nSi/pSi0.8Ge0.2/nSi与nSi/pSi/nSi晶体管直流特性的比较

采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si0.8Ge0.2应变基区异质结双极晶体管(HBT)与Si同质结双极晶体管(BJT)的直流特性进行了数值分析;给出了高斯掺杂情形下,基区中Ge含量为0.2的Si0.8Ge0.2HBT与Si同质双极结晶体管(BJT)的共射极电流放大系数图、Gummel图、平衡能带图和基区少子分布图,对比结果表明基区中Ge的引入有效地改善了晶体管的直流放大性能;其次对Si0.8Ge0.2HBT与SiBJT的大电流特性进行了比较,证实了在大电流下异质结基区少子向集电区扩展引起的异质结势垒效应,使Si0.8Ge0.2HBT的直流放大系数比SiBJT的放大系数下降更快这一实验结果.     

AlGaAs／GaAs HBT E—M模型直流参数的修正

在Ｓｉ ＢＪＴ Ｅ－ＭＳ模型基础上,对其直流参数进行进行了修正,使其适应于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的直流特性;电流增益不是常量和自热效应。计算机模拟值与测值在中电流和较大电流时相当吻合,这一结果支持了ＨＢＴ电路模拟。     

穿通型光电晶体管的直流特性测试

在ｎＷ－μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数，光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测试结果表明，在３－１４Ｖ工作电压下，１μＷ入射光功率时光增益７１１３，４０－５０ｎＷ光功率时光电增为３６９３，高于国内外报道的光电探测器的同类指标。     

具有高增益特性的InGaAsP/InP异质结光晶体管

用液相外延方法制造了InGaAsP/InP异质结光晶体管,在1.3μm光增益高于200,在1.0μm光增益在1000倍以上,并在0.7μm～15μm范围内测量了谱响应。     

晶体管击穿电压的数值分析

本文从物理概念出发，推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式，并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及ｐｎ结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。     

低温ECL电路直流特性测试与分析

低温ＥＣＬ电路直流特性测试与分析高梅芳，沈克强，魏同立，李垚（东南大学微电子中心，南京２１００１８）本文通过对低温ＥＣＬ电路和常温ＥＣＬ电路的比较和测试分析得知，晶体管饱和电流随温度下降而急剧下降，这是影响电路工作性能的主要因素．并指出，这种影响可通...     

高性能Si1—xGex／Si异质结内光电子发射红外探测器

利用Ｓｉ分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质内光电子发射红探测器。探测器的黑体探测率在７７Ｋ时达到１．２＊１０＾１０ｃｍ．Ｈｚ＾１／２／Ｗ。     

一种新的HEMT器件I—V特性解析模型

提出了一种考虑速度对冲效应的ＨＥＭＴ器件Ｉ－Ｖ特性解析模型，在非线性电荷控制模型的基础上，对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯近似，提出了一个半经验的速度过冲模型，经实际计算结果表明，本模型具有比较高的精度。     

硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管，其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系。并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的牲工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性,提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联随道结数来抑制各种噪声。模     

多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型

对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层。通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，但由于界面态的作用，当ｘ增加到一定值时增益的提高变缓。     

Ga_（1－x）In_xAs／GaInAsP／InP张应变层量子阱的增益特性

在运用变形计算法计算了Ｇａ１－ｘＩｎｘＡｓ／ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阱子能带结构的基础上，综合考虑了子能带耦合效应对价带子能带与跃迁矩阵元的作用及状态密度对增益线宽的影响，首次从理论上发现张应变量子阱中的ＴＭ模具有比压应变或无应变量子阱中的主模式ＴＥ模更为优异的增益特性。即增益系数更大，微分增益更高，线宽更窄。     

Ar~ 离子注入对Ge/GaAs(100)异质结能带偏离影响的XPS研究

用X光电子能谱(XPS)方法研究了界面特性和Ge/GaAs(100)异质结的能带偏离关系。实验表明,当在清洁的GaAs(100)表面生长Ge异质结时,其价带偏离(△E_v)与界面特性无关,而在Ar离子注入的GaAs(100)表面上生长的Ge异质结,其价带偏离与Ar~ 离子的浓度分布有关。     

屏蔽对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量 .对 Ga As/Alx Ga1-x As系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系 ,并讨论了有无屏蔽时的区别     

La_(1-x)K_xMnO_3磁卡效应的研究

用溶胶法制备了Ｌａ１－ｘＭｎＯ３系列样品,经ＸＲＤ分析表明样品为单相钙钛矿结构。ＴＥＭ结果显示样品的颗粒基本呈球状,粒径约在２００～３００ｎｍ之间。利用振动样品磁强计（ＶＳＭ）测量了样品的Ｍ－Ｔ和Ｍ－Ｈ曲线,研究了样品的居里温度和最大磁熵变随掺杂量的变化规律。结果表明,当调节居里温度在室温附近时,样品在低磁场下仍具有较大的磁熵变,有望成为在室温下使用的磁制冷工质。     

板片空间结构稳定分析中的数值计算模型

分析了板片空间结构体系中板与骨架共同工作问题的力学机理,将接触问题的理论和方法应用到结构稳定问题的研究中,建立了相应的数值计算模型.基于共同工作问题的数值模拟,分析了该结构体系中板与金属骨架之间的接触单元安置、初始接触刚度对结构稳定分析计算的影响,提出了接触单元安置的原则和初始接触刚度选取的合理范围.数值计算结果与试验结果比较表明:该数值计算模型计算结果和试验结果符合较好,能够真实地反映板片空间结构实际的稳定工作状态,是合理和可靠的,而位移完全协调数值模型的结果较试验结果偏高,用于设计偏于不安全.     

瓶颈路段交通信号最优切换的数值分析

Ｇｒｙｃｋｏ等人证明了在由交通灯控制的瓶颈路段上，排队汽车的队长渐近期望相对于队长过程的起始分布是不变的；这就可以考虑用取该渐近期望最小来确定绿灯的最优持续时间，Ｇｒｙｃｋｏ等给出了相应的解析证明，这里用数值分析的方法给出进一步的研究结果。     

Li[Li(1/3-x/3)Mn(2/3-2x/3)Cox]O2(x=O.1)的团簇自旋玻璃态行为

采用柠檬酸盐法制备了六方层状结构的Li[Li(1/3-x/3)Mn(2/3-2x/3)Cox]O2(x=0.1)材料.体系在高温区呈现顺磁态,通过拟合Curie-Weiss定律得到Curie和Weiss常数分别为1.70(2)m3 K/mol和-22(3)K.该材料的磁化率曲线在低温区表现出不可逆转变行为,并且这种不可...     

掺铒光纤放大器放大特性分析

介绍了掺铒光纤放大器(EDFA)的基本工作原理,建立了放大特性理论模型。并在不同条件下模拟仿真了其增益特性。揭示了EDFA的增益特性与泵浦光功率、掺铒光纤长度(EDF)的关系。