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相似文献
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1.
基于UMC 0.18 μm CMOS 工艺,设计了一款用于全球卫星导航系统(GNSS)的宽带低噪声放大器(LNA). 其中,采用并联反馈电阻噪声抵消结构降低整体电路的噪声,使用电感峰化技术提升工作频带内的增益平坦度,进而优化高频噪声性能. 此外,采用共源共栅结构提高电路的反向隔离度. 仿真结果表明,在电源电压为1.8 V 的条件下,低噪声放大器的-3 dB 带宽为1 GHz,最大增益为15.08 dB,在1-2 GHz 内增益变化范围为±1 dB,噪声系数为2.65-2.82 dB,输入回波损耗和反向传输系数分别小于-13 dB 和-40 dB. 芯片核心面积为740 μm×445 μm.  相似文献   

2.
陈琳 《科技资讯》2009,(11):242-242,244
在通讯系统中,为了提高系统接收灵敏度,需要降低内部噪声对系统的影响,前端的低噪声放大器是决定整个系统噪声性能的关键部件。本课题设计的低噪声放大器运用在Ku高端系统中,在15.8GHz~16.2GHz的工作频段内仍有相当低的噪声系数(?1.8 d B)。此外,在温度变化高达110°C(+7 0℃~-4 0℃)的恶劣环境下,增益变化?2dB。  相似文献   

3.
设计一种满足全频段全球卫星导航系统(global navigation satellite system,GNSS)接收机应用要求的低噪声放大器(low noise amplifier,LNA)。为提高射频前端的集成度并降低成本,提出一种基于发射极电感负反馈结构宽带LNA的实现方法,并对电路结构、宽带输入阻抗匹配和噪声性能进行分析。电路采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计和实现。研究结果表明:在GNSS全频段范围(1 164~1 610 MHz)内,输入回损大于8.0 dB,输出回损大于8.9 dB,噪声系数低于1.30 dB,功率增益高于14.9 dB,输入三阶互调点为-5.8 dBm。芯片最低功耗为9.6 mW,面积约为600μm×650μm。  相似文献   

4.
提出了一种射频宽带低噪声放大器的实现方式,使用宽带电流反馈型运放和宽带低噪声电压反馈型运放完成了0d B~60d B增益连续可调.由于输入信号幅度小、带宽宽,系统通过屏蔽盒进行处理提高了自身的稳定性和抗干扰能力.输入电压最小峰峰值2m V,3d B带宽达0.3MHz~150MHz,最大输出正弦波有效值1.8V,在1MHz~100MHz频带内增益起伏小于1d B,性能优良,可广泛用于电子对抗、战术武器制导以及无线通信中.  相似文献   

5.
介绍了一种10GHz低噪声放大器。通过理论的分析计算以及软件的优化设计,得到更好的低噪放性能。还简单介绍了实际的结构、测试过程和实测数据。  相似文献   

6.
提出了一种可变放大增益MIMO放大转发中继方案,其中多天线节点同时进行天线选择与波束形成.为了降低系统复杂度与成本,节点选择两个天线进行波束形成.在瑞利衰落信道中分析了端到端误码率,在源节点与目的节点天线数量大于等于2时获得了误码率的封闭表达式.在高信噪比条件下得到了端到端误码率的渐进近似表达式,进而分析了系统分集阶数.最后采用MATLAB仿真工具进行了上述中继方案仿真,证明了解析结果的正确性.  相似文献   

7.
文章设计了一款用于平方公里阵列(Square Kilometer Array,SKA)接收前端的异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)低噪声放大器。放大器的第1级在反馈电感的基础上采用电容负载,利用晶体管寄生电容拓展带宽;第2级利用发射极跟随放大器实现宽带内稳定的输出阻抗。采用HHNEC 180 nm SiGe工艺对电路进行仿真,版图仿真结果表明,在0.5~1.5 GHz内,噪声系数低于1.16 dB,最小噪声系数为0.76 dB,S_(21)大于15 dB。整个电路尺寸为1.1 mm×0.98 mm(含焊盘),在3.3 V供电电压下,功耗为34 mW。  相似文献   

8.
基于源简并电感共源共栅结构,设计了1种有源自偏置低噪声放大器,既可消除偏置电路功耗,又能克服无源自偏置噪声较高的缺点;另外利用键合线作为高Q值电感元件,进一步降低噪声系数并减小芯片面积.所设计低噪声放大器采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行优化设计并流水制备.仿真结果表明,在12-16GHz频段内,噪声系数NF低于3.2 d B,输入3阶交调点IIP3为1.573 d Bm.研制芯片面积为540μm×360μm,在1.8 V电压下,消耗16 m A电流.结果表明芯片测试实现在12.2-15.5 GHz频段上,输入输出反射性能良好,正向增益S_(21)6 d B,反向隔离度S_(12)-32.5 d B.  相似文献   

9.
采用HMIC技术,设计出了覆盖Ku波段的微带型平衡式低噪声放大器,其全频段NF<2,增益为(10±1)dB,输入输出VSWR<1.43.其中,耦合电桥采用了改进型的3 dB Wilkinson耦合器,比传统电桥具有更宽的带宽,且更易实现.匹配网络采用宽带直接优化法,实现了良好的增益平坦度.整个电路结构紧凑,分离元件少,易加工,成本低,具有很大的工程价值.  相似文献   

10.
针对互补金属氧化物半导体工艺在高频时性能差的缺点,基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种用于无线通信系统的宽带低噪声放大器,宽带低噪声放大器的设计采用负反馈来获得平坦的增益和较低的输入输出反射系数。电路版图设计好后利用Advanced Design System 2005进行仿真。仿真结果表明,该放大器在0.3~2.2 GHz频带内,增益高于12 dB,且变化小于3 dB;噪声系数在1.04~1.43 dB之间,输入输出反射系数均小于-10 dB,群延时特性在整个频带内接近线性,且在整个频带内无条件稳定,所设计的宽带低噪声放大器能够很好地满足实际需要。  相似文献   

11.
介绍了高增益低噪声信号放大电路的设计与研究,并给出了可变增益放大器LMH6505和运算放大器AD8041的工作原理.根据增益可变的要求,以AD8041和LMH6505为核心,通过Pspice软件对设计电路进行仿真,分析和验证了设计电路的可行性,并以此为基础对实际电路进行了测试与研究,完成了120dB大动态范围、工作频率...  相似文献   

12.
低噪声放大器的仿真设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
周伟中 《科技资讯》2010,(14):30-31
介绍了一种利用ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法。先总体阐述了低噪声放大器的主要技术和性能指标,然后在采用AVAGO公司的ATF-34143晶体管的基础上,根据低噪声放大器的各项指标来同步进行电路的设计、优化和仿真,最后使得低噪声放大器的设计结果达到设计初期的期望值,并成功地完成了低噪声放大器的电路设计。  相似文献   

13.
提出了一种新型双频段磁电偶极子天线。通过一对印刷在介质板上的金属贴片与金属地板垂直相连形成磁偶极子,2组尺寸不同的印刷振子形成电偶极子并产生2个谐振频段,构成了双频段磁电偶极子天线。采用微带线-平行双线巴伦的馈电方式实现了不平衡到平衡馈电的转化,以便于给磁偶极子和电偶极子同时馈电,该馈电方式可使天线的整体尺寸更小、结构更加紧凑,有利于天线结构和馈电结构一体化设计。实测和仿真结果表明:在2.29~3.13GHz和4.70~5.85GHz的工作频带内,天线具有良好的方向性、稳定对称的辐射方向图、低交叉极化和低后瓣特性。  相似文献   

14.
应用级间失配法研究微波放器的噪声与功率同时匹配,实现噪声低和输出入输出功率匹酿良好的微波低噪声放大器。方法将两个单组LAN级联,并把第一级LAN的输出功率匹配网络用级间失配网络代替,当此级间失配网络实现特定的阻抗变换作用时,微波放大器噪民功率能帮到同时匹配。  相似文献   

15.
S波段单片低噪声放大器   总被引:1,自引:0,他引:1  
S波段单片低噪声放大器采用了0.5 μm φ3英寸(76.2 mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,由三级自偏电路构成,单电源( 5 V)供电.对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后,随机抽取一定数量的样品装架测量, 并对放大器进行了增益和相位的统计.统计表明:在S波段带宽300 MHz范围内,增益在24.5~26 dB范围内, 相位线性度小于1°,相位偏差±7°,噪声系数最大1.4 dB,输入输出驻波最大1.4,1 dB压缩输出功率大于10.5 dBm.另外,还对放大器进行了高温、低温环境试验和静电模拟和试验.  相似文献   

16.
微波超宽带低噪声放大器的设计   总被引:7,自引:0,他引:7  
设计和制作一种小型超宽带低噪声晶体管放大器 ,采用全微带匹配网络和负反馈技术 ,利用新型晶体管器件 HEMT,经自编的程序 MMatch和商业软件 Touchstone双重辅助设计 ,实现在 0 .9-3.6 GHz两个倍频程的超宽带范围内增益 >2 9.4 d B,增益平坦度 <5 % ,噪声系数 <1 .8d B,输入、输出驻波比 <2 .2 ,1 d B,压缩点输出功率 >1 7.9d Bm.该放大器制作在 5 2× 2 5 mm2的聚四氟乙烯基板上 ,经测试满足设计要求 .  相似文献   

17.
提出一种利用噪声抵消技术减小热噪声因子的互补金属氧化物半导体(CMOS)宽带低噪声放大器电路.它具有不平衡变换器可转换单端信号为差分信号,无需外接平衡-不平衡变换器,也未采用电感匹配技术,进一步减小了芯片的面积.该低噪声放大器基于TSMC 0.18μm RF CMOS 1.8V的工艺设计,仿真和验证采用Cadence公司的Spectre工具.结果表明:在150~600MHz频带内的噪声系数为3.9dB,输入匹配参数S11小于-11.7dB,输入3阶截点IIP3为1.03dBm.  相似文献   

18.
设计了一种基于高电子迁移率晶体管ATF54143的单级低噪声放大器,采用ADS软件进行了设计优化。仿真结果表明在2.45 GHz处噪声系数小于1.5 d B,增益大于16.4 d B,稳定系数大于1.1,输入与输出的电压驻波比都小于1.1。在仿真基础上进行了实物加工,实测结果在2.45 GHz处|S21|为8.3 d B,|S11|和|S22|最小值分别为-13.5 d B,-17.2 d B,1 d B压缩点的输出功率约为10 d Bm。该放大器可应用于S波段的无线局域网,射频识别和北斗导航系统等领域。  相似文献   

19.
介绍CDMA低噪声放大器的设计.分析设计中需注意的关键问题并给出相应解决措施。给出了实测的该低噪声放大器的各项性能指标。  相似文献   

20.
介绍了使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计X频段的低噪声放大器的方法和过程。并对制成品在工作频段为8.6~9.5GHz噪声系数1.8dB,增益为23dB,带内平坦度0.5dB时进行了实际测试和调试,结果表明,此放大器达到了预定的技术指标,性能良好。  相似文献   

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