和非直接激发自电离的速率系数和截面.     

类氖Fe16+离子高激发态电子碰撞激发特性理论研究

基于全相对论扭曲波(RDW)电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了类氖Fe16+离子基态1s22s22p6 1S0的2p,2s和1s电子激发到高激发态1s22s22p5 ns,1s22s2p6 ns和1s2s22p6 ns(n=3,4,5,6,7,8,9,10)精细结构能级的碰撞激发截面,详细研究了碰撞激发截面随入射电子能量和主量子数n的变化规律,拟合了公式,总结了一些有意义的结论.     

高电荷态离子N~(q+)(q=3,6)与原子、分子碰撞中发射光谱

本实验对N6+—He，N3+—He和N3+—H2碰撞中的发射光谱进行了测量.从测量到的发射光谱分析证明：上述碰撞中存在着三种或四种激发通道：（1）单电子俘获激发通道：（2）双电子俘获激发通道：（3）入射离子直接激发通道；（4）靶直接激发通道。本文还给出了发射截面数据。     

高激发氢原子同稀有气体原子在均匀弱电场中碰撞跃迁截面公式

本文考虑了外电场引起的高激发氢原子能级的Stark移动和波函数的畸变两个因素,将零场下高Rydberg原子同稀有气体原子的碰撞跃迁理论推广到有均匀弱电场存在的情况;同时推导出抛物量子数本征态间的形状因子和跃迁截面公式。     

关联效应对氖原子电子碰撞激发过程的影响

利用全相对论扭曲波方法,系统研究了各种碰撞能量时中性Ne原子基态2p6 1S0及亚稳态2p53s3P2到2p53l(l=s,p,d)精细能级的电子碰撞激发过程,并分析了电子关联效应对靶态能级、辐射跃迁几率及其电子碰撞激发截面的影响.结果表明,电子关联效应对低能区的碰撞激发截面的影响尤其显著,靶态计算中考虑更多来自高激发态的电子关联后,会导致低能区的碰撞激发截面降低,并在一定程度上消除了与实验测量结果的偏差.对于2p53s和2p53p激发态,本文在关联模型B下的计算结果与以往的实验和理论符合的比较好.但是,对于2p53d激发态,不同理论结果之间存在较大偏差需要实验和理论研究进一步检验.     

电子碰撞Ag的L壳层电离截面的测量

作者用Si(Li)探测器测量了能量为5～2keV的电子碰撞Ag的L壳总平均电离截面；用Monte Carlo方法计算的电子反射能谱，修正了来自衬底的反射电子对测量结果的影响．作者对实验结果与Cryzinski的理论计算结果进了比较．     

NO脉冲流光放电激发解离截面的理论计算

将NO脉冲流光放电的2个主要激发解离通道作为主要研究对象,依据不同电子激发温度下电子能量分布函数和电子激发态的碰撞激发函数,积分计算了脉冲流光放电下NO的2个主要激发解离通道的激发碰撞截面,并依据激发碰撞几率函数归一的原理,研究了NO 2个主要激发解离通道的竞争过程.N原子和N+特征谱线荧光辐射强度随电子激发温度变化的计算结果与本研究小组的实验结果符合得很好,验证了理论处理的合理性,也为NO分解过程研究提供了理论依据.     

不同能态下电四极跃迁对不透明度的影响

理论上分析了电四极跃迁对激发能态的依赖,基于平均原子模型计算了Al和Au等离子体的不透明度,探讨了内壳层电四极跃迁在不透明度计算中的重要性,数值计算和理论分析相当吻合.