首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势方法,用广义梯度近似(GGA)作为交换关联势,分别计算了CuAlO2的三角形(3R)和六角形(2 H)两种结构之间的相变及其热力学性质.通过分析能量-体积的关系,发现从3R到2 H的相变压强是27.5GPa.通过准谐德拜模型,得到了三角形(3R)和六角形(2 H)两种结构CuAlO2的热力学性质,其中包括德拜温度ΘD,热熔CV,热膨胀系数α和格林艾森参数γ在温度0-800K和压强0-27.5GPa及27.5-100GPa时的变化情况.通过对CuAlO2的能带结构进行分析,得知零压下价带在L点取得最大值,而在导带的Г点取得最小值,帯隙为1.858eV.  相似文献   

2.
    
  相似文献   

3.
卢彩彬  李新梅 《科学技术与工程》2021,21(25):10646-10653
基于密度泛函理论,研究了合金元素Zr、Hf、Nb、Ta对NiAl合金的电子结构、力学性能和热学性能的影响,分析了合金相的晶胞参数、态密度、韧脆性以及焓、自由能、熵、德拜温度和热容.研究表明:Zr、Hf、Nb和Ta在晶胞结构中都倾向于取代Al位点,合金化后晶胞的晶格参数和晶胞体积均增加到不同程度.态密度图显示0~20 e...  相似文献   

4.
本文利用密度泛函理论(DFT)第一性原理平面波超软赝方法对C-Si共掺杂TiO2电子结构、差分电荷密度和光学特性进行了研究,计算结果表明,共掺杂能明显降低体系的带隙(约为1.7eV)。能有效增加其光催化活性;从总态密度图可以得到,费米能级附近的杂质态降低了载波跃迁能。C-Si的共掺杂能有效提高其在可见光区域的吸收系数,特别是在三种不同的构型中,第三构型在可见光区域具有最大吸收系数。  相似文献   

5.
在密度泛函理论框架下首先用局域自旋密度近似(LSDA)方法,研究了具有钙钛矿结构的材料SrHfO3的电子结构,发现Sr显示比较明显的离子特性,Hf和O之间由于杂化形成了共价键.得到该化合物的带隙为1.54 eV,磁矩为零.考虑Hf 5d局域电子之间的在位库仑相互作用(即采用LSDA+U方法进行计算)后,磁矩依然为零,但态密度分布有明显的改变.计算结果表明,该材料中Hf 5d之间的在位库仑相互作用U为8.0 eV.  相似文献   

6.
本文对热作模具钢3Cr2W8V和4Cr5MoSiV1钢的耐磨性、高温拉伸、冲击性能及热疲劳抗力进行了对比研究.结果表明,4Cr5MoSiV1钢的高温强韧性优于3Cr2W8V钢,且具有更高的耐磨性及热疲劳抗力,更适宜做摩擦压力机热锻模.  相似文献   

7.
用螺环化合物封端分子量不同的齐聚物对环氧树脂进行改性研究.用这样的齐聚物改性环氧树脂,可以减少残留在树脂基体中的环氧基因,基体的Tg和热稳定性随齐聚物加入量的增加而降低,树脂的粘结强度则随齐聚物加入量的增加而增加,而基体的拉伸断裂强度稍有降低,韧性有所提高.本文对观察到的实验现象作了讨论.  相似文献   

8.
用LDSA密度泛函理论系统研究了B2X4(X=F,Cl,Br,I)的分子结构及其稳定性,结果表明B2E4的D2h对称性的构型较D2d构型略为稳定,而B2X4则是D2d对称性的构型较为稳定,从理论上2解释并预测了实验结果。  相似文献   

9.
本文设计并制备了TeO2-ZnO-BaF2-Nb2O5系列玻璃,考察Nb2O5含量变化对玻璃结构和玻璃性能的影响。研究发现,随着Nb2O5含量的增加,[TeO4]和[TeO3]的含量比先增加后减少,玻璃的网络结构先增强后减弱。相应地,玻璃的热稳定性先增加后降低,△T和S参数的值先增大后减小。在Nb2O5含量15mol%时热稳定性最高。另外,随着Nb2O5含量的增加,玻璃带隙减小,有利于光学性能提高。  相似文献   

10.
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,计算了高压下固相硝基甲烷的光学性质.计算获得的基态结构参数与实验和其他的理论结果相吻合.光学性质的计算表明,光吸收出现在1.5eV,压强影响下发生红移,吸收峰加宽并向高能量方向移动.同时,还系统地研究了高压下固相硝基甲烷的介电函数、折射率、反射率、吸收系数和能量损失函数在30eV内的变化情况.  相似文献   

11.
应用基于粒子群优化算法的卡里普索(CALYPSO)晶体结构预测方法, 我们发现了一种新型的具有四方结构的BC2N的同素异形体, 空间群为I4/MMM. 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对该新型BC2N结构的电子能带结构、 态密度、 以及弹性性质展开了深入的研究. 计算结果发现: 此BC2N结构动力学稳定, 并且具有较大的体弹模量 (3544 GPa) 和剪切模量 (3755 GPa); 同时, 理论计算还表明该结构是一个带隙宽度为216 eV的直接带隙半导体, 其维氏硬度值可达到656 GPa. 因此, BC2N有望成为一种潜在的新型超硬材料和发光材料. 本工作将为人们探索新型的超硬材料提供一定的理论依据.  相似文献   

12.
利用第一性原理的密度泛函方法对MgGeP_2结构性质,弹性性质和热力学性质进行了系统的研究,得到了平衡态的晶格常数,能带带隙,弹性系数和其他相关的热力学参数.通过对结果进行理论分析发现:MgGeP_2在零压下属于直接带隙半导体,带隙值为1.522eV.而弹性性质计算说明MgGeP_2是各向异性且具有良好塑性的材料.在0~40GPa的压强和0~800K温度范围内,利用准谐德拜模型理论计算了热膨胀系数,热容CV和Cp,熵和德拜温度随压强和温度的变化趋势.  相似文献   

13.
    
WCoB based cermet is a potential hard alloy to replace WC-Co cermets with high hardness and corrosion resistance. WCoB based cermets with different Cr doping contents were fabricated by spark plasma sintering in liquid phase sintering stage. The densification behavior, phase composition, microstructure and mechanical properties of Cr doped WCoB cermets were investigated by XRD, EDS and SEM. Due to the lower density of Cr,the density of WCoB cermets decreased with the increasing of Cr doping content. The phase composition consisted of Cr doped WCoB, unreacted W, Co–Cr binary binder phase. When the doping content exceeded11.736 wt%, the Cr enrichment zones appeared, which was harmful to the TRS. The increasing of Cr doping content contributed to the increase of unreacted W phases content and the formation of pores. The maximum value of Vickers hardness was 1751 Hv0.5 at 9.356 wt% Cr doping content. The variation trend was explained by first principle calculation, which is consistent with Hv-Zhou hardness model.  相似文献   

14.
采用基于密度泛函的第一性原理方法计算了四角形MgH2的电子结构,通过准谐德拜模型研究了MgH2在压强为0~100 GPa,温度为0~600 K范围内的热力学性质。研究得到了MgH2零温零压下的平衡体积V、晶格常数、带隙,以及体弹模量B0、摩尔定压热容Cp,m、熵S、德拜温度Θ、体膨胀系数α随温度和压强的变化关系。  相似文献   

15.
基于第一性原理,以板钛矿相TiO2、稀土/板钛矿相TiO2原胞为基本模型,利用MS4.0软件的castep模块结合ATK软件计算了17种稀土/板钛矿相TiO2的态密度、晶体能、能隙等参数。结果表明:除Sc、Y外,其余稀土元素均有利于降低板钛矿相TiO2的能隙,其与4 f电子结构相对应。Sc和Y利于降低板钛矿相TiO2的晶体能,其利于降低合成所需能量。  相似文献   

16.
基于第一性原理理论求解玻尔兹曼运输方程的迭代解方法准确计算了氟化锂的晶格热导率.采用实空间有限差分超晶胞方法来计算二阶力常数和三阶的力常数.然后通过二阶力常数和三阶原子力常数计算氟化锂晶体的相关物理性质.结果表明,室温下氟化锂的晶格热导率为13.89W/(m·K),与实验结果一致,这表明这种计算方法可以准确得到这种材料的晶格热导率.  相似文献   

17.
采用基于密度泛函的第一性原理方法计算了四角形MgH2的电子结构,通过准谐德拜模型研究了MgH2在压强为0~100 GPa,温度为0~600 K范围内的热力学性质。研究得到了MgH2零温零压下的平衡体积V、晶格常数、带隙,以及体弹模量B0、摩尔定压热容Cp,m、熵S、德拜温度Θ、体膨胀系数α随温度和压强的变化关系。  相似文献   

18.
用密度泛函理论的局域密度近似和广义梯度近似下赝势平面波,得到了二硼化钪的电子结构、硬度及高压下弹性性质。从电子结构上看,二硼化钪的化学键是具有共价、离子及金属键性质的混合键。得到的弹性常数(Cij)、体弹模量(B)和剪切模量(G)与其它结果进行了比较;并得出德拜温度、线性压缩率及泊松比;用布居数得出硬度。  相似文献   

19.
用密度泛函理论的局域密度近似和广义梯度近似下赝势平面波,得到了二硼化钪的电子结构、硬度及高压下弹性性质.从电子结构上看,二硼化钪的化学键是具有共价、离子及金属键性质的混合键.得到的弹性常数(Cij)、体弹模量(B)和剪切模量(G)与其它结果进行了比较;并得出德拜温度、线性压缩率及泊松比;用布居数计算得到硬度.  相似文献   

20.
    
General strategies are proposed by passivated co-doping in present paper to improve the photocatalytic activity of semiconductors for degradation of environmental pollutants.The ideal band gap of semiconductors for enhancement of photocatalytic activity can be lowered to match with visible light absorption and the location of the Conduction Band(CB) should be raised to meet the reducing capacity.Then we apply the strategy to anatase TiO2.It is predicted that nonmetal–metal co-doping TiO2can modify the catalyst band edges by raising the valence band(VB) edge signifcantly and making the CB edge increased 0.24 eV.Therefore,the band gap for co-doping system should be narrowed to about2.72 eV.(N,Ta) is predicted to be the target donor–acceptor combination with the band gap of 2.71 eV,which red-shifts the TiO2absorption edge to 457.6 nm in visible range.The band engineering principle will be ft to other wide-band-gap semiconductors for enhanced photocatalytic activity.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号