原子和离子的边界半径

假设原子（离子）中一个电子所受到的作用势等于其第一电离能的值,定义了原子（离子）的边界半径,其具有内禀性、唯一性的特点,借助于MELD从头计算程序,计算了原子（离子）中一个电子受到的作用势,给出了前四周期元素的原子和离子边界半径,这种半径与传统半径之间存在很好的相关性,具有可应用性和预测性。     

原子边界半径的半经验方法和从头计算方法关系的探讨

根据计算原子边界半径的理论方法(半经验方法，从头计算方法)，对半经验方法与从头计算方法的关系进行了探讨。发现二具有较好的一致性，这验证了半经验方法中所采用的假设的合理性，由其计算得到的原子边界半径代表着原子的有效半径，且与其它方法所得到的原子半径有着较好的关联。     

匀强电场中电势的应用

以匀强电场为研究对象,从匀强电场场强与电势的关系出发,推导出匀强电场中同一直线上任意三点电势之间的定量关系,其形式类似于解析几何中的定比分点坐标公式.该方法可使类似问题由定性分析转化为定量计算,提高了解题的准确性.     

用B—Splines有限基矢集计算强电场中锂原子的能级

讨论了电场中碱金属原子能级的Ｂ－Ｓｐｌｉｎｅｓ计算方法，并采用基样条作为基矢集组成波函数，计算了０－４．５ｋＶ．ｃｍ＾－１电场中锂原子能级结构。结果与实验符合得很好，这表明基样条方法对强场中能级计算具有极大的优越性。     

应用MICC理论研究氦原子对氢分子特征轮廓的影响

应用分子内禀特征边界轮廓理论（MICC）分男口研究了氨原子沿氢分子键轴．垂直氢分子键轴方向接近氢分子时,氢分子特征轮廓半径及电子密度的变化．在这两种情况中,氨原子对氢分子的影响均是沿作用线内侧的氢分子特征轮廓半径及电子密度变化强于其它方向的半径及电子密度变化．     

非匀强电场对颗粒污垢的抑垢特性

目前,电场抑垢研究兴趣集中于电场对碳酸钙晶体形貌的改变,电场对已成垢的颗粒是否有抑垢作用鲜有研究。针对电场颗粒污垢抑垢机理不明的问题,提出非匀强电场颗粒物污垢抑垢模型,解释了电场对流体管道内污垢颗粒存在抑垢作用。电场60V至180V、频率50Hz、颗粒质量100条件下研究结果表明:匀强电场并不会使颗粒产生抑垢作用,颗粒污垢在非匀强电场受到介电泳力（）,改变原本运动轨迹,达到抑垢的效果。随着电场强度升高,碳酸钙颗粒受到的从,升至。硫酸钙受到的从升至。碳酸镁颗粒受到的升至。电场强度对多种污垢颗粒产生的,是影响抑垢效果的关键因素。     

二值图像中目标物体轮廓的边界跟踪算法

分析了二值图像识别中常见的边界跟踪算法,在此基础上提出一种通用性强的边界跟踪算法,能够根据上一边界点的位置判断轮廓走向.在搜索下一个边界点时,只需要对候选的5个点进行判断,便可以找到下一个边界点的位置,从而减少了搜索的次数,使得边界跟踪的时间大为减少.算法对于轮廓不封闭的线段也可以一次扫描得到其轮廓信息.实验表明,算法不仅速度快,而且轮廓识别准确.对于目标物较复杂的图像,算法更能体现出其优越性.     

电力线相互平行的电场是匀强电场的充要条件

本文证明了：对于电力线相互平行的电场，电场强度的大小不可能在垂直于电场强度的方向上有变化；但电场强度的大小可以沿电场强度的方向上有变化。还证明了：若电力线相互平行的电场区域内有不为零的净电荷分布，则该区域必为非匀强电场区域；若在任一个电力线相互平行的电场区域内净电荷分布处处为零，则该区域必为匀强电场区域。这也就是电力线相互平行的电场一定是匀强电场的充要条件。     

对匀强电场中置入倾斜无限大均匀介质板静电问题的解法探讨

揭示处理匀强电场中置入倾斜无限大均匀介质板静电问题的不妥，应用匀强电场的点电荷构造法与电介质边界的电像法给出了匀强电场中置入特殊界面电介质静电问题的解法     

自由边界单原子链的奇特驻波解

指出一维单原子链的格波解是由于采用了循环边界条件的结果.若采用自由边界条件,则一维单原子链将给出振动解,此解不是一种行波解,而是一种特殊的驻波解.     

带电粒子在匀强电场、匀强磁场中运动的轨迹

对带电粒子与匀强电场、匀强磁场成不同的夹角进入场中的运动轨迹问题,根据不同的情况分别进行了讨论     

一种非对称双原子分子的电子位移极化率计算模型

分析了经典的电子位移极化率的计算模型,指出了这些经典模型在计算非对称双原子分子模型时存在局限性,提出了一种针对非对称双原子分子的电子位移极化率的计算模型.该模型考虑了分子内原子偶极矩对电子位移极化的影响,推导了宏观电场与分子轴平行、垂直、呈任意夹角等典型情况下的非对称双原子分子的电子位移极化率的数学模型.根据该模型计算了六方氮化硼(h-BN)晶体的电子位移极化率,并与经典模型的计算结果进行了比较,进一步分析了所提出模型的适用范围.     

时变场中导电导磁体的边界元素法

该文研究了低频人工时变场（似稳场）中任意导电导磁矿体的边界元素法。通过对矢量位的边界积分方程，再以样条边界元素法进行离散，得到实分量的常系数方程组和虚分量的二阶微分方程组。此方程可利用时间积分的样条函数方法求解，解出矢量位后，利用磁场强度与矢量位Ａ的相应关系而求得二次磁场的水平分量和垂直分量。     

在匀强电场中介质球内外的电场

通过求解拉普斯方程在球坐标中解的一般形式,得到了在匀强电场中介质球内外的电位和电场强度函数的析式.     

在匀强电场中介质球内外的电场

通过求解拉普斯方程在球坐标中解的一般形式,得到了在匀强电场中介质球内外的电位和电 场强度函数的析式。     

基于选择性注意机制的无边界主动轮廓图像分割算法

针对现有的主动轮廓算法多为人为给定初始轮廓线的问题,提出一种基于选择性注意机制的无边界主动轮廓图像分割算法。该算法首先利用数学形态学算子对图像进行平滑预处理,然后将选择性注意机制引入到基于区域的无边界主动轮廓模型中,对单目标和多目标图像分别采用基于显著图的方法以及基于选择注意与小波变换相结合的方法进行掩膜初始化,最后应用水平集方法进行图像分割。结果表明,该算法不仅可以减少迭代次数,当图像中存在多个目标时还可以得到更精确的分割结果,有效地提高了主动轮廓算法的效率。     

相干中性原子在电场中运动的几何相位

提出并论证了用由玻色—爱因斯坦凝聚耦合输出相干中性原子的磁子在电场中的运动来检验沿其运动路径所积累的几何相位     

应用原子极化半径方法对 CH_4,SiH_4和 GeH_4的 X_(?)方法研究

用多重散射x_α方法(MS—x_α)和原子极化半径的概念对CH_4、SiH_4和GH_4三个分子进行了键长优化,并计算了分子的部分电离能.优化得到的分子键长值及在最优键长和实验键长两处的电离能计算值与实验数据吻合较好,且优于其他作者用x_α方法对CH_4、SiH 和GeH 分子的计算结果.     

围岩充电法充电场的边界元法数值计算

该文讨论了用边界单元法数值计算围岩充电场的基本原理和方法技术,并给出了若干算例。