新结构多晶硅发射极光电晶体管

报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光晶体管，用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增提高了２倍；隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度；穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度，已研制成的这种新型结构的光电晶体管在１０Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，０．１７４μＷ的光增益达到了３８３。     

多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟

通过对多晶硅发射极晶体管（ＰＥＴ）的多晶硅及界面层导电特性的分析， 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式，并以此为自洽的 边界条件，在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程，得到晶 体管内部电势分布和载流子分布以及ＰＥＴ的端电流特性．     

fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制

利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为3?μm×8?μm的SiGe异质结双极晶体管(HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益β为30到50,基极开路下,收集极-发射极反向击穿电压BVCEO为5?V,晶体管的截止频率fT为13.5?GHz。     

多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性机理分析

本文通过建立发射区两区模型,对多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性的机理进行了分析,结果表明:基区注入的少子在多晶硅区运动受障碍导致等效薄发射极晶体管的电流增益提高;多晶硅膜的少子迁移率和寿命是提高电流增益的两个关键参数.管芯测试结果亦表明,由于多晶硅膜的作用,薄发射区晶闸管的开通特性并未因发射区很薄而受影响.     

大功率晶体管横向结构参数设计与分析

为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。     

多晶硅接触薄发射极欧姆接触电极的研究

提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构－Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ．结构。通过实验研究和对Ａｌ－Ｔｉ－Ｓｉ系统反应动力学的分析，解决了此结构的关键问题－Ｔｉ层厚度的确定方法及其制备工艺条件；对此结构的有效性和质量，即浅结的完整性以及欧姆接触电阻的大小进行了实验检查。采用此结构，已成功地制备出低损耗、快速薄发射极晶闸管管芯样品。     

三值移位寄存器及其应用

本文参照二值移位寄存器原理,提出了用三值置态型触发器组成三位移位寄存器、三值双向移位寄存器和具有串行-并行数据变换功能的三值移位寄存器。     

多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型

对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层。通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，但由于界面态的作用，当ｘ增加到一定值时增益的提高变缓。     

反馈移位寄存器的逻辑设计方法

介绍的反馈移位寄存器的一种新的设计方法,即在最长周期Ｍ＝２＾ｎ－１反馈移位寄存器的状态图上直接寻找起跳状态,实现周期Ｍ〈２＾ｎ－１反馈移位寄存器的逻辑综合。     

超高频晶体管的砷扩散问题

一、为什么要用砷(As)代替磷(P)扩散超高频硅n—p—n 平面晶体管需要有良好的高频特性,要提高晶体管的特征频率f_T,在设计中一般都采用减少发射极面积和采用窄的发射极条宽以降低发射结电容,另一方面是采用浅结薄基区以降低基区渡越时间。制版和光刻技术的发展使得管子发     

基于VHDL的16位串入串出移位寄存器设计

本文以8位串入串出移位寄存器为例,介绍了利用生成语句设计的16位串入串出移位寄存器的方法,程序设计简单,在电子设计中具有一定的开发价值。     

核桃壳基炭分子筛的工业化生产

在工业生产条件下，由核桃壳制得变压吸附空分制氮用碳分子筛。核桃壳首抚在６００－８００℃下置于转炉中一步炭化制得核桃壳木炭；木炭粉碎后加入结煤焦油捏，挤条成型；成型样干燥后，在氮气保护下置于转炉中二次炭化，炭化温度６００－８５０℃，冷却后得到炭分子筛。     

一种CMOS-CC4015的串联型步进控制器的设计

为简单化串联型顺序控制电路的结构,提出了一种以CMOS-CC4015移位寄存器为核心的串联型步进控制器的设计思路。该控制器用移位寄存器中各位的状态描述装备的工作步,用现场提供的控制信号(转移条件)作为移位寄存器的移位触发信号,在输入/输出电路的共同作用下实现顺序移位控制。实际应用表明,该控制器具有性能稳定、工作可靠、能耗小、连接简单、免编程等特点。在单机自动化设备的控制中,是一种值得推广应用的低成本控制器。     

改善高频大功率晶体管二次击穿提高fT的特殊设计方法

本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ。     

浅析探究式实验模式

主要是介绍探究式实验研究模式的实践。通过实验认识移位寄存器、设计计数控制电路,当中以探究式实验研究模式发现、分析、解决问题,实现了基于寄存器的信号存取小系统。     

移位寄存器在实验中的应用

移位寄存器是用来寄存二进制数字信息,并能将存储的信息移位的时序逻辑电路。在数字通信中移位寄存器应用极其广泛。该文通过具体电路分析了利用移位寄存器等集成器件构成的实际电路,阐明了在实验中所能达到的教学目的。     

实现移位寄存器型计数器的自启动

本文以扭环型计数器（约翰逊计数器）为例，阐明了移位寄存器型计数器的自启动的设计过程，对其它时序电路的自启动问题同样适用．     

提高大功率开关晶体管二次击穿容量的一种方法

本文简述了硅双极型大功率开关晶体管产生正偏二次击穿的机理,提出一种提高硅双极型大功率开关晶体管二次击穿容量的有效方法,并以一种功率为225W(TC=25℃),BVCEO=200V,ICM=30A的高速开关晶体管为例,介绍了一种通过特殊版图设计和工艺设计的方法,使晶体管的发射结面积得到充分应用,消除了大电流时发射极的电流集边效应,从而提高了功率开关晶体管的正偏二次击穿功率容量.     

可编程逻辑器件的应用

从3个方面讨论了可编程器件的应用．首先，使用了一个串入并出移位寄存器“74164”宏单元，将一路数据流分成两路．这种方法实际用了MAX PLUSⅡ软件提供的移位寄存器宏单元，使用起来简单、方便．第2种设计方法的特点是针对FLEX系列器件结构在查找表结构的基础上，对工作速度和占芯片面积进行优化．第3种方法是用VHDL语言编制一个4位二进制同步计数器，用语言描述的特点是描述能力强，覆盖面广，抽象能力强．     

移位型计数器中反馈逻辑电路的设计

移位型计数器是以移位寄存器为主体构成的同步计数器。这类计数器具有电路连接简单,编码别具特色的特点,用途十分广泛。文中介绍了移位型计数器中反馈逻辑电路设计的基本思路,举例说明了移位型计数器实现的基本方法。