量子场反常维度γB(gR)与横动量标度分布

非微扰（短距离） 量子场论的横动量标度分布Ｑ－ ｖ⊥ Ｋν（β⊥ Ｑ⊥／〈Ｑ⊥〉） 与实验数据（ Ｓ＝ ５ ～１ ８００ＧｅＶ）符合得很好,在固定多重数Ｎ 用快度截断技术后的质量证认数据（ 单个强子源, Ｓ＝ １ ８００ ＧｅＶ） 与低能ｐ⊥－ 分布重合（ Ｓ＝ ５ＧｅＶ） ,低能ｐ⊥－ 分布反常的困难消失．这里量子场反常维度－２ γＢ（ ｇＲ） ＝ ０ ．０８４±０ ．００２ （αｓ ＝ ０ ．１２６ ±０．００３ ,ＱＣＤ）．强子源的相对论性多普勒（Ｄｏｐｐｌｅｒ）效应存在,而标度律仍然成立．     

强子物理中动量的(aQ)~νK_ν(aQ)标度分布(英文)

对固定的Ｎ在紫外固定点（β（ｇ※Ｒ）＝０）,γＢ（ｇ※Ｒ）＝－０．０４５±０．０１２（－３γＢ＝αｓ,ＱＣＤ）,单个发射源之内,陶标度（ａＱ⊥）νＫν（ａＱ⊥）分布成立（Ｓ＝２～１８００ＧｅＶ）,这是强相互作用的非线性关联〈ｐ⊥（Ｎ）〉Ｎ／〈Ｎ〉,〈ｐ⊥（Ｍｉ）〉Ｍｉ／〈Ｍ〉与〈Ｎ（ｐ⊥）〉ｐ⊥／〈ｐ⊥〉存在的缘故．实验上适当迭代地截除动量可得枚举平均标度动量分布．Ｊ源作为整体而运动,质心系中的的罗仑兹因子为γＪ．     

介子与核碰撞的B—E关联及其方向性

本文研究了２５０Ｇｅｖ／ｃ下π＾＋（Ｋ＋）同质子，核碰撞的Ｂｏｓｅ－Ｅｉｎｓｔｅｉｎ关联，用Ｑ＾－ｖＫｙ（Ｑ）分布拟合实验数据得出：当靶粒子为ｐ时，ｒ０＝２．１ｆｍ；发靶为Ａｌ核时，ｒ０＝３．５ｆｍ；当靶为Ａｕ核时，ｒ０＝４．１ｆｍ。     

非弹性散射和总截面的反常质量维度(S=10-100GeV)(英文)

在紫外不动点处,反常质量维度的实验值γｍ（ｇ※Ｒ）＝０．０７７２（Ｓ＝１０ＧｅＶ—１．８ＴｅＶ）,γｍ（ｇＲ）＝０．０５１７＋０．０００２（Ｓ＝２－１００ＴｅＶ,质子空气核）表明,电强相互作用的关系（ｇ※Ｒ～ｅ※Ｒ）普遍存在,且在ｇ※Ｒ＝０．３４８２３２（ＱＣＤ）,（ｅ※Ｒ）２／ｈｃ＝１／１２６．３０４９６２．     

强子物理学中的非线性关联〈p⊥(Mi)〉-Mi/〈M〉与质量产生(英文)

强子质量与横动量间的非线性关联依赖于质量反常维度γｍ（ｇＲ）,βｍ（ｇＲ）＝３［１＋γｍ（ｇＲ）／２］／２π（α※Ｓ＝０．１２８［ＱＣＤ］）与普适量〈Ｍ〉（０．１９２ＧｅＶ／ｃ２）．能量极小（动量极大）定理与强相互作用饱和性造成几个强子发射源的形成．关联链〈ｐ⊥（Ｍｉ）〉Ｍｉ／〈Ｍ〉,〈ＮＫＭＫ（ＮπＭπ）〉Ｎπ／〈Ｎπ〉,〈Ｎ（ｐ⊥）〉ｐ⊥／〈ｐ⊥〉反映的是非线性效应．质量质量关联则揭示强子物理中的质量产生过程都是非线性的     

H2SO4介质中Ce（Ⅲ）在铂电极上的氧化及其对Mn（Ⅱ）催化氧 …

在１ＭＨ２ＳＯ４，Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的氧化－还原伏安图表明，电位扫描速度为０．０５０Ｖｓ＾－１时氧化峰电位Ｅｐａ＝０．９２Ｖ还原峰电位Ｅｐｃ＝０．６４Ｖ，△Ｅｐ＝０．２８Ｖ，能峰电位随扫描速度而变化，峰电流Ｉｐａ和电位扫描速度的平方根√ｖ不成线性关系：Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的电荷迁移为准可逆过程，生成的Ｃｅ（ＩＶ）对Ｍｎ（Ⅱ）有均能催化氧化作用，催化电流峰电位在１．２６Ｖ处，催化反应受Ｍｎ（Ⅱ）。     

部分取代苯定量结构-生物降解相关性(QSBR)研究

采用Ｃｈｅｍｓ３Ｄ中量子化学ＭＯＰＡＣ－ＡＭ１法计算了７种间苯胺类和８地苯酚的分子量高占有轨道能ＥＨＯＭＯ、分子最低空轨道能ＥＬＵＭＯ。用ＱＳＡＲ程序软件包查得分子体积Ｖｍ。结合分子连接性指数（＾３Ｘ,＾３Ｘ＾ｖ）对生物降解二级速率常数对数ｌｇＫｂ进行定量结构－生物降解相关性（ＱＳＢＲ）分析,通过回归分析,得到如下两个回归方程：ｌｇＫｂ＝－０．８３２－０．１１８Ｖｍ＋１．７４８＾３Ｘ＾ｖ,ｎ＝１５,Ｒ＾２＝０．８３２,ＳＥ＝０．５７７,Ｆ＝２９．７,ｐ＝０．０００。（１）ｌｇＫｂ＝０．１２４Ｖｍ＋１．７４９＾３Ｘ＾ｖ,ｎ＝１５,Ｒ＾２＝０．９９８,ＳＥ＝０．５５９１,Ｆ＝４１４８．９９,ｐ＝０．０００．（２）     

关于无爪图中（u,v）—5路存在性的两个定理

证明了下列结果：（１）设Ｇ是３连通无爪图,│Ｖ（Ｇ）│≥６且Ｇ的每个导出图Ａ都满足φ（ａ１,ａ２）那么对任意ｕ,ｖ∈Ｖ（Ｇ）,若２≤ｄ（ｕ,ｖ）≤５,则对满足ｄ（ｕ,ｖ）≤ｋ≤５的整数ｋ,Ｇ中存在（ｕ,ｖ）－ｋ路（２）设Ｇ是３连通无爪图,│Ｖ（Ｇ）│≥６,且Ｇ的每个导出子图Ａ都满足φ（ａ１,ａ２）而Ｐ＝ｖ１,ｖ２,．．．ｖ５（ｖ１＝ｕ,ｖ５＝ｖ）是Ｇ的（ｕ,ｖ）－４路Ｇ（Ｖ（Ｐ）＝Ｋ│ｖ（ｐ）│则     

强子物理中的电荷不对称性与高p^2⊥处的粒子数比

在能区Ｓ＝２０～１８００ＧｅＶ，π介子，Ｋ介子与质子反质子间的粒子数比与电荷不对称性作为横动量ｐ２⊥的函数可用标度分布（ａＱ⊥）νＫν（ａＱ⊥）中的〈ｐ⊥（Ｍｉ）〉Ｍｉ／〈Ｍ〉关联与都普勒效应得到解释．都普勒速度ＶＪ／ｃ为：Ｋ介子发射源的速度比π介子发射源的小，但比质子发射源的速度大．这是强子物理中的新的质量效应．     

国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究

研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明,２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短路电流Ｉｓｃ和最大输出功率Ｐｍａｘ衰降变化快,辐照注量为２ × １０１０ｃｍ－２时, Ｐｍａｘ就已衰降为原值的７５％,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池对应相同的衰降辐照注量达８×１０１１ｃｍ－２,且 Ｉｓｃ和Ｐｍａｘ衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近３ × １０１２ ｃｍ－２时才迅速下降．背场Ｓｉ太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ｅｖ＋０．１４ ｅＶ和Ｅｖ＋０．４３ ｅＶ深能级有关,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ｅｃ－０．４１ ｅＶ深能级有关．     

1，10－菲罗啉－5，6－二醌伏安行为研究

在０．５０ｍｏｌ·Ｌ~（－１）ＮＨ_３－ＮＨ_４Ｃｌ缓冲溶液中，１，１０－菲罗啉－５，６－二醌有一还原伏安峰。当静止富集２ｍｉｎ，ｖ＝１００ｍＶ·ｓ~（－１）时，其峰电位Ｅ_ｐ＝－１．３１Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）。用线性扫描和循环伏安法等手段研究体系的伏安行为，特别是吸附性。实验表明，该体系属具有吸附性的不可逆过程。用于单扫示波极谱法测定，线性范围为５．０×１０~（－８）～５．０×１０~（－６）ｍｏｌ·Ｌ~（－１），其相关系数为０．９９９５。     

铁－α－安息香肟的新吸附催化波

本文给出了铁－α－安息香肟络合物在Ｎａ２ＣＯ３－ＮａＨＣＯ３底液中的极谱吸附催化波．在该条件下，峰电位Ｅｐ＝－０．５８Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）．铁在０～０．５μｇｍＬ－１范围内浓度和导数峰高呈线性关系．检测限为：５×１０－４μｇｍＬ－１．具有良好的稳定性和选择性．测定了头发及自来水中的痕量铁     

掺锑α－Fe_2O_3超微粉材料的晶粒生长、微结构与气敏特性

用化学共沉淀法制得掺有一定量锑离子的α－Ｆｅ２Ｏ３，超微粉料．ＴＧ－ＤＴＡ、ＸＲＤ及ＳＥＭ等分析表明，掺锑量（Ｓｂ／Ｆｅ原子比）小于０．２时，材料仍保持α－Ｆｅ２Ｏ３的晶体结构，但其晶化温度随Ｓｂ含量的增加向高温区移动；在低温段纯α－Ｆｅ２Ｏ３的晶粒生长活化能（Ｑ＝１０．３ｋＪ／ｍｏｌ）远小于Ｓｂ／Ｆｅ＝０．１（Ｑ＝３５．３ｋＪ／ｍｏｌ）粉料的活化能；Ｓｂ５＋取代α－Ｆｅ２Ｏ３晶粒中Ｆｅ３＋格位与在４５０℃下长期工作粉料颗粒不易长大，是造成掺锑α－Ｆｅ２Ｏ３元件电阻降低一个多数量级及气敏性能显著改善的主要原因．     

关于奇阶同阶图的联图的全着色

图Ｇ的全色数ｘＴ（Ｇ）是使得ＶＥ９Ｇ）中相邻接或相关联的元素均着不同颜色的最少颜色数，证明了：如果ｖ（Ｇ）＝ｖ（Ｈ），存在ｖ∈Ｖ（Ｇ），Ｖ‘∈Ｖ（Ｈ）使得Ｇ＾ｃ－ｖ和Ｃ－ｖ’都含有完美对集且Δ（Ｇ）＝Δ（Ｈ）并存在ｅ∈Ｅ（Ｇ－ｖ），ｅ‘∈Ｅ（Ｈ－ｖ’），使得Ｇ－ｅ和Ｈ－ｅ‘都是第一类图，或ΔＧ）〈（Ｈ）且存在ｅ∈Ｅ（Ｈ－ｖ’）使得Ｈ－ｅ‘是第一类图，则ｘＴ（ＧＶＨ）≤Δ（ＧＶＨ）＋２。     

铀试剂Ⅲ离常数的测定

用 ｐＨ测定法、溶解度法和分光光度法测定了铀试剂Ⅲ的八个离介常数,在离子强度等于０．１时它们分别为： Ｋ１＝１３±１．２; Ｋ２＝（２．４±１．１）×１０－２, Ｈ３＝（９．６±１．１）××１０－４;Ｈ４＝（３．３±０．１）× １０－５;Ｋ５＝（５．４±０．３）×１０－８;Ｋ６＝（１．０±０．２）×１０－９;Ｋ７＝（４．７±０．４）×１０－１１;Ｋ８＝（４．７±０．５）×１０－１３。并根据这些常数作出了试剂离介形式随ＰＣＨ的分布图。     

钴（Ⅱ）—氟哌酸络合物波的研究

氟哌酸（ＮＦＬＸ）在０．１ｍｏｌ·Ｌ＾－１ＮＨ３－ＮＨ４Ｃｌ（ｐＨ７．５）缓冲溶液中，与钴（Ⅱ）离子形成络合物，在单扫示波极谱仪上得一良好的络合物还原波，峰电位Ｅｐ＝－１．０９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），峰电流ｉｐ与钴（Ⅱ）浓度在０．０５０～２．５μｍｏｌ·Ｌ＾－１范围内成线性关系。用电化学手段研究了该体系的性质和反应机理，实验表明该波为不可逆吸附波。     

酞菁铁—表面活性剂薄膜修饰电极及其催化性能

将酞菁铁（ＦｅＰｃ）掺入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵（ＤＤＡＢ）的氧仿溶液，并涂布于热解石墨电极表面，待氯仿挥发后即制得ＦｅＰｃ－ＤＤＡＢ薄膜电极，循环伏安实验表明，在ＫＢｒ溶液中该薄膜电极有２对还原氧化峰，第１对峰的Ｅｐｃｌ＝－０．６４Ｖ，Ｅｐａｌ＝－０．２９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）第２对峰的Ｅｐｃ２＝－１．０４Ｖ，Ｅｐａ２＝－０．９４Ｖ着重探讨了第２对峰的电化学行为，估计了该体系的电化学参     

SmAlGe结构中的Al—Ge共价成键网络

用电弧熔炼法合成ＳｍＡｌＧｅ，以单晶Ｘ射线衍射法测定晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式ＳｍＡｌＧｅ，Ｍｒ＝２５０．０，正交晶系，ＬａＰｔＳｉ类型，（１０９）Ｉ４１ｍｄ，ａ＝０．４１９５７（３）ｎｍ，ｃ＝１．４５８８（２）ｎｍ，Ｖ＝０．２５６７９（４）ｎｍ３，Ｚ＝４，Ｄｘ＝６．４６４ｇ／ｃｍ３，μ＝３５．２７ｍｍ－１（λＭｏＫ＝０．０７１０７ｎｍ），Ｆ（０００）＝４２８，Ｔ＝２９６Ｋ，对于１２个最小二乘修正参数和１２０个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０３０，ｗＲ＝０．０２５．此化合物中主要是Ａｌ－Ｇｅ的共价结合并形成三维网络，经典极限情况下结构式可写成Ｓｍ３＋Ａｌ２－Ｇｅ１－，可称为“ｍｅｔａｌｉｃＺｉｎｔｌｐｈａｓｅ＂．而ＹＡｌＧｅ中Ａｌ－Ｇｅ准二维网络为共价到金属结合过渡，几何堆积因素占了很重要地位．     

二维渗流临界状态连接函数的幂估计

本文对二维边渗流模型给出了临界状态时连接函数τＰｃ（ｏ，ｖ）的幂估计，即存在常数ａ＞０，Ｃ１＞０，Ｃ２＞０使得Ｃ１｜ｖ｜＾－１≤τｐｃ（ｏ，ｖ）≤Ｃ２｜Ｖ｜＾－ａ，这里ｏ＝（０，０），ｖ＝（ｖ１，ｖ２）∈Ｚ＾２，｜ｖ｜＝｜ｖ１｜＋｜ｖ２｜．     

测定立方晶体线性热膨胀新技术的进一步证验

本文进一步证验了：就快速而准确测定立方晶体的线性热膨胀来说，用Ｘ射线衍射仪直接测量不同温度的衍射角比测量不同温度的点阵参数更好，用新技术测飞利浦ＰＷ＿（１５３０ＱＳ）型ＬｉＦ与广州产的高纯ＬｉＦ单晶在室温下的线性热膨胀系数分别为α＿（ＰＷ）＝（３．３７±０．０２）×１０￣（－５）／℃与α＿（ＧＺ）＝（３．３３±０．０３）×１０￣（－５）／℃