利用正向电压下的导纳检测半导体二极管的新方法

提出了一种利用正向电压下的导纳—电压(A—V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法，并给出了它的一般分析．利用这种方法，可以判断一个二极管有无界面层存在，并测量在不同正向电压下串联电阻、结电容、结电压、理想化因子和界面层阻抗的数值．用A—V方法研究了采用不同的欧姆接触的Ni／n—GaN肖特基二极管，观察到肖特基二极管的负电容现象，并确认是一种结的效应．研究还发现，无论缺乏n^ 层还是缺乏适当的退火都能够导致界面层的形成，界面层应被看作具有非线性电阻和电容的层状结构．     

二极管伏安特性方程的矫正

通过对二极管电流的理论计算值和实验测试值的比较，指出目前教科书中给出的二极管伏安特性方程不能确切描述二极管的伏安特性，进而提出了重新建立这一方程的新见解。     

提高取样积分器稳定性的平衡取样法

提出了一种提高时间分辨率取样积分器稳定性的平衡取样法。利用平衡混频器能够消除本振噪声的原理，将两个单二极管取样门接成对称结构，由一个取样门脉冲控制，通过差分放大消除取样脉冲、偏置电压和二极管参数等变化引起的基线漂移，提高了取样积分器的稳定性。同时，在基于取样积分器的近距离冲激雷达中，可以大大提高接收机的灵敏度和目标检测概率。     

优化VDMOSFET体二极管的方法与意义

垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构中包含一个由p阱和n-漂移区构成的寄生二极管。本文就当前同步整流DC/DC转换器中大功率VDMOSFET体二极管导电导致的功率损失问题进行了较细致地分析,就减小体二极管反向恢复电荷问题进行了研究。在此基础上,提出了优化VDMOSFET体二极管的意义,在不改变工艺流程的前提下,给出了优化设计方法。     

基于光栅式数字测量仪的统计过程控制

选用光栅式数字测量仪、工业PC机和数据采集电路组成一个小型系统，对二极管注胶情况进行检测．仪器与计算机之间进行通信，实现数据的传输，PC机采用统计过程控制的方法分析处理数据，做出直方图和均值一极差(x^--R)控制图，反映被测对象质量是否合格的统计规律，不仅实现了对光电二极管注胶的检测功能，而且对改进生产工序、提高产品质量提供了重要的参考信息。     

新型二极管参数测试仪性能分析

二极管是一种十分常见的半导体器件，其对整个电子行业的发展起着至关重要的作用。二极管的参数准确与否直接关系着整个电路系统的性能，因此，对二极管的参数测试十分有必要。目前市场上对二极管参数测试的仪器较少，且性能参差不齐。对基于STM32的新型二极管测试参数仪进行性能分析，将其测试结果与传统伏安法测试结果对比，结果显示新型二极管参数测试仪能对二极管的参数测量有着很高的准确度。该新型二极管参数测试仪有广阔的应用前景。     

补偿法测二极管伏安特性的实验技巧

二极管伏安特性实验是大学物理实验中的一个基本实验,为准确测量二极管的伏安特性,必须有效地降低电压表和电流表的接入影响,补偿法可以达到这个目的,而且此方法有利于学生对补偿原理及电桥的理解和巩固,由于二极管阴值是非线性的,阴值变化的范围又比较广,给实验增加了难度.为了顺利开展实验,本文将谈一谈补偿法测二极管伏安特性的实验技巧.     

高效率二极管端泵浦 Nd : YAG 连续激光器

高效率二极管端泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ连续激光器陈津燕（中国工程物理研究院流体物理研究所成都６１０００３）用小功率激光二极管作泵浦源，研制了一台二极管连续端泵浦的Ｎｄ：ＹＡＧ激光器。泵浦激光波长为０．８０８μｍ，泵浦光耦合系统是一个透镜组。激光介质为Φ５ｍｍ...     

掺钯硅快恢复二极管VF～TRR兼容性研究

作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF－TRR兼容性，得到掺钯硅二极管的VF－TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果；这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合，作者对此进行了分析与讨论，根据实验结果，作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管。     

对二极管电流方程中m值测定的研究

对二极管电流方程在实际应用中存在的问题进行了分析。实验表明,二极管电流方程中的m值是随正向电压、电流变化而变化的量。对于锗二极管,m存在一个最小值,对于硅管,m值随正向电压与电流的增大而增大。     

利用模拟电感改进Chua电路的研究

首先介绍了Chua电路及其特性，给出实现非线性电阻的一种电路；然后设计了一种用集成运放、线性电阻和电容组成的模拟电感电路，利用模拟电感对Chua电路进行改进，取得了良好的效果；并且利用改进后的Chua电路构成的驱动一响应式混沌同步系统具有一定的鲁棒性、抗干扰等特性，为混沌在保密通信的实际应用奠定了基础。     

基于交流电机负载双向晶闸管关断电压暂态研究及缓冲电路参数优化

研究了以三相交流电动机为负载的双向晶闸管关断电压的暂态过程.采用综合矢量法建立关断过程的非对称系统暂态数学模型,求解结果揭示了双向晶闸管关断电压峰值及其dU/dt随RC缓冲电路元件参数的变化规律.该规律表明:缓冲电阻R存在最佳取值,它使dU/dt达到极小值,从而为合理设计缓冲电路提供了理论依据.     

基于模拟电感的多涡卷混沌电路实验研究

在蔡氏电路中,利用模拟电感电路代替实际电感,进行了混沌及多涡卷混沌吸引子实验研究,在示波器上观察到了较好的波形.实验表明,将模拟电感应用在振荡电路中,电路不但容易起振,而且参数调节非常方便.     

零电压开关全桥变换器的改进及仿真

在移相控制的串联谐振全桥软开关变换电路基础上 ,针对零电压开关全桥变换器 (FB ZVS PWM)的副边占空比损失和环流损耗问题进行了改进 ,即利用可饱和电感代替线性电感 ,进而提出了移相控制的零电压零电流开关全桥变换器 (FB ZVZCS PWM) ,并将改进电路与原电路进行对比分析和仿真实验 ,结果证明了FB ZVZCS PWM变换器无论是在开关性能和能量传输方面 ,还是在变换器的成本和效率方面 ,都具有明显的优越性。     

带有谐振缓冲器的逆变器的研究

在分析目前软开关电路以及谐振缓冲器的发展现状基础上,提出了一种具有单相换相特点的谐振缓冲器,在其作用下,逆变器工作在零电压开关环境下．论文分析了所设计的谐振缓冲器的工作原理以及控制规律,仿真结果证明了电路拓扑以及控制方案的可行性．     

PWM-GTO逆变器缓冲电路中吸收电容的限定

本文论述了前人不曾注意的CTO逆变器吸收电路在PWM工作状态下的特殊工作过程。对此过程进行完整的理论分析后,给出了该过程中吸收电路在主回路内形成的独立电流公式,并依此得出了吸收电容不能过大的结论,给出其上限。本文的论点经过了实验的验证。     

分布式直流高压缓冲器的研制

分析各种典型铁磁材料抑制和消耗中性束注入(neutral beam injector,NBI)系统中分布电容故障能量的特性,搭建测试平台利用1:10的短路放电测试实验优选出合适的材料组合,对集中式和分布式缓冲器结构进行仿真分析,推导出适用于80 kV中性束实验用分布式缓冲器设计参数并进行实物研制. 结果表明,所研制的缓冲器可将故障能量抑制在5 J以内.      

基于LTCC技术的新型电感模型设计

目的 设计新型的LTCC螺旋电感的等效电路模型.方法 考虑到LTCC多层结构之间的相互影响,在基本等效电路的基础上,增加了对地的耦合电容和电感,以及螺旋结构之间耦合电容、电感.结果 通过三维电磁仿真和高频电路仿真表明电路模型和三维LTCC螺旋电感在0～10 GHz范围内有非常好的吻合度.结论 新型电路模型在较宽的频率范围内能够代替三维LTCC电感,在射频电路设计方面有很强的实用性.     

高压大容量STATCOM逆变桥缓冲电路的优化设计

提出了一种基于改进布谷鸟搜索算法的缓冲电路优化方法。该方法依据缓冲电路的工作原理将优化设计目标设定为求解三个目标函数的问题,并通过计算关断过程中总损耗最小,进而求得各优化目标的值。最后,以ST1500GXH24型注入增强栅晶体管(IEGT)为例,在PSIM软件中进行仿真验证。结果表明,布谷鸟寻优算法搜索到的最优参数使功率器件表现出了良好的性能。