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余鸣 《杭州师范学院学报(社会科学版)》1993,(6)
迄今人们常常把塑料薄膜用于电绝缘目的,而新近研制成功的一种塑料薄膜,可用来传导电流。这种薄膜叫做导电聚碳酸酯薄膜,采用浇注方法制成。薄膜性能,特别是电性能,具有很大均匀性。薄膜各向同性,具有相当韧性,因此只具有有限的深冲性。所提供的薄膜卷绕成一个滚筒,薄膜长200~900米,最宽为1.2米,厚度为30~150微米。聚碳酸酯薄膜之所以可以导电是由于它加有炭黑。体积电阻约为1欧姆×厘米。因此,对于不仅表面分层的 相似文献
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青色塑料薄膜 用青色塑料薄膜进行水稻育秧时,与一般无色透明薄膜相比,秧中叶绿素、氮、磷含量显著增高,可防止秧苗发生黄白现象,起到稳产增产作用。另外,青色薄膜对叶根类蔬菜也很有效果,可使蔬菜的产量及质量都得到提高。 黄色塑料薄膜 用黄色塑料薄膜覆盖的芹菜,其叶柄显著伸长,并使之推迟抽苔。另外,黄色薄膜还可大大提高茶叶的产量及品质。 相似文献
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地膜覆盖,是塑料薄膜地面覆盖栽培技术的简称。这项新技术在国外是五十年代后期开始发展起来的,而国内则是近二、三年才开始进行研究试验。但由于该项新技术具有不少,尤点,因此发展很快。到1980年为止,全国已有22个省117个市县进行了地膜覆盖栽培试验,总面积已达2万6千余亩。地膜覆盖栽培技术是用透明的聚氯乙烯薄膜来进行地面覆盖的。这种薄膜厚度仅为0.015—0.02毫米。复盖方法有两种:一种是先定植作物,然后把薄膜剪成与行距宽度相同的长条,覆盖行间;也可将整张薄膜按 相似文献
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氮化镓薄膜是制造蓝紫光光电子器件的理想半导体材料之一。三元合金InGaN薄膜是优良的全光谱材料而且不同In组分的InGaN薄膜叠层可用于研制高效率薄膜太阳电池。精确测量InGaN薄膜的厚度有利于研制高效率的光伏器件。本文利用分光光度计实验研究了蓝宝石衬底金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长的铟镓氮(InGaN)半导体薄膜的反射光谱。基于薄膜干涉原理,计算分析了InxGa1-xN薄膜的厚度;结果发现利用反射光谱中不同波峰、波谷确定的薄膜厚度相对偏差度的平均值为4.42%。结果表明用反射光谱的方法测量InxGa1-xN薄膜的厚度是可行的。 相似文献
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氮化镓薄膜是制造蓝紫光光电子器件的理想半导体材料之一。三元合金InGaN薄膜是优良的全光谱材料而且不同In组分的InGaN薄膜叠层可用于研制高效率薄膜太阳电池。精确测量InGaN薄膜的厚度有利于研制高效率的光伏器件。本文利用分光光度计实验研究了蓝宝石衬底金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长的铟镓氮(InGaN)半导体薄膜的反射光谱。基于薄膜干涉原理,计算分析了InxGa1-xN薄膜的厚度;结果发现利用反射光谱中不同波峰、波谷确定的薄膜厚度相对偏差度的平均值为4.42%。结果表明用反射光谱的方法测量InxGa1-xN薄膜的厚度是可行的。 相似文献
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在COMPASS力场下,基于NEMD方法,选用NVE系综,在温度300 K下对不同薄膜厚度和不同空位浓度下的金红石型二氧化钛薄膜热导率进行计算模拟研究.结果表明:在5.92~8.29 nm厚度范围内,二氧化钛薄膜热导率为1.899~2.522 Wm-1 K-1,且随着二氧化钛薄膜厚度的增大,其热导率也随之增大.在相同二... 相似文献
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光/生物降解塑料薄膜制备及其性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以玉米淀粉、低密度聚乙烯和线型低密度聚乙烯为主要原料,制得光/生物降解塑料薄膜,所得降解薄膜中淀粉质量分数约为30%,厚度约为20 μm.研究结果表明:吹膜料的流变性能接近聚乙烯,为剪切变稀的假塑性流体,可用通用塑料加工设备加工;该薄膜的力学性能接近纯聚乙烯薄膜,并具有较好的光降解性能;薄膜经紫外光照射或曝露在户外均可发生明显降解,其降解产物中含有羰基和不饱和碳-碳双键的聚合物. 相似文献
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研究一种可见光/红外转换薄膜. 给出转换薄膜热扩散的理论公式,并进行求解,得出薄膜的温度扩散分布曲线. 对于3种不同厚度的薄膜热扩散距离的仿真结果分别为113.0,113.4,114.2 μm. 制备了不同厚度的聚酰亚胺薄膜并设计了实验,热扩散距离的实验结果分别为119.6,121.6,122.8 μm. 实验结果表明,该理论模型是基本正确的. 基于这种薄膜制备的可见光/红外图像转换器,可用于对各种红外成像仪器进行性能检测和实验. 相似文献
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WO3薄膜在小直流电压作用下,通过阳离子的嵌入/脱出可以在深蓝色和透明态之间进行可逆变色.注入离子的迁移路程(即薄膜厚度)对WO3电致变色性能和循环稳定性有极大影响.因此,本文采用直流反应磁控溅射制备WO3薄膜,通过控制溅射时间制备得到200 nm、500 nm、 800 nm、 1 100 nm、 1 400 nm 5种厚度的薄膜样品,分别测试其初始态和1 000圈CV循环后的电荷储量、调制率、响应时间及记忆时间,探究用于电致变色技术的WO3薄膜的最佳厚度.结果表明,800 nm厚度的WO3薄膜表现出的电致变色性能和循环稳定性明显优于其他厚度,在1 000圈循环后电荷储量下降了25.1%,在波长550 nm处调制率衰减了1.59%,24 h静置后透过率增加了11.73%.该研究可为WO3薄膜的产业化应用提供更为精确的理论指导. 相似文献
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马宝岐 《西北大学学报(自然科学版)》1974,(1)
塑料工业在国民经济中占有重要的地位,是当前各工业部门中发展最快的部门之一。一千吨塑料薄膜用于水稻育秧,可增产一万吨粮食;一公斤塑料可以代替六公斤左右的贵重金属,用于制造各种机器零件。由于塑料具有比重轻、比强度高、耐腐蚀、绝缘好、保温性好、易成型加工等特性,因此在国防建设、工农业生产和日常生活中得到愈来愈广泛的应用。 相似文献
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采用低功率射频磁控溅射方法分别在玻璃和Si衬底表面沉积不同厚度的MoS2薄膜,经硫化退火处理后,利用Raman光谱、AFM、UV-Vis光谱和45°镜面反射光谱,对MoS2薄膜结构及光谱性质进行表征。结果表明,两种衬底上沉积的MoS2薄膜经退火处理后均在670、615及400~500 nm处出现分别对应A、B、C激子的明显吸收峰和反射峰,表明所制MoS2薄膜已结晶。A、B、C激子峰均随着薄膜层数增加而红移,表明MoS2薄膜的能带结构随层数发生改变。另外,A、B激子峰位置不受光谱检测方式的影响,而45°镜面反射光谱中C激子峰则相对于UV-Vis光谱有一定红移,因此,可依据A、B特征激子峰的有无及峰位判定MoS2薄膜的结晶度及层数,其中45°镜面反射光谱可用于非透明材料衬底上MoS2薄膜厚度(或层数)的判定。 相似文献
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新一代弛豫铁电薄膜Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PIMNT)因兼具优异的电学性能与高的相变温度,在国内外获得广泛关注.为了探究不同薄膜厚度对PIMNT薄膜的结构及电学性能的影响,通过溶胶凝胶法制备了150 nm~1μm不同厚度的PIMNT薄膜,对其形貌结构以及电学性能进行了对比研究,在此基础上进一步研究了极化对其电学性能的影响.实验结果表明:随着厚度的增加,薄膜介电常数先增加后略有降低,剩余极化强度先增大后减小,矫顽场逐渐增大;在极化电压为18 V、极化温度和时间分别为100℃和5 min时,1μm厚度PIMNT薄膜的介电常数和损耗在100 Hz下分别为1 009和0.022,室温下的热释电系数达6.85×10-4C·m-2·K-1,是目前主流的锆钛酸铅(PZT)薄膜的3倍左右. 相似文献
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聚酰亚胺(PI)/石墨烯复合薄膜兼备了可挠曲性及透明、导电性,可作为柔性透明导电电极用于柔性电子器件中。但附着于PI上的石墨烯易划伤,使其导电性变差。本文采用脉冲直流磁控溅射法,以PI/石墨烯为基体,镀制保护石墨烯的氧化锌薄膜。分别采用原子力显微镜、X射线衍射仪、台阶仪、霍尔效应仪及紫外-可见分光光度计检测PI/石墨烯/ZnO复合薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜厚度及导电、透光性能。结果表明,PI/石墨烯/ZnO复合薄膜结构致密,氧化锌以(002)为择优取向,最低方阻为1.9×104Ω/sq,略低于石墨烯的方阻,可见光区平均透光率达80%。 相似文献