150 keV电子辐照下直拉硅的缺陷演化及其电学性能

研究150 keV电子辐照下直拉硅中的缺陷演化规律,探讨辐照缺陷对直拉硅电学性能的影响.结果表明,150 keV电子辐照在直拉硅中引入VnOm复合体,且随辐照注量的增大缺陷浓度升高.对于不同导电类型的直拉硅,P型硅的薄膜方块电阻和薄膜电阻率随电子辐照注量的增大而增大并趋于饱和,而N型硅的薄膜方块电阻和薄膜电阻率随电子辐照注量的增大而减小并趋于饱和.     

稻壳灰对活性粉末混凝土强度的影响

研究了不同掺量、高低温稻壳灰等量替代硅灰后对RPC试件的抗压强度、抗折强度及折压比的影响,并通过不同的养护制度(即热水养护及蒸汽养护)测试绿色环保型RPC力学性能的发展规律.研究结果表明:低温稻壳灰与硅灰在复掺作用下比单掺硅灰更有利于RPC强度的增长,且能更好地改善RPC的脆性;采用100℃热水养护比蒸汽养护对RPC抗压强度更有利,然而养护制度对其抗折强度的影响并不明显.因此将稻壳灰作为绿色资源应用于RPC中,在获得超高性能的同时对降低成本与实现资源化再生利用均有指导性意义.     

基于RC网络集成电路的多晶硅薄膜电阻工艺优化

介绍基于RC[1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法,并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式.利用LPCVD方式制作多晶硅薄膜,可以得到很好的膜层均匀性和最佳的淀积速率,再利用POCl3进行高温掺杂[2],得到优化的电阻率,灵活改变各种参数,可使电阻的精度优于5%.     

丝网印刷电极技术在硅太阳电池制造中的应用

丝网印刷电极技术在硅太阳电池制造中的应用开封太阳能电池厂杜聚臣一、概述硅太阳电池发电技术，已被世界各国普遍重视并积极推广应用。推广应用的主要障碍是生产成本偏高，为进一步降低太阳电池成本，各国都在进行研究与探讨，除在材料方面研制出非晶硅、化合物及多晶硅...     

硅粉混凝土的抗压强度的试验研究

依据100mm×100mm×100mm的立方体试块、150mm×150mm×150mm标准试块和直径100mm、高200mm圆柱体试块硅粉混凝土抗压强度的试验试验,分析了硅粉掺量对各种标准试验抗压强度的的影响,提出了不同硅粉掺量条件下抗压强度比的关系。     

重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨

虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P~ 和n/n~ 外延材料加工MOS电路有很多优点.自从得克萨斯仪器公司在81年首先成功地在工业上采用硅外延片加工64k RAM以来,MOS电路的衬底已开始从体单晶向外延片的过渡.同时,也激发了研究重掺衬底氧本征吸杂(IG)工艺的兴趣.本实验室通过对重掺砷衬底氧本征吸杂工艺的摸索,体内缺陷的观察,外延层上MOS C-t寿命以及二极管反向特性曲线的测定,以探讨高掺杂情况下,衬底硅材料的本征吸杂能力.     

河南省电子及通信设备制造业可持续发展能力评价及预警

近年来,河南省电子信息产业规模快速增长,2008年,全省规模以上电子信息制造业主营业务收入达到351亿元,居全国第12位,同比增长38%。在多晶硅、光伏电池、锂离子电池、镍氢电池、电池材料、信息安全等领域具有一定产业优势,形成了洛阳中硅、中光学集团、凯瑞数码、天空能源等一批骨干企业。     

200吨/年多晶硅装置工程设计

山东鼎昌硅业科技有限公司根据市场需要新建一套200吨/年太阳能级多晶硅生产装置.该装置采用改良西门子工艺,主要包括三氯氧硅提纯部分、干法回收部分、多晶硅还原与后处理部分以及配套的纯水、氮气、导热油等辅助系统.装置于2009年12月建成,20lO年7月投产,产品一次分析合格,经考核,装置满足设计要求.     

掺铝氧化锌透明导电薄膜生长及光电性质研究

采用磁控溅射在载玻片上制备掺铝氧化锌AZO透明导电薄膜,并用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,四探针电阻率测试仪测量样品的方块电阻和电阻率,分光光度计测量薄膜透射率.结果表明当功率、温度、氢气掺杂比为200 W、300℃、8%时,制备的AZO薄膜具有最小的方块电阻和电阻率,且在可见光区域内透射率均超过80%.     

河南省电子及通信设备制造业可持续发展能力评价及预警

<正>近年来,河南省电子信息产业规模快速增长,2008年,全省规模以上电子信息制造业主营业务收入达到351亿元,居全国第12位,同比增长38%。在多晶硅、光伏电池、锂离子电池、镍氢电池、电池材料、信息安全等领域具有一定产业优势,形成了洛阳中硅、中光学集团、凯瑞数码、天空能源等一批骨干企业。产业