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1.
本文进一步讨论离子注入聚合物具有巨大的介质松弛损耗的形成机理和理论公式.作者首先评论了离子注入聚合物可能形成的损耗机理,在否定现有损耗模型的基础上,根椐霍尔效应对导电载流子的鉴别、介质损耗松弛时间温度关系与电导温度关系的一致性,以及隧道效应作用下,电子运劝具有一定速度的概念.推断介质损耗的形成在于隧道效应作用下,导电粒子之间电子的迁移.按照电子迁移形成极化性概念,考虑到电场作用下电子隧道穿透率的差异,建立极化强度的静态和动态方程,导出离子注入聚合物介质松弛损耗的公式。理论分析得到了实验结果的验证. 相似文献
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本文研究了聚酰亚胺薄膜(PI)在不同温度、厚度下的电压电流特性,以及热刺激去极化电流(TSDC)与极化电压的关系。由实验结果表明:聚酰亚胺的电导与电极限制电流有关,电流密度与电场的关系接近于肖特基效应;热刺激电流峰是由电极注入陷阱的电子热释放形成的。 相似文献
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Ag和Ni离子注入聚合物的分形生长 总被引:2,自引:3,他引:2
在Ag和Ni离子注入聚合物样品结构分析中,首次观察到注入的离子在聚合物中分形生长现象,用透射电子显微镜和扫描电子显微镜在注入样品表面与横同处均观察到了漂高的离子注入分形生长图,讨论了分形特点和分形生长的机理,并且与理论计算进行了比较。 相似文献
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使用N^+对聚苯胺溶液流延成膜进行离子注入改性,注入剂量最高为5.0Zm^-2,能量为10 ̄40keV。研究发现,本征态聚苯胺薄膜的电导率随着注入能量的增加而迅速增加,但随注入剂量的增加程度较缓慢,当能量增至36keV时,电导率增加9个数量级,FTIR光谱图显示了N^+注入后,使聚苯胺分子链部分C-C和C-H的σ键断裂,从而改善了它的导电性能。X-射线衍射说明,注入离子使聚合物微观结晶性能降低,无 相似文献
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α辐照对聚合物电导性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了几种聚合物材料(PP,PTFE,PET,PI)经过γ辐照后,电流-电压特性的变化;从辐照对材料结构的影响,探讨了辐照后的电导机理及空间电荷对於辐照后材料电性的影响,并由电导变化分析了材料耐辐照的稳定性。 相似文献
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ITO薄膜是一类被广泛应用的透明导电氧化物薄膜材料,也是稀磁半导体材料的候选之一。用MEVVA源在ITO薄膜中注入Fe离子,样品经快速热退火处理后,GAXRD分析注入的Fe离子掺入进了ITO晶格中,样品中没有发现Fe纳米团簇及氧化物等杂质相,但由于离子轰击,样品的结晶性变差,光透射率降低; Fe离子注入后,随着氧空位浓度降低,以及杂质散射增强,样品的电学性能降低,但由于Fe离子间通过氧空位形成了Fe-VO-Fe铁磁耦合对,促进了样品室温铁磁性的增强。 相似文献
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分析了Xe~+离子注入聚合物Q膜的拉曼光谱,对原始Q膜的拉曼谱线进行了指定.实验结果表明,随离子注入量的增加,其分子结构的特征谱线逐渐消失,当注入剂量达1×10~(17)Xe~+/cm~2时,注入层中原始膜的全部谱线消失,只在~1550cm~(-1)处出现宽的拉曼峰,说明注入层的分子结构遭到破坏,出现类似非晶碳的结构,注入层的电导率增加与其结构变化密切相关. 相似文献
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对等离子增强化学气相淀积多晶金刚石薄膜在N离子注入前后的场发射特性进行研究。研究发现,同一工艺条件下的淀积的多晶金刚石薄膜样口的发展射特性在离子注入前有较大的差异,离子注入后金刚石石薄膜场发射特性的差异基本上得到消除,而且在高场下发射电流密有一定程度的提高,场发射特性得到较大改善。 相似文献
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电导滴定法研究原油脱钙机理 总被引:2,自引:0,他引:2
选用配制一种合有环烷酸钙的模拟油作为原料油,用两种鳌合剂作为脱钙剂,利用电导滴定法进行了原油替合法脱钙机理的研究。绘制用模拟油滴定脱钙剂水溶液时电导率的变化曲线,结果表明滴定曲线与对鳌合机理的推测十分吻合。 相似文献
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离子注入植物引起生物效应的机理 总被引:12,自引:2,他引:10
陆挺 《北京师范大学学报(自然科学版)》1996,32(2):227-229
以30 ̄200keV的氮或磷离子束对玉米,小麦、水稻、黑麦等植物种子进行离子注入的处理,在处理的当代种子及以后几代种子中均出现显著的生物效应变异,如发芽率,生长速度植物株型等,染色体行为也出现异常。 相似文献
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采用脱氯化氢反应合成出氯仿可溶性的MEH-PPV聚合物,用MEH-PPV作为发光材料制备了单层结构ITO/MEH-PPV/Al和双层结构ITO/MEH-PPV/Alq3/Al电致发光器件,测量了器件的电致发光谱、I-V特性和B-V特性,利用能级理论分析了器件的发光特性了随器件结构的不同所具有的规律,实验表明,单层结构器件和双层结构器件的发光出现在MEH-PPV层,当加入Alq3电子传输层/空穴阻挡 相似文献
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用热氧化的方法在Si片上制备了不同厚度的SiO2薄膜,把能量100keV和180keV的^75As离子分别注入上述衬底,用2.1MeV的^4He离子对注入后的样品作了背散射分析。测出了^75As在样品中的射程发布。将实验测出的射程参数与TRIM90程序预言的结果作了比较,结果表明,实验测量的R^expp普遍大于ΔR^valp,上述现象产生的原因可能是在注入过程中As原子发生了辐射增强扩散。 相似文献
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我们用离子团束-飞行时间质谱(ICB-TOFMS)系统制备了金(Au)超微粒子-聚乙烯(PE)薄膜和C60-聚乙烯薄膜。用透射电子显微镜(TEM)分析了所制备的样品。它们的结构是Au超微粒子镶嵌在多晶的PE薄膜中,其中Au原子团呈球形,直径分布在2.0-5.0nm窄范围内,当沉积基底温度为90℃时,Au原子团相互靠近,几乎连接起来,但仍保持原来大小。基底温度为140℃蒸积的C60-PE薄膜具有晶态 相似文献
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BST薄膜的复阻抗谱及其电导性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用Sol-Gel工艺制备了BST薄膜,应用复阻抗谱和模量普技术研究了BST薄膜的介电响应,实验结果表明:BST薄膜的阻抗谱曲线是一个完整的半圆,且阻抗普半圆存在压低现象,而与此对应,复阻抗和复模量的频谱曲线只存在一个峰值,表明BST薄膜的介电响应主要起源于样品的晶粒体行为,而晶粒边界以及电极与薄膜界面的贡献可以忽略,交直流电导分析结果表明,BST薄膜的交直流电导激活能分别为93.5kJ/mol和100.3kJ/mol,BST薄膜存在这一激活能数值的主要原因是薄膜中氧空位的迁移引起的。 相似文献
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离子注入形成FeSi2埋层的电镜研究 总被引:4,自引:0,他引:4
利用MEVVA离子源将Fe离子注入到Si基体中会生成一层铁硅化物薄膜.利用电子显微镜,研究了这层铁硅化物的显微结构及其在随后的升温退火过程中发生的变化.研究结果表明,在离子注入剂量为1×1017/cm2的未退火样品中,亚稳的γ-FeSi2相占大多数,同时有少量的由CsCl结构派生的缺陷相Fe1-XSi.在(100)取向的Si片上,这个硅化物层埋在硅基体中,形成了厚度为25nm左右的埋层(buriedlayer)结构 相似文献
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每天我们生活在一个被聚合物包围的世界,从食品包装袋到玻璃家具的保护膜等等。通过了解认识和聚合物薄膜的结构和性质对于拓展其应用领域有重大意义。 相似文献
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采用两次重复的2^3析因实验设计,应用方差分析方法,研究了旋涂工艺中聚合物溶液的浓度,匀胶机的旋涂速度和加速度对旋涂的薄膜厚度和薄膜均匀性的影响。实验和分析的结果表明:溶液浓度和和旋涂速度对膜厚和薄膜均匀具有显著性的影响,而旋涂加速度对它们的影响则不显著。这一结论对于制备优质薄膜、改善聚合物发光器件性能具有重要的指导作用。 相似文献
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采用Ar^+离子溅射方法将300nm SnO2薄膜沉积在Si片上,分别对膜层进行60keV,5×10^16cm^-2Mg^+离子注入和100kdV,6×10^16cm^-1Nb^+离子注入,对未注入,Mg^+离子注入,Nb^+离子注入3种薄膜进行500℃,4h退火处理. 相似文献