CVD金刚石薄膜的掺硼研究

主要介绍硼掺杂金刚石膜的生长．采用热灯丝CVD法在硅上制备金刚石薄膜，采用三氧化二硼制备硼掺杂金刚石膜．利用拉曼光谱分析硼掺杂金刚石膜的生长情况．结果表明：硼的掺杂质量分数随生长时间延长而增大；利用SEM观察硼掺杂金刚石膜的表面晶粒变小；利用银浆在掺杂金刚石膜表面制备电极，测试电流随温度升高而变大.     

掺硼金刚石薄膜电极电化学特性的研究

通过循环伏安法研究了掺硼金刚石膜电极在KCL溶液中的电势窗口大小,结果表明电势窗口可达3.2 V.还研究了电极在铁氰化钾溶液中的电化学行为,结果表明电极的反应动力学主要受扩散过程控制.     

掺硼金刚石膜电极电化学特性的研究

采用直流热阴极CVD法制备掺硼金刚石膜.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品进行了表征,利用电化学循环伏安法测试了掺硼金刚石膜电极的电化学特性.结果表明,该方法制备的掺硼金刚石膜电极有宽的电势窗口、很高的析氧电位和良好的稳定性.     

硅材料中硼杂质扩散综述

对国内近20年来扩散技术的进展进行了介绍,引用不同科研人员的研究成果说明以下结论:硼扩散仍是目前扩散中最常用的扩散方法;乳胶源扩散比普通的硼扩散容易实现深扩散;乳胶硼铝扩散必须在抛光前进行,可采用两次扩散的方法来代替。     

掺硼非晶态硅氟合金的电导特性

一、引言1975年Spear等人对用辉光放电技术制备的非晶态硅氢合金(a—Si:H)材料实现了掺杂效应。这不仅是对非晶态硅技术的一次重要突破,同时也为非晶态半导体理论的进一步发展提供了富有价值的实验依据。关于a—Si:H材科的研究是近几年来在非晶态半导体方面的一个重要内容,围绕着氢对a—Si:H材料物理性质的影响、氢在其中的结构状态和电子状态等方面已经完成了和正在进行着大量的研究工作。     

掺Nd~(3+)硼硅酸盐玻璃的非线性光学特性

在调Q 纳秒Nd: YAG强激光脉冲下,使用闭孔Z-扫描技术研究了硼硅酸盐基质玻璃及其掺Nd3+玻璃的三阶光学非线性特性.发现基质玻璃具有正的三阶非线性折射系数和非线性吸收系数,属于自聚焦反饱和吸收型的光学介质;而随着Nd3+的掺入,该硼硅酸盐玻璃的三阶非线性折射和吸收系数较基质玻璃有明显的增大,远高于一个量级.用开孔Z-扫描实验与光限幅实验进一步验证了掺Nd3+玻璃具有较高的三阶非线性吸收系数,表明Nd3+的掺入提高了硼硅酸盐玻璃在532 nm处的激光防护性能.     

陶瓷硅材料的制备及其特性

文章研究了用来作为多晶硅薄膜太阳电池衬底的陶瓷硅材料的制备方法及其结构。对不同烧结条件制备的样品进行了XRD和SEM的测试和分析。测试分析的结果表明：形成了表面平整的陶瓷硅材料，用此方法可以获得性能良好的硅太阳电池衬底材料。     

掺硼硅显示异常腐蚀现象的研究

本文讨论(100)和(110)硅在各向异性腐蚀中与掺硼浓度的关系。实验测得了硼浓度为3±0.5×10~(19)Cm~(-3)时腐蚀速率与KOH浓度和腐蚀温度的关系曲线。根据硅表面存在有自由键和可用键两种吸附中心的模型对实验结果进行分析,指出吸附能力下降和表观激活能的增大是造成掺硼硅腐蚀速率下降的主要原因。并认为表观激活能的增加与掺硼后自由键密度的减小和硅—硼键的结合能大于硅—硅键结合能有关。     

硼锗共掺光纤CCG的载氢研究

为研究载氢的作用对由载氢引起的硼锗共掺光纤CCG的形成及其热稳定性进行实验,利用硼锗掺杂物浓度分别为w(Ge)=9.640%,w(B)=0.475%和w(Ge)=28.277%,w(B)=2.375%的光纤进行对比试验.实验结果显示:相同载氢条件下高浓度的Ge离子更容易导致FBG在高温退化,并获得CCG的高温稳定性;对于相同掺杂的光纤,氢元素能提高CCG的反射比,但同时也引起光栅反射比在高温时不稳定.通过对上述两种影响因素的优化,实验获得了传感范围在10～1 010℃,反射比接近40%的高温稳定光栅.     

多孔硅材料的电致发光特性及多孔形成机理的研究

系统考察了衬底硅材料的掺杂类型，晶向，阳极氧化电流密度时间等工艺条件对多孔硅电致发光特性的影响，考察了其微观结构，实验表明，电流密度的增大或氧化时间的增长，使多孔硅的发光射谱“蓝移”，发光持续时间延长，当ＨＦ与乙醇的配比为１：１时，有较强的发光强度。     

掺废渣硼泥陶粒混凝土抗压强度正交试验研究

辽宁省的工业废渣粉煤灰、硅锰渣和硼泥排量巨大,用这些废渣替代部分水泥、石子和河沙配制混凝土既环保利废、具有显著的经济效益和社会效益,又有利于可持续发展.采用辽阳市混凝土常用原材料以及灯塔昌明墙体材料厂生产的硼泥陶粒,通过正交试验优化配合比,分析了水泥用量、粉煤灰掺量、硅锰渣的掺量对硼泥陶粒混凝土抗压强度的影响规律.实验结论,当水泥用量为480 kg/m3、粉煤灰掺量占胶凝材料质量的10%、硅锰渣的掺量为细骨料体积的60%时可以配制出LC30轻骨料混凝土.     

掺硼金刚石膜电极电化学氧化降解TNT的研究

首先采用循环伏安法研究了TNT在掺硼金刚石(BDD)膜电极上的电化学氧化-还原行为。基于此,开展了以BDD电极为阳极,电化学高级氧化降解TNT废液的研究,考察了电极电流密度对TNT降解率、溶液化学需氧量(COD)的影响。结果表明:随着电流密度从20 mA/cm2增加到150 mA/cm2,TNT降解率及COD去除率均明显增加,但平均电流效率降低,能耗呈线性增加。综合考虑,在较低电流密度下电氧化降解TNT废液降解更经济合理。     

掺硼金刚石薄膜涂层刀具的制备及试验研究

采用偏压增强热丝化学气相沉积法,以硼酸三甲酯为掺杂源,以WC-Co硬质合金刀具为衬底,制备了不同掺硼浓度的金刚石薄膜涂层刀具.通过采用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱及压痕测试对涂层刀具的表面形貌、薄膜质量和膜-基附着力进行了研究,分析了硼元素对薄膜质量和刀具性能的影响.研究结果表明:硼掺杂可以有效抑制刀具表层钴的扩散,改变金刚石薄膜的成分;掺硼金刚石薄膜的晶粒取向主要是{111},随着掺硼浓度的增加,金刚石薄膜的晶粒变小,平均晶粒尺寸从10 μm下降到2 μm;金刚石薄膜的拉曼光谱中心声子线随着掺硼浓度的增加向低频方向漂移,强度降低,且出现多晶石墨峰;涂层的膜-基附着力在硼碳摩尔比B/C=3×10-3时最佳.通过对碳化硅颗粒增强铝基复合材料的切削加工试验表明,在适当的掺硼浓度下金刚石薄膜涂层刀具的切削性能得到了显著改善.     

掺铒光纤放大器特性研究

在放大器增益特性实验研究中,采用两个９８０ｎｍ的ＬＤ作为泵浦光源进行双向泵浦,研究了放大器的增益与光纤长度、泵浦功率以及信号光功率的关系,获得了３３ｄＢ的最大净增益。计算了放大器的噪声系数,得到具有良好的噪声特性的结果。     

掺铒光纤放大器的特性研究

从理论和实验两方面研究了掺铒光纤放大器的输出特性。在理论上用数值模拟的方法研究了泵浦功率、信号光强度、光纤长度等参数的变化对输出特性的影响。通过实验研究了泵浦光源的输出功率和驱动电流的关系、放大器的增益与泵浦功率和输入信号光功率的关系。研究表明实验结果和数值模拟结果相吻合,对掺铒光纤放大器的结构设计,以及改善掺铒光纤放大器的增益特性有一定的指导作用。     

低压电网的窄带衰落特性研究

通过对3种低压电网5MHz和10MHz单频信号传输的测量，详细研究了低压电网的窄带衰落特性。测量结果表明，低压电网通信信道快衰落的变化幅度非常小，可以认为保持不变，而它的慢衰落，有比较大的幅度变化。低压电网信道可以按准时不变信道来处理，这不仅使分析变得简单，而且对自适应均衡收敛速率的要求也大大降低了，可以简化低压电网通信系统的设计。该结构推翻了原来认为低压电网信道时变性很强的观点。     

二甲醚掺氢低压层流预混火焰

利用同步辐射真空紫外光电离结合分子束取样质谱技术,研究了当量比为1.5,燃料掺氢体积分数为0%、40%和80%的二甲醚/氢气/氧气/氩气低压层流预混火焰。测量了火焰温度曲线和火焰物种的摩尔分数分布曲线,分析了掺氢对火焰温度、燃烧主要产物CO和CO2以及主要燃烧中间物CH2O、CH3、C2H2和C2H4的影响。研究结果表明:在低压预混二甲醚/氢气/氧气/氩气火焰中,随着掺氢比的增大,火焰温度逐渐降低,火焰中CO、CO2、CH2O、CH3、C2H2和C2H4的摩尔分数逐渐减小;在后火焰区,CO与CO2的摩尔分数比随着掺氢比的增大而减小,说明掺氢有利于CO氧化成CO2,促进二甲醚完全燃烧。     

高频CO2激光脉冲写入的掺硼长周期光纤光栅温度应变特性

高频CO2激光脉冲写入的长周期光纤光栅(LPFG)对温度比较敏感、应变不敏感,通常应用在温度传感器做温度测量.普通长周期光纤光栅温度灵敏度只有0.052 nm·℃-1,而用掺硼光纤制作的长周期光纤光栅温度灵敏度达到0.171 nm·℃-1,比普通长周期光纤光栅更加灵敏.因而应用在温度传感提高了传感器的灵敏度以及测温精度...     

非晶态硅氟合金及掺硼效应

一、引言Kolomiets等人在对硫系玻璃进行了多年研究的基础上曾经指出,对玻璃材料很难通过掺杂的方式改变导电类型和电阻率。因此,多年来人们一直认为非晶态半导体是很难实现掺杂效应的。事实上,几年前做出的材料也大都是高阻的。1975年Spear等人首先实现了用辉光放电技术制备的非晶态硅(a—si)的掺杂效应,这在非晶态硅技术中是一次重要突破。随后,Car/son等人用上述材料做出了转换效率为5.5%的太阳能电池,于是围绕着在太阳能电池中的应用对非晶态硅的研究迅速掀起了一个高潮。目前一般认为制做廉价的太阳能电池最有希望的材料是含氢的非晶态硅,称做硅氢合金(a—si:H)。我们据现有资料和自己的初步实验结果认为非晶态硅氟合金(a—si:F)可能是一种比a—si:H合金更有希望的材科。     

掺硼浓度对间歇法生长硼掺杂纳米金刚石膜的影响

采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极PCVD)法,以硼酸三甲酯为硼源,通过金刚石膜的间歇式生长过程,制备硼掺杂纳米金刚石膜,研究不同的硼源流量对硼掺杂纳米金刚石膜的影响,并用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪对样品进行了表征.