关于分光计的半近调节法原理

分光计是光学实验中常用的测角仪器,使用时要先将它调整到正常工作状态。调整中比较困难的是如何调节望远镜光轴与仪器公共转轴垂直。一般方法是将一平行平面反射镜竖直地放在分光计的载物台上来代替仪器公共转轴。首先调整望远镜和载物台的倾度螺钉,通过肉眼观察,初步使平行平面反射镜的镜面与仪器公共转轴平行,望远镜光轴与仪器公共转轴垂直,达到旋转载物台,无论使平行平面反射镜的哪一面正对望远镜都可从望远镜视场中观察到由平行平面反射镜反射回来的叉丝象。这时叉丝象与叉丝一般不重合。然后调节载物台倾度螺钉,改变平行平面反射镜的倾角,使叉丝象与叉丝的距离减为原来的一半;调节望远     

用X射线衍射法测定聚酰亚胺薄膜取向结构

聚酰亚胺薄膜的取向结构对机械性能影响很大。薄膜取向结构可以用普通的x射线衍射方法,从x 射线入射方向垂直和平行于薄膜平面两个方向进行测定,在这个测定中,我们制作了一个槽盖压紧样品架,用于进行入射x 射线平行于薄膜平面方向的测定。测试结果可表明被测薄膜的取向类型和取向程度,在理论研究和制造工艺上都有重要的意义。     

非寻常光在单轴晶体薄膜中的反射-透射研究

通过对非寻常光在光轴平行于入射面的单轴晶体中传播情况的分析,研究了光轴平行于入射面时,非寻常光在单轴晶体薄膜中的反射与透射特性.根据入射光、反射光和折射光之间的相位匹配条件,利用单轴晶体的折射率面和非寻常光光线与光波法线的关系,得到单轴晶体光轴平行于入射面时其表面的边界条件.然后根据晶体内部前后表面处电场量的相位关系,联系两表面处的边界条件,计算了单轴晶体薄膜的反射率与透射率.应用得出的计算方法,计算了石英(正晶体)薄膜和铌酸锂(负晶体)薄膜的透射率和折射率随光轴角度的变化关系.结果表明,计算方法正确,不仅适合正晶体对负晶体也适用,求解方法简单实用,所给的表达式具有一般性,可以直接使用.     

X射线显微成像中的光子统计噪声分析

光子统计噪声是X射线显微成像中影响图像质量的主要因素之一,它对图像质量的影响一般用信噪比来描述.研究表明,X射线显微图像的信噪比随着入射光子数的增加而增加;但由于X射线会对样品带来损伤,所以实验中要求尽量减少入射的X光光子数.但是传统的基于经验数据的罗斯判据并不能给出客观的答案,特别对经过图像减影处理的带噪图像,罗斯判据并不适用.这里提出"区分概率"的概念对罗斯判据进行分析和改进,有助于找出所需最小入射光子数.将区分概率运用到图像减影法中进行模拟,求出此图像处理方法下所需最小入射光子数.最后得出区分概率在0.4时是图像中物体与背景部分得以区分的一个较合理阈值的结论.     

高电荷态离子129Xeq+激发Au表面产生的X射线谱

目的研究高电荷态离子129Xeq (q=28,29,30)入射金属Au表面产生的特征X射线谱。方法应用高电荷态离子束流激发。结果在束流强度小于139 nA条件下,单离子的X射线产额可达10-8量级,特征X射线的产额随入射离子的动能和势能(电荷态)的增加而增加。结论与传统的X射线产生方法不同,高电荷态离子可以激发重原子的内壳层特征X射线谱,其产额高,品质好。     

西格班对X射线光谱学发展的贡献

介绍了卡尔西格班的生平,回顾了他为适应不同波长的测量精心改进X射线光谱仪、改进X射线管,发现标识谱中M和N线系所做的重要贡献;精益求精、努力改进仪器装置、善于学习是他成功的重要因素.     

Fe掺杂GaN稀磁半导体材料研究

用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长出不同Fe掺杂浓度的GaN薄膜,并对其微观结构、表面形貌以及磁学性能进行了研究。对于低掺杂浓度的Fe掺杂GaN样品,X射线衍射和高分辨透射电镜均没有发现其他相物质存在;对于高浓度掺杂的样品,X射线衍射探测到了Fe单质和Fe3N存在。通过高分辨透射电镜图像,观察到了晶格中的Fe3N纳米团簇,并且发现团簇以Fe3N[0002]晶轴平行于GaN[0002]晶轴的方式存在于GaN晶格之中。同时,随着掺杂浓度的增高,薄膜表面粗糙度增加。磁学测量表明,不同掺杂浓度的样品都显现出明显的室温铁磁性。     

外光路的不同设置对拉曼谱线的影响

本文分析了外光路系统中激光束入射到样品时偏振状态对所测样品拉曼谱线强度的影响,并通过实验提出了测试拉曼谱线时外光路中应注意的事项和改进措施。     

Xe30+在Au下表面退激辐射的Ｘ射线谱

报导了1.0-3.0MeV的Xe₃₀₊离子与1.0MeV的Xe₂₆₊离子入射Au表面发射的X射线谱,考虑到探测器Be窗对射线的非均匀衰减,还原了1.0MeV的Xe₃₀₊离子产生X射线谱。通过用经典过垒模型及两体碰撞模型的分析表明：动能1.0-3.0MeV的Xe₃₀₊离子入射Au靶,下表面空心原子M壳层空穴退激发射了能量0.7-1.75keV的Xe M X射线,下表面空心原子N壳层空穴退激发射了能量0.5-0.7keV的Xe N X射线。     

正负折射率材料组成的一维光子晶体的能带及缺陷模

利用光学传输矩阵方法,研究了由正折射率材料和负折射率材料交替组成的一维光子晶体的能带结构和缺陷模特性.结果表明,在正入射时,含负折射率材料的光子晶体的带隙要比传统的光子晶体要大得多,并具有狭窄的透射带.计算了含有普通电介质缺陷层和特异介质缺陷层两种情况下的透射谱,发现在正入射时,对于正负折射率材料组成的一维光子晶体引入普通电介质缺陷层时,其缺陷模的个数随着缺陷厚度的增大而增多,这种特性在滤波器方面有重要的应用价值.而对于传统光子晶体中引入特异介质缺陷层时,随着缺陷厚度的增大,新的缺陷模并没有出现.     

C_(60)单晶制备和微观机制

Ｃ６０单晶制备中的粉末残留问题是影响该实验成功和单晶品质的一个重要问题．我们经过大量实验，研究出一种在高真空管式炉中生长出较好质量单晶的工艺条件，克服了粉末残角问题．还对这一工艺中单晶生长的动力学非平衡过程的微观机制进行了分析，为制备大的Ｃ６０单晶提供了理论依据．此工艺也为制备其它材料的单晶提供了一个可借鉴的实验方法．     

Defects in La_2CuO_4 and La_(1.86)Sr_(0.14)CuO_4 single crystals

La2CuO4 and La1.86Sr0.14CuO4 single crystals were obtained by traveling solvent floating zone method. There were five kinds of defects in these single crystals: cracks, inclusions, gas bubbles, unhomogeneous distribution of Sr2+, and substructures. CH3COOH aqueous solution was used to etch these single crystals, and the etch-pit density was calculated. The formation mechanism of these defects was discussed. It is suggested that the good preparation of raw materials and the stringent growth conditions play an important role in growing high quality single crystals.     

不均匀变形对空洞长大影响的有限元分析

为了分析FCC晶体中不均匀变形对空洞长大的影响,运用率相关晶体有限元,采用一个3D模型研究了FCC晶体中空洞的长大行为,对比分析了单晶和晶界上球形空洞长大的情况.模拟结果表明:晶界上的等效塑性应变大于单晶中的等效应变,晶界上空洞的长大速度大于单晶中空洞的长大速度,表明空洞易沿着晶界长大;随着晶粒间力学性能差异的增加,晶粒间不均匀变形更加明显,空洞越易沿着晶界长大.     

Growth of centimeter-sized C60 single crystals

C60 single crystals larger than one centimeter in size are grown with vapor method by nucleation control and by a proper time-dependent temperature process which allows only one nucleus growing larger and larger. X-ray diffraction patterns exhibit the high quality of the sample. As an example of the applications of large single C60 crystals,svnchrotron radiation photoemission spectra are measured to investigate the fine structure of valence bands of C60 crystals.     

Bi4－xNdxTi3O12单晶的光谱学特性研究

使用自助熔生长法生长Bi4－xNdxTi3O12（BNdT,x=0,0．5,0．85）单晶,研究了Nd掺杂对BNdT单晶光谱学特性的影响．常温拉曼光谱结果表明：随Nd含量的增加,BNdT中TiO6八面体振动模式有所增强;Nd含量增加到一定值,BNdT单晶可能在常温下发生铁电-N电相转变;位于（Bi2O2）^2＋层的Bi-O振动模式随Nd掺杂量增加而减弱,表明Nd含量较低时,Nd^3＋离子仅仅取代伪钙钛矿层的Bi^3＋离子,当Nd含量较高时,有部分Nd^3＋离子开始替换（Bi2O2）^2＋层中的Bi^3＋离子．紫外-可见光谱结果表明,BNdT单晶具有间接带隙跃迁的特点,而且单晶的禁带宽度随Nd掺杂含量的增加而减小。     

用凝胶法生长KClO4晶体

凝胶法是生长KClO4晶体最合适的方法．实验研究了反应物浓度、凝胶密度、温度、凝胶pH值对KClO4晶体成核数目、大小、形状及质量的影响，得出了生长较大尺寸、完整性好、高质量的KClO4晶体的最佳条件和参数．第一次对KClO4晶体形态、各晶面的显露程度进行定量分析，实验与理论分析相符合．证实了Hartman和Perdok的PBC理论．研究结果为下一步进行晶体生长机理研究打下了基础．     

用AFM观测凝胶法下KClO4晶体的生长机理

用原子力显微镜(atomic force microscopy,AFM)对凝胶法生长的KClO4晶体的最重要面{001}面微观形貌进行了研究。结果表明,在不同的过饱和度下,KClO4晶体分别表现为二维成核生长、三维成核生长、层核生长以及多层堆垛生长等生长机理。从热力学角度解释了过饱和度对KClO4晶体生长机理的影响。对二维成核生长机理,揭示了KClO4晶体生长中二维核的形状和取向,及生长台阶的取向。研究结果还表明,杂质的存在将阻止台阶的向前推进,并导致聚并台阶及弯曲台阶的形成。     

R_3Co单晶制备方法的研究

本文对单晶的生长条件进行了研究，用Ｂｒｉｇｄｍａｎ方法成功地制备了Ｒ３Ｃｏ单晶试料，为进一步研究其物性提供了必要的条件．     

弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅的工程畴结构研究

综述了目前对铁电晶体畴结构进行观测的主要技术方法,及国内外相关研究单位对新型弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅[(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT)]的工程畴结构的研究进展。以往的研究表明,该类单晶的机电性能与其工程畴结构之间存在着密不可分的关系,这些研究结果对阐明PMN-xPT单晶在不同极化方向与工程畴结构状态下,其优异机电性能的起源机制与发生规律,进而指导剪切波换能器、垂直极化方向的大应变驱动器等电机器件的设计与制作,具有重要的理论意义与实际应用价值。     

Ferroelectric and piezoelectric properties of novel relaxor ferroelectric single crystals PMNT

Relaxor ferroelectric single crystals PMNT with the size of 40 mm×80 mm have been grown by a modified Bridgman method and their ferroelectric and piezoelectric properties have been characterized.The properties varied with the compositions and cut types.On the (001) cut,PMNT76/24 single crystals exhibited a dielectric constant of about 3 400,a dielectric loss of tan＜0.7%,a piezoelectric constant d33 of 980 pC/N,an electromechanical coupling factor kt of 0.55 and Tc of about 110℃.Whereas the properties of PMNT67/33 single crystals on (001) cut were better: ε of about 5 300,tanδ＜0.6%,d33 up to 3 000 pC/N,kt 0.64,k33 0.93 and Tc of about 150℃.The piezoelectric properties on other cuts such as (110) and (111) were much lower than those on the (001) cut.The rhombohedral PMNT crystals grown by this method showed more excellent piezoelectric properties than those grown by high temperature solution method and higher value of kt than the rhombohedral PZNT single crystals.It has also been found that the fluctuation in ferroelectric and piezoelectric properties was related to such factors as composition uniformity and poling degree.