含液晶基元的光控取向薄膜新型材料的制备及初步表征

合成了一种侧链上同时含有液晶基元、柔性间隔基和肉桂酰感光基团的新型液晶聚合物,用核磁共振(1H NM R)和傅里叶红外光谱(FT IR)确定了上述中间体的结构,并用热分析等手段研究了聚合物性能.经线性偏振紫外光聚合技术处理聚合物膜,通过检测照射前后聚合物薄膜透光率的变化可知,所制备的取向薄膜具有良好的定向能力,该聚合物是一类具有潜在应用价值的新型光控取向薄膜材料.     

无模板电化学沉积生成附着一维针尖或二维薄膜结构的ZnO纳米柱阵列

采用无模板电化学沉积,以n型(100)硅片为衬底,生成ZnO纳米柱阵列,并在不同条件下进行二次生长,分别在纳米柱表面生成一维针尖与二维薄膜结构.通过场发射扫描电镜图片(FESEM)和x光散射谱(XRD)研究了二次生长机理.结果表明,电流密度高低控制Zn0二次生长形貌:大沉积电流在纳米柱表面生成沿c轴取向针尖;小电流则容易形成沿a轴取向薄膜结构.     

偶氮苯侧链液晶聚合物膜快速不饱和光致取向研究

用薄膜透射率变化研究了偶氮液晶聚合物膜不同功率光照条件下的取向速度及取向稳定性,并用锥光干涉图确定了相应介晶基元的取向方向。实验结果表明介晶基元的取向速度和取向度随光照时间和光照功率增加而增加,超过一定功率阈值时,取向变得不稳定,光照时间增加而薄膜的取向度(透射率)反而降低。介晶基元的取向方向结果表明在阈值功率以上强度光照时,介晶基元发生了面内和面外两种取向。面外取向的介晶基元不稳定,在停止光照后容易发生解取向,聚合物膜的透射率降低。而面内取向的介晶基元则能稳定维持其取向状态,不会发生解取向。采用不饱和取向的方法可缩短取向时间95%,薄膜取向度提高1.3倍。4 ms的一次曝光足以使聚合物膜产生可读出、稳定的面内取向,取向的结果能保持2年不发生变化。     

化学法在Ni-W基带上制备Ag缓冲层研究

在双轴织构的Ni-W基带上,采用化学镀银法为YBa2Cu3O7-δ(YBCO)涂层导体制备Ag缓冲层薄膜,并通过XRD和φ扫描研究烧结温度和镀银次数对Ag薄膜取向的影响。结果表明,在Ar-H2混合气氛下,于870℃镀银5次所制备的薄膜具有(200)晶面单一取向;采用化学法制备的Ag薄膜有较好的外延性,且适用于涂层导体中的单一导电型缓冲层。     

粘弹性纤维在均匀变形流场中的悬浮动力学

本文以三珠二杆粘弹性铰接的珠链作为纤维的模型,用将珠链运动分解为准刚体运动和纯变形运动的方法,对粘弹性珠链纤维在均匀变形流场中的悬浮运动进行了研究。得到了纤维速度,加速度分布公式,纤维平均取向的角速度南纤维纯变形运动方程。并发现,在纤维质心运动方程中,集中在纤维质心上的各圆珠的斯托克斯阻力之矢量和就等于流体作用于纤维质心的斯托克斯阻力;在纤维相对于质心的动量矩方程中,力矩是准刚珠链纤维中各圆珠上相对于纤维质心的斯托克斯阻力矩之矢量和。特别是在不计纤维惯性、重力和浮力的条件下,当纤维刚直并作平面运动时,其角速度与同样条件下无限长径比椭球角速度的 Jeffery 公式完全一致。     

低温生长纳米ZnO薄膜的结构

采用气体放电活化反应蒸发技术(GDARE),以玻璃为衬底,在较低的温度下沉积纳米ZnO薄膜,用二次蒸镀法克服薄膜生长饱和问题、有效增加膜厚及改善薄膜质量。讨论了GDARE法低温下沉积纳米ZnO薄膜的生长过程及成膜机理。由原子力显微镜(AFM)和X-射线衍射谱(XRD)分析薄膜表面形貌和晶体结构,研究结果表明,二次蒸镀法沉积的双层纳米ZnO薄膜具有更好的结晶质量及长期稳定性,薄膜沿C轴高度取向生长,内应力较小,晶粒尺寸均匀,平均粒径约35nm,表面粗糙度降低。     

方差分量的MINQUE通用公式

从概括函数模型出发,研究了最小范数二次无偏估计应具有的性质不变性、无偏性和最小范数性,导出了适用于所有平差函数模型的方差分量的最小范数二次无偏估计的通用公式,该公式在特定条件下与Helmert型通用公式、极大似然估计通用公式、最优二次无偏估计通用公式一致.由国外学者C.R.Rao导出的方差分量最小范数无偏估计公式以及由LarsE.Sjberg所给出的方差分量最优二次无偏估计公式,都是该通用公式的特例.     

自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性

采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm²/(V·s).      

强磁场下蒸镀法制备Co_3O_4薄膜

为了研究强磁场对蒸镀法制备Co3O4薄膜结构影响,以提高该材料的取向性,改善Co3O4薄膜的磁学性能,该文以99.99%的Co为原料,分别在无磁场和强磁场条件下低真空热蒸镀Co3O4薄膜,采用扫描电子显微镜、X射线衍射和振动样品磁强计研究了以Si(111)为基底的Co3O4薄膜晶粒尺寸、取向和磁性能。结果表明:随着磁场强度增加至4T,晶粒尺寸由200 nm减至20 nm,晶体由杂乱取向排列转为平行于磁场方向取向生长,薄膜的矫顽力减小,矩磁比增大至0.81。结果表明:强磁场对蒸镀法制备Co3O4薄膜晶粒的大小和取向有显著影响,能显著提高材料的矩磁比。     

强磁场下蒸镀法制备Co_3O_4薄膜

为了研究强磁场对蒸镀法制备Co3O4薄膜结构影响,以提高该材料的取向性,改善Co3O4薄膜的磁学性能,该文以99.99%的Co为原料,分别在无磁场和强磁场条件下低真空热蒸镀Co3O4薄膜,采用扫描电子显微镜、X射线衍射和振动样品磁强计研究了以Si(111)为基底的Co3O4薄膜晶粒尺寸、取向和磁性能。结果表明:随着磁场强度增加至4T,晶粒尺寸由200 nm减至20 nm,晶体由杂乱取向排列转为平行于磁场方向取向生长,薄膜的矫顽力减小,矩磁比增大至0.81。结果表明:强磁场对蒸镀法制备Co3O4薄膜晶粒的大小和取向有显著影响,能显著提高材料的矩磁比。     

具有历史洪水时P—Ⅲ分布线性长法的研究

为了填补国内空白,基于美国学者Hosking1990年提出的线性矩法（L-monent）,专门就线性矩法在P－Ⅲ分布下参数估计的算法,与传统参数估计方法在统计性方面的差异进行介绍与分析计算,提出了具有历史洪水时该法的计算公式,大量统计试验结果表明,线性矩法确定具有良好性能,矩较法好得多,与概率权重矩法（PWM）结果很接近,所提出的具有历史洪水情况下的线性矩公式是合理有效的。     

聚合物硬弹性及其微孔膜新材料结构的开发——浙大高分子科学与材料研究所访谈录

浙江大学高分子科学与材料研究所是浙江大学高分子系下属的一个研究所,诞生于改革开放的年代,旨在以该系历年来的科研成果为依托,实施高科技产业化,同时也承担学校培养硕士、博士生任务.近年来,承担了国家自然科学基金项目、国家科委“八五”、“九五”攻关项目、国家863高技术项目、国家部委重点科研项目、省科委与国家火炬计划项目等共九项,获得了“聚丙烯中空纤维微孔膜的制备新工艺”等七项中国专利和多项国家级、省级、市级与国际机构的奖励.尤其是其中关于聚合物硬弹性及其微孔膜新材料结构的研究及其应用开发,不论在学术上还是技术上都取得了重大成就,推翻了国内外许多学者提出的“晶片形变”能弹性模型,肯定了聚合物的结晶性只是硬弹性的一个充分条件而非必要条件;首次发现了聚合物在力学上、光学双折射及分子链拉伸取向上的反常行为;应用高技术“应力场结晶”新工艺,把聚丙烯中空纤维微孔膜的平均孔径范围扩展到可在100(?)～1000(?)中任意调节,解决了国外聚丙烯中空纤维膜只能用于微孔过滤而不能用于超滤与透析的难题.为此,去年荣获国家发明三等奖、国家自然科学基金会优秀研究成果奖和国家教委科技进步二等奖.在参加全国第二届科技大会时赴京领奖代表受到了江泽民、李鹏等国家领导人的亲     

具有历史洪水时P-Ⅲ分布线性矩法的研究

为了填补国内空白,基于美国学者Hosking1990年提出的线性矩法(L-moment),专门就线性矩法在P-Ⅲ分布下参数估计的算法,与传统参数估计方法在统计性能方面的差异进行介绍与分析计算,提出了具有历史洪水时该法的计算公式.大量统计试验结果表明,线性矩法确实具有良好性能,较矩法好得多,与概率权重矩法(PWM)结果很接近,所提出的具有历史洪水情况下的线性矩公式是合理有效的.     

“第十六届全国波谱学学术年会”征文

由中国物理学会主办的“第十六届全国波谱学学术年会”将于2010年11月23—28日在海口市举行。 会议征文范围：核磁共振、电子顺磁共振、磁共振成像、核四极矩共振，以及磁共振相关领域的理论、方法、技术及其在物理学、化学、生物学和医学等方面应用的未公开发表过的研究工作。全文截稿日期：2010年5月30日。     

均匀薄膜制备有新法

中国科学院长春应用化学研究所高分子物理和化学国家重点实验室杨小牛课题组，通过使用可控溶剂气氛处理的方法，成功制备出由聚噻吩平躺片晶构成的大面积均匀薄膜，其中聚合物主链垂直基底生长。结晶性共轭聚合物由于规整的堆砌结构具有更优异的光电性能，其中聚（3-烷基）噻吩在聚合物场效应管和光伏电池等薄膜光电器件中有巨大的应用前景。杨小牛等通过可控溶剂退火的方式获得了最难获得的分子链直立于薄膜取向，相应的晶体尺寸也获得了很大提高，特别是垂直于薄膜的方向，为克服该方向上电荷难以传输的难题提供了一种有效的解决途径。     

含有生物质纤维的聚酰亚胺薄膜的制备及性能测试

聚酰亚胺(polyimides,PI)是以二酐或二胺合成的耐高温聚合物,因其耐高温性能强成为使用温度最高的工业化聚合物材料之一。针对目前PI薄膜在强度方面存在的断裂延伸率低、拉伸强度低等问题,通过调节聚合物的质量浓度、比例、加料方式、加入生物质纤维等方式制得了不同强度的聚酰亚胺薄膜。以4,4-二氨基二苯醚和3,3,4,4-联苯四甲酸二酐作为反应的前驱体,在交联剂的存在下,采用正加料法制备聚酰胺酸(polymer polyacrylic acid, PAA),将制备好的PAA放置在表面铺有均匀藕丝的培养皿中,加热使其亚胺化,制得聚酰亚胺薄膜。结果表明含有藕丝的聚酰亚胺薄膜的断后标距和弹性模量均低于未掺杂藕丝的薄膜,其中PI-2%藕丝断裂延伸率为6.49%,抗拉强度达67.33 MPa,最大力数据为57.47 N,远高于未掺杂藕丝薄膜力学数据。研究表明藕丝纤维的加入在一定程度上增强了薄膜的力学性能。     

基于索膜假定的大跨斜拉桥主梁轴力修正公式

为了更深入探寻斜拉桥极限跨径,快速计算出不同拉索布置型式的大跨斜拉桥主梁轴力,文章基于密索斜拉桥索膜假定,求解出拉索在主塔上的位置方程,并推导出恒活载作用下扇形体系斜拉桥主梁轴力实用公式,给出简化的辐射式、竖琴式拉索布置的斜拉桥主梁轴力公式,且与丹麦学者Gimsing、我国学者王伯惠的轴力公式进行对比及算例验证。研究结果表明:3种近似计算公式与有限元结果基本吻合,该文公式求解的主梁轴力与有限元解误差更小,主要原因是索塔及跨中处的主梁无索区长度在公式推导过程中亦得到充分考虑。该公式能满足概念设计阶段的要求,适用于大跨斜拉桥轴力的快速近似计算。     

聚一氟对二甲苯的合成及膜性能研究

以二氟[2.2]对环番为原料,通过真空化学气相沉积合成了一种高分子聚合物薄膜,并对该高分子薄膜材料的一些性能进行了探讨     

射频磁控溅射法LiNbO3薄膜的制备及其影响因素研究

采用射频磁控溅射法在Si(111)和Si(100)上制备LiNbO3薄膜.通过XRD技术探讨了硅基片取向和所制备的薄膜的取向之间的联系,研究了不同靶材对薄膜的影响,讨论了热处理温度、工艺和所制备的薄膜取向的关系.报道了在Si(111)基片上制备高c轴取向的LiNbO压电薄膜的制备方法.     

0.2BiFeO3-0.8Bi4Ti3O12固熔薄膜的电性质

用溶胶-凝胶方法在LaNiO3包覆的Si（111）衬底上制备了BiFeO3掺杂的Bi4Ti3O12薄膜,XRD研究表明薄膜呈完全随机取向,通过BiFeO3的掺杂使Bi4Ti3O12层状钙钛矿的C轴缩短.铁电性测试的结果表明,薄膜的剩余极化强度为2.0μC/cm^2,略小于用溶胶-凝胶方法制备的纯Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度.漏电流测试结果表明薄膜导电机构满足公式.