影响氧化锌纳米材料场发射性能的因素

采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能,发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的.采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性,使电流波动明显降低.此外,形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响,而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同.     

非定向氧化锌纳米线阵列的场发射

使用热蒸发的方法在硅基底上制备了非定向氧化锌（ZnO）单晶纳米线阵列。经过热蒸发之后,在硅基底上形成一层均匀分布的 ZnO 点。在这些 ZnO 点上生长出非定向的 ZnO 纳米线阵列,其中的纳米线直径大约在 10 到 20nm 之间。考虑到实用,在制备样品的过程中硅基底的温度始终保持在 500℃ 以下。然后测量了这些非定向 ZnO 纳米线阵列的场发射特性。在 5.5V·μm^-1 场强下得到了 10μA·cm^-2 的场发射电流密度;同时使用透明阳极技术观察了其场发射中心的分布。     

一维ZnO纳米结构的场发射性能研究进展

介绍了一维ZnO纳米材料的常用制备技术及其场发射领域的研究进展,比较不同结构的一维ZnO纳米材料的场发射性能．进而总结影响其场发射性能的因素。     

具有金属栅的四角状氧化锌纳米针电子场发射特性

以高纯锌粉为原料,采用气相反应法制备了四角状氧化锌纳米针.利用丝网印刷技术结合光刻工艺组装金属网前栅三极结构场致发射显示器件.场发射测试结果表明,器件具有明显的栅控特性.器件的开启栅压为270 V,当栅极电压为600 V时,阳极电流高达2.75 mA,栅极漏流仅为0.43 mA,测量的峰值亮度为2 300 cd/m2.     

四角状和线状氧化锌纳米结构的制备及场发射特性

700 ℃下,利用热蒸发方法制得四角状和线状氧化锌纳米结构.实验中通过采用不同的反应源以及改变反应时氧气的相对含量来研究这些因素对氧化锌产物的影响.场发射测试展示并比较了这两种不同形貌和尺寸氧化锌的场发射特性.     

正交试验法优化四针状纳米ZnO的制备参数及场发射性能

采用高温气相法生长四针状纳米ZnO.从扫描电子显微镜(SEM)照片可以得出在氧气流量为2SCCM,950℃下生长的ZnO具有较好的表面形貌,且四个针脚较均匀.场发射测试表明,在最佳工艺下生长的四针状纳米ZnO的开启场强为2.45 V/μm,阈值场强为3.4 V/μm,在阳极电压为1 850 V时,发光亮度达到1 520 cd/m2.实验证明四针状纳米ZnO是一种优良的场致发射的阴极材料,有望在场致发射器件中广泛应用.     

四针状氧化锌晶须的研究现状及应用

叙述了结构独特、性能优异的四针状氧化锌晶须的结构特点、制备方法、生长机理、应用等方面的现状 ,探讨了该晶须的发展潜力和今后的研究方向 .     

四针状氧化锌晶须的制备及应用

叙述了结构独特、性能优异的四针状氧化锌晶须的结构特点、制备方法、生长机理、应用等方面的现状,探讨了该晶须的发展潜力和今后的研究方向.     

四针状氧化锌晶须在专利上的研究进展

 四针状氧化锌晶须具有特殊的三维空间结构,复合氧化锌晶须的良好综合性能,引起了人们的广泛关注。本文综述了近年来四针状氧化锌晶须的大量的国内外专利,从其制备方法、热点应用领域的研究状况以及改性方法3个方面对四针状氧化锌晶须的研究进展进行了系统的分类和总结,使得四针状氧化锌晶须的发展潜力得到充分的展现,并且指出今后四针状氧化锌晶须技术在专利保护上的发展趋势。     

高品质四针状氧化锌晶须的结构及生长机理

用锌粉氧化的方法,通过控制反应器内的气相过饱和度,合成出纯度高、晶体结构完整、尺度可控的四针状氧化锌晶须(T-ZnO晶须).制备的T-ZnO晶须为长尾晶须,针长为5～30m,针体的根部尺寸为1～2m,尾部约100 nm.晶须的生长机理为气-固(VS)机理.控制反应器内的反应气相过饱和度是制备高品质T-ZnO晶须的关键因素.     

面阵硅场发射阵列的离子束刻蚀

利用光刻热熔法及氩离子束刻蚀技术制作１２８×１２８元面阵硅场发射器件,采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和表面探针等测试手段分析所制成的面阵硅微尖阵列和硅微台（微环尖）阵列的表面微结构形貌特点．所制成的面阵硅微尖和硅微台（微环尖）器件的图形整齐均匀,达到了预定的各项指标的要求．实验表明,所采用的器件制作方法有较大的实用价值．     

组装方法对钨针尖上碳纳米管场发射特性的影响

要实现碳纳米管优异的场发射性能,或者在基体上直接生长碳纳米管,或者把碳纳米管组装到某一基体上。主要讨论了物理组装和化学组装两种组装方法并分析了这两种组装方法对碳纳米管场发射特性的影响。     

金刚石薄膜场致发射的研究

给出了以硅片和钼片作基底,在不同掺杂状态下的几种金刚石薄膜的发射特性和两种金刚石 薄膜的扫描电子显微镜照片及喇曼光谱.测试结果表明,掺杂后的金刚石薄膜的发射电流密 度可增大一个数量级.     

金刚石薄膜场致发射的研究

简要分析了 FED场发射显示器的工作原理 ,陈述了非晶金刚石薄膜特殊的优点后 ,对用金刚石薄膜制作场发射器的可行性进行了讨论 ;还介绍了利用金刚石薄膜和阳极选择的方法对Spindt FED作了改进 ,从而使平面 FED更容易实现。     

钨针尖放电处理后的场发射特性

在场发射显微镜（FEM）中使用1万伏以上的电压对钨针尖进行了放电处理。扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）的观察表明在处理后形成了纳米尺寸的突起。从经过处理的钨针尖能够支取高达1.55mA的场发射电流。针尖的场发射像呈现四重对称,表明它来自单个突起。场发射电流与电压关系符合Fowler-Nordheim (F-N)理论。根据F-N理论算得的场发射面积与TEM下观察到的突起的面积在量级上一致。     

用机械破碎方法提高印刷碳纳米管薄膜的场发射性能

提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜场发射特性的后处理方法,用机械压力通过隔离层对附着于CNTs表面的无机物进行原位破碎,并用高速气流清洁薄膜表面.同其他方法相比,机械破碎方法既不会在处理后的阴极表面留下残留物,也不会使薄膜受损.场发射特性测试表明,与未处理薄膜相比,经过处理的CNTs薄膜的开启场强从2.7V/μm降低到1.7V/μm,同样面积的薄膜(印刷面积为40mm×40mm)在4.2V/μm场强下的发射电流由70μA提高到了950μA,说明机械破碎处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值.     

Field Emission of SiCN Thin Films Bombarded by Ar~+ Ions

0　IntroductionInthefieldofvacuummicroelectronicdevices,coldcathodeelectronfieldemittersarepotentiallyusefulforfieldemissiondisplays (FED) .FEDareimportantelementsoftheflatpaneldisplays.Comparingwithliquidcrystaldisplays (LCD)andcath oderaytube (CRT)displays,ithasacompactsize ,alargeview ingangle ,excellentbrightnessandhighpicturequality[1 ] .Muchresearchhasbeenperformedtounderstandandimprovethefieldemissionpropertiesofthinfilmsandthinfilmstructures.Withthedevelopmentsofvacuummicroelectro…