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相似文献
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1.
一、概述 在高频电子线路中,集成模拟乘法器是一种完成两个模拟信号相乘功能的电路或器件.它不仅应用于模拟运算电路,而且在模拟信号处理方面也有着广泛的应用.MC1595集成模拟乘法器是一种四象限模拟乘法器,具有工作频带宽、温度稳定性好、运算精度高、速度快、成本低等优点,因此得到广泛的应用.  相似文献   

2.
基于模拟乘法器设计了一种电流调节式中频可变增益放大器,并根据强反型下MOSFET的I-V模型(考虑二阶效应)建立和分析了电路非线性模型,提出了一种线性度优化方法.基于0.25 μm CMOS工艺的模拟结果表明,电源电压3.3 V下可变增益放大器与优化前相比在输入信号最大时IM3减小了33 dB,增益控制范围增大了12 dB;最小增益处ⅡP3达到17.5 dBm,最大增益处噪声系数为7.8 dB.  相似文献   

3.
一种用于ADC电路的高速高精度比较器设计   总被引:7,自引:0,他引:7  
在分析各种比较器设计失调消除技术基础上,提出了一种用于ADC电路的高速高精度比较器设计技术和失调消除技术.该比较器由主动复位和被动箝位的预放大器和输出锁存器构成,具有失调自动校准功能.仿真结果表明,在Chartered 0.35 μm COMS工艺下,电源电压3.3 V,调整后的比较器失调误差为56.8 μV,比较器的精度0.1mV,比较速率100 MHz.  相似文献   

4.
对基于负阻抗电路技术的跨阻放大器的带宽性能进行了理论分析与仿真.仿真结果表明,在具有相同的跨阻增益条件下,基于0.18μm CMOS工艺下shunt-feedback型跨阻放大器无负阻抗电路时,其-3 dB带宽约为3.1 GHz,而具有负阻抗电路时,其-3dB带宽约为4.3GHz,两者相比带宽性能约提高了40%.该方案可以提高跨阻放大器带宽并避免因引入电感而增加芯片面积,在实践上具有一定的可行性.  相似文献   

5.
在高频电子线路中,集成模拟乘法器是一种完成两个模拟信号相乘功能的电路或器件。它不仅应用于模拟运算电路,而且在模拟信号处理方面也有着广泛的应用。MC1595集成模拟乘法器是一种四象限模拟乘法器,具有工作频带宽、温度稳定性好、运算精度高、速度快、成本低等优点,因此得到广泛的应用。  相似文献   

6.
像素型传感器的读出通道数随像素面阵增加,当芯片面积较大时,片上电源线和地线上的寄生参数将不能忽视.这些寄生参数使得通道间串扰更为严重,甚至引入读出电路的反馈回路中,从而造成电路振荡,无法正常工作.为了解决该难题,提出了一种可全集成在一个通道内的双输出低压差稳压器.这样每个通道之间的电源相互隔离,可以减少串扰,也可避免走线寄生对读出电路造成影响.该稳压器可以分别输出模拟电路电源和数字电路电源,避免数字电路对模拟电路的干扰.为了减小芯片面积,稳压器的两路输出复用了部分电路.所提出的电路采用0.25μm 2P5M商用标准CMOS工艺实现.芯片面积为480μm×153μm.消耗的静态电流为25μA.最大负载电流分别约为4.4mA和3mA.  相似文献   

7.
四维超混沌系统及其投影同步的电路实现   总被引:2,自引:0,他引:2  
该文基于三维混沌系统,通过引入非线性状态反馈控制器构造一个四维系统,并对四维系统的Lyapunov 指数谱、分岔图等动力学行为进行分析. 分析结果表明,四维系统具有两个正的Lyapunov指数,是一个超混沌系统. 根据线性系统稳定性理论,构造了四维超混沌系统的投影同步方案,实现同结构超混沌系统的投影同步. 在此基础上设计了四维超混沌系统的投影同步电路,由反相加法器、积分器、反相器和乘法器四部分组成. 对所设计的电路进行实验,给出的实验结果与数值仿真结果一致.  相似文献   

8.
建立了RC电路暂态过程的数学模型,运用该模型求解单稳态电路的暂稳态宽度和无稳态电路的周期T,经实验验证,最大误差E仅为1.98%.  相似文献   

9.
用于蓝牙接收通道的CMOS限幅放大器和功率指示计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍一种分段线性对数放大器,它可以作为蓝牙接收通道的限幅放大器和功率指示计.电路用0.35 μmCMOS工艺集成在单片蓝牙射频收发芯片中.测试结果显示,在40 dB的输入动态范围下,功率指示计非线性误差仅为0.5 dB.  相似文献   

10.
提出了一种新型的基于运算放大器的开关电容采样保持电路结构.采用速度补偿解决了高速高分辨采样保持电路对放大器要求增益高和速度快之间的矛盾.具体设计了采样保持电路,特别设计了其中的快速时间连续电压比较器.用Chart 0.35μm CMOS工艺,进行HSPICE仿真,结果表明,本文设计的采样保持电路的分辨率为10位,采样速率高于70 MHz/s.  相似文献   

11.
在MEMS传感器的电容检测电路中,经常要采用电容—电压转换电路。本研究将两相不交叠时钟模块应用到设计中,使得该电路用单个时钟就能进行有效控制,并能够满足MEMS电容检测系统的要求。采用0.25μm工艺库对电路进行优化并给定了电路仿真的相应结论。仿真结果表明,其CMOS运放部分的增益为77.76 dB,单位增益带宽为5.60 MHz,相位裕量为65.87°,输出摆幅为-2.0~1.89 V,输入共模范围为-1.0~1.93 V,正摆率为+9.92 V.μs-1,负摆率为5.03 V.μs-1,功耗为1.03 mW。该电路适合于pF量级范围内的电容变化,该变化范围为35~1 200 pF,且输出线性度良好。  相似文献   

12.
介绍一种基于蓝牙射频电路可测性设计的8位逐次逼近型ADC.该电路的核心由采用rail-to-rail输入的比较器和R-2R网络结构的DAC组成.针对可测性设计的要求,电路结构简单紧凑,功耗低,芯片面积小.同时也提出,基于该ADC的一种适合于蓝牙射频电路的测试方法,通过该方法可以较好地对蓝牙射频电路的功能和性能进行监控和测试.芯片采用TSMC的0.35μm标准CMOS工艺制造,面积仅为0.15mm2.测试结果显示,在3.3V工作电压下,分辨率可达7位,且在高频工作环境下表现出很好的抗干扰特性.  相似文献   

13.
徐红梅 《河南科技》2006,(19):58-59
随着我国城市建设的发展,各类现代化建筑不断增多,在这些建筑中广泛采用中央空调系统为人们提供一个舒适的环境.而空调系统不仅占有较大的投资份额,同时也是建筑耗能大户.有关统计资料表明,其空调能耗约占建筑能耗的50%~60%,约占总能耗的15%~25%.空调能耗由三部分组成:冷热源设备能耗、末端设备能耗和辅助设备能耗.其中冷热源设备能耗约占空调能耗的50%~60%.可见,合理设计和选择中央空调系统的冷热源对节能与能源的合理利用意义重大.  相似文献   

14.
提出了一种基于均衡器的自动增益控制设计方法,直接利用均衡器产生的误差自适应地补偿输入信号增益,有效地减小了硬件复杂度.仿真结果表明,在信号严重畸变的情况下,采用这种方法设计的电路具有良好的增益捕捉和跟踪性能.  相似文献   

15.
RSA非对称密钥算法因其算法的复杂性,硬件实现开销一直较大. 针对该问题,提出采用256位数据宽度处理的方式代替传统的1 024位数据宽度处理,通过折叠数据通道,精简电路结构,并使用片内静态随机存储器(SRAM)减小实现面积,实现了应用于资源受限环境下的小面积RSA硬件加密引擎. 采用华虹NEC0.25 mm工艺实现该电路,整个设计规模约为24 k等效门,最大工作频率为100MHz,相比于实用芯片西门子SLE66CX160S,本实现的面积缩小了55.63%.  相似文献   

16.
在交流激励、电容-电压转换测量方案中,针对测量信号微弱、干扰、温漂大的问题,从测量原理、误差产生、抗杂散性等方面进行了分析,对转换电路中的运算放大器引入了负反馈,并对反馈元件取值进行了研究和实验,得出了实验仿真与调试结果,并给出该电路的误差分析与校正曲线。仿真结果显示,该电路在抗杂散性、抗温漂、提高分辨率和信噪比方面满足设计要求。  相似文献   

17.
基于DHT11温湿度测控系统的设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
依据DHT11温湿度传感器的工作原理,设计了以单片机STC89C52RC为主控核心的实验室温湿度测控系统.在硬件方面,主要设计了单片机最小系统电路、DHT11与单片机的连接电路、12864液晶显示电路、蜂鸣器报警电路及抽湿机驱动电路.在软件方面,主要编写了DHT11检测温湿度程序、12864显示程序、报警程序及驱动抽湿机动作的程序.实验表明,所设计的系统可以正常工作,系统运行状态良好.  相似文献   

18.
电解液式倾斜传感器及其数据处理系统   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文介绍了电解液式倾斜传感器的结构、工艺、工作电路、温度特性、温度补偿以及数据处理系统.实验指出:经温度补偿后整个系统的误差<2%,灵敏度优于10~(-2)角秒.  相似文献   

19.
本文介绍的MESFET/SOS微波差分放大器是在蓝宝石衬底上硅外延薄膜内制备的.该电路特征线宽为1μm,制备工艺简单,仅需三块掩模,应用全离子工艺,具有足够小的漂移电压和失调电流.由于采用蓝宝石为衬底,大大减小了寄生电容,从而获得高的频率特性.在77K时对器件的测量结果表明,低温下器件的直流和微波特性均获得显著的改善.直流本征跨导增加了约46%,单位电流增益频率从4.9GHz增加到6.5GHz.作者认为这主要归因于低温下平均电子迁移率和电场漂移速度有很大的提高.  相似文献   

20.
设计了一种自偏置、共源共栅(cascode)结构的CMOS和式带隙基准电流源电路,用Chart 0.35μm 5 V电压CMOS工艺参数进行了Hspice仿真,结果表明,在-40~85℃温度范围内温度系数为15.2×10-6/℃,电源电压抑制比为-51.8 dB.  相似文献   

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