半导体砷化镓的受激发射

半导体砷化镓p-n结的受激发光,国外在1962年11月首次获得。我们在1964年2月5日初次观察到了砷化镓正向p-n结的复合受激发光。p型材料杂质是锌;n型材料杂质是碲。受激光是从砷化镓p-n结的两抛光平行端面射出。样品尺寸为1.3×0.2×0.3毫米~3,在液氮温度下以脉冲形式工作。我们首先用单色光计测定了辐射的波长及谱线半宽度,在阈电流(25安培)以下时测得(非相干辐射的)谱宽为200埃;在阈电流以上时测得谱宽为20     

砷化镓——未来的半导体

1987年是英国医学研究委员会分子生物实验室建立40周年,英国New Scientist杂志(1987年5月21日)为此聘请了7位英曾经或正在在该所从事研究工作的科学家撰写纪念文章。这7位科学家中的6位都由于他们在该实验室的杰出成就,而获得了诺贝尔奖金。他们的文章回顾了自己从事研究的艰苦历程,以及在剑桥的生活。本刊现已组织把七篇纪念文章全部译成中文,并把它们献给本刊的广大读者。这七篇文章将分期刊登,请读者注意。     

砷化镓p-n结的受激发射

砷化镓的复合辐射具有高的量子效率,因此可以利用半导体p-n结正向注入来获得受激发射。我们在1963年12月31日制成了能产生受激发射的砷化镓激射器,本文报导这类砷化镓p-n结激射器的受激发射的辐射特性,包括谱线的变窄、光束的变窄以及电流达到阈值时辐射强度的陡然增加。还研究了77°K和20°K时,阈值电流的变化。 p-n结是由扩散方法制成的,在起始掺碲浓度为5×10~(17)厘米~(-3)至1.5×10~(18)匣米~(-3)的n型砷化镓中扩散锌,扩散深度为50微米。样品做成长方形,其结构示于图1。典型的样品尺寸为 0.15×     

重掺碳砷化镓的光致发光研究

异质结双极晶体管(HBT)利用宽禁带材料作发射区来允许基区重掺杂以减小基区电阻且不降低直流电流增益.基区重掺杂会干扰半导体的能带结构,从而影响器件的光学性质和电学性能.Klausmeier-Brown等通过电学测量已证实:由于基区重掺杂使得注入到AlGaAs/GaAs-HBT基区的电子电流显著增大,其原因归结为由重掺杂引起的禁带变窄使得n_0p_0乘积     

耐有机溶剂的单分散高效阴离子色谱固定相的研制

高效离子色谱技术自1975年由Ｓｍａｌｌ[1]创立以来,已成为测定ｐｐｍ＿ｐｐｂ级无机阴离子(包括一些有机阴离子)的主要分析方法.然而,长期以来,离子色谱仪只能直接用于自来水、雨水和河水等清洁水体样品的分析.对于象环境污水等含有机物的样品必须经过严格的除有机物前处理,否则就会污染价值昂贵的色谱柱.这是由于色谱柱中的有机高分子聚合物固定相不能用有机溶剂进行去污处理,超过10%的甲醇水溶液就会引起柱床的破坏,这一缺陷一度制约了色谱柱使用寿命的进一步提高和分析仪器应用领域的进一步扩大.90年代以来,世界著名离子色谱仪生产厂商…     

砷化镓光导开关的畴电子崩理论分析

在分析半绝缘(SI)砷化镓光导开关(PCSS)中丝状电流(流注)形成和传播的实验结果 的基础上, 提出了高增益砷化镓光导开关中的畴电子崩(EAD)理论. 该理论完善了EAD 概 念, 揭示了高增益GaAs PCSS 中局域内的强电场作用和高载流子密度效应使非平衡载流子 密度稳定增长, 从而导致流注形成. 应用EAD理论合理地解释了GaAs PCSS 中电流丝的形 成和传播, 解释了在器件两端的偏置电场低于载流子本征碰撞电离的电场阈值条件下器件 中存在载流子雪崩生长等实验现象, 结果表明在这类具有转移电子效应的半导体器件中, EAD 理论是分析流注形成的基本理论.     

本征砷化镓光导开关中的流注模型

应用耿效应电子学结合气体放电理论系统研究了高增益砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的工作机理, 提出了以畴电子崩为基础的流注模型, 阐述了畴电子崩概念及其物理意义和高增益GaAs光导开关中载流子的输运过程, 阐明了光导开关中光致电离的效应和畴电子崩可能导致集体碰撞电离在局域引发雪崩现象, 分析了流注形成的临界条件, 导出了流注维持发展的临界条件解析表达式, 揭示了与非线性模式(lock-on效应)密切联系的流注的形成和发展的一般规律. 应用这个模型合理解释了高增益GaAs光导开关的实验结果、非线性现象中流注快速发展和电流的上升时间很快的物理原因, 以及非线性模式的发展过程中的各种现象.     

标准CMOS工艺下单片集成MSM光电探测器的 2 Gb/s光接收机

在标准互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺下设计了1种单片集成金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal, MSM)光电探测器的光接收机. 带有源反馈和负米勒反馈电容的跨阻前置放大器用来提高光接收机的带宽. 由于MSM光电探测器具有较高的响应度, 所以光接收机的灵敏度得到改善. 由于MSM光电探测器的寄生电容较小, 在特许半导体0.35 μm工艺下实现了带宽为1.7 GHz的光接收机. 测试结果表明, 在-15 dBm的光功率和误码率为10^-9的条件下, 光接收机的数据传输速率达到了2 Gb/s. 在3.3 V电压下, 芯片的功耗为94 mW.     

单/双壁碳纳米管-层状金属氧化物片层交织结构的三维纳米复合材料

将一维的碳纳米管与二维的片层材料组合形成多级有序的三维纳米结构材料, 可获得许多奇特的新性能. 目前将碳纳米管分散在基体中形成了多种复合材料, 发现其力学、电学、磁学、热学以及输运性能都呈现了显著的增强, 但是在基体中均匀地分散碳纳米管往往是材料组装过程中的核心问题. 发展有效可控的一维/二维材料有序组装方法是获得高性能材料的关键. 碳纳米管生长结束后, 在表面活性剂、生物大分子辅助下超声、剪切、搅拌等是其分散常用的方法. 如果能利用碳纳米管生长过程中借助特殊结构的催化剂及工艺对碳纳米管的排列及分散进行原位控制, 这样就有望一步获得碳纳米管高度分散、多级有序、高性能的三维纳米复合材料. .....     

砷化镓(100)与石墨表面电子态的扫描隧道谱研究

对材料表面电子结构的研究,是固体表面物理研究的一个重要方面。近年来在扫描隧道显微镜(STM)基础上发展的扫描隧道谱(STS)技术,显示出在表面电子结构研究中独特的性质。它的一大特点是与STM结合,可以给出空间可分辨的表面价态和空态密度分布。这对于表面不同原子和不同微结构处局域电子态的研究具有重要意义。本文利用国内生产的大气中的STM系统进行改装,发展了STM/STS谱仪。利用这台系统,对砷化镓(100)和     

关于智能系统的综合集成

1 引言人工智能(AI)三十余年的历史,从研制自主系统(Autonomous system)到对人类思维的探索,均是以“还原论”作为其研究方法论的。近几年,AI研究者,特别是一些在AI界令人尊敬的著名学者已离开或准备离开传统AI研究的方法论——“还原论”之路,他们已经在考虑为AI开凿一条基于“进化论”的新路,我们强烈地感到变革前夜的气氛。Minsky认为,“我们应该从生物学而不是物理学受到启示,……”。进而他提出了“从上到下”与“自下而     

集成论的基本问题

集成作为现代系统科学及复杂性科学研究的新领域,正受到学术界的关注.集成论的研究目标在于探讨构造(包括集成条件、集成机理及集成规律等在内)的集成理论体系.集成单元、集成模式、集成界面、集成条件、集成环境属于集成论的基本问题,是系统研究集成理论体系的基础.本文以系统理论为基础,分析集成的本质和内涵,提出集成论的基本问题,旨在进一步系统地研究集成论.     

集成的研究领域与分类

本在对目前国内外各种集成研究进行分析的基础上，划分了集成研究的两大领域，即技术系统领域和组织系统领域。针对组织系统领域的集成活动，从集成对象所处的层次、集成的性能特点、集成的组织形式、集成主体行为性等角度进行分类研究，旨在系统深入研究集成活动的一般规律。     

新材料的研制

非金属导电体英国科学家已发现了第一个非金属导电体,该导体在温度接近绝对零度(-273℃)时在二维空间中导电.利用这类“分子金属”可以缩减对贵重金属的需求,从而大大降低计算机中电磁元件的费用.因此世界上有很多研究者目前正在研究制造具有金属性质的非金属固体的方法. 至今大多数分子金属只在一个方向导电(由于     

微型集成电路块改革新星——砷化镓(在伦敦英国皇家学院物理系的报告)

“集成电路块”的问世,使硅几乎成了一个家喻户晓的词,而今,特别是在高速化要求下,另一种材料——砷化镓正厉兵秣马,欲向硅在微电子学领域里的霸权提出挑战。     

用于卫星通讯的超导集成线路

美国国家航空航天局(NASA)的科学家制造出可产生通讯微波的超导薄膜电子线路,这一薄膜的发展是航空部门——美国五角大楼和电报通讯公司为促进设计卫星用超导线路的效应。     

GIS与其他信息技术的全面集成

分析了GIS与数据库，计算机辅助制图系统，GPS和遥感，多媒体和动画技术，虚拟现实技术和Internet技术等信息技术的集成。