具有误差修正的神经元MOS数模转换器

基于神经元MOS (νMOS)加权运算的功能设计一种结构简单的新型数模转换器.该转换器通过附加电路来修正MOS管阈值电压、减小积分非线性和微分非线性以及输入栅电容精度工艺偏差等影响,使输出误差限定在 0.5LSB以内.在转换时间分别为100ns、50ns两种情况下, 采用Charted 0.35μm工艺、用 Candence spectre工具对其动态特性进行了模拟研究,结果表明:在转换时间为100ns的输出误差均在 0.5LSB以内.     

背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性

在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ＾２时的好。     

CMOS集成电路中MOS管匹配特性分析

目的研究CMOS集成电路中MOS管匹配特性。方法通过分析MOS管在饱和区和线性区的工作方程,分别推导了引起MOS管电压、电流失配的因素,并分析对MOS管匹配特性的影响。结果系统地提出一些进行MOS管匹配设计的方法及应该采取的版图设计规则。结论可作为CMOS集成电路设计提供必要的理论依据。     

用 MOS-DYL 电路实现逻辑推理神经元

介绍神经网络的电子学实现方法并分析了用ＭＯＳ－ＤＹＬ电路实现神经网络的优越性。提出了用ＭＯＳ－ＤＹＬ电路实现基本神经元模型的方法，并证明应用其有可能实现逻辑推理功能，最后用专用软件在微机上对上述电路结构进行了仿真，说明设计的可行性。     

小尺寸MOS场效应管弱反型饱和特性

考虑到小尺寸ＭＯＳ（金属－氧化物－半导体）场效应管耗尺区电荷和空间电荷的减少，推导出了小尺寸ＭＯＳ场效应管弱反型漏极电流的解析表示式，用来描述漏极饱和电流随漏极电压上升而增大的现象，理论与实验符合得较好，本文结果可用于集成电路的计算机模拟设计中。     

多特性仿生统一神经元模型

为对几十种神经元模型做出统一描述,总结归纳出目前生物医学界和工程科学界普遍认可的生物神经元的十二大基本特性,并以此为基础提出了一种更为全面反映生物神经元特性的人工神经元统一框架模型——多特性仿生统一神经元(MBUN)模型.经验证,该模型可有效描述各种常见神经元模型及学习算法.     

4H-SiC MOS电容栅介质经NO退火电流导通机理研究

本文对进行NO退火和非NO退火的SiC MOS电容的栅泄漏电流的导通机理进行了分析,研究表明在高场下经过NO退火和未经过NO退火的样品的栅泄露电流都由Fowler-Nordheim （FN）隧穿决定,经过NO退火的势垒高度为2.67 eV,而未经过NO退火的样品势垒高度为2.54 eV,势垒高度的增加说明了氮化的作用.在中度电场区域,通过拟合分析发现此区域的栅泄漏电流主要由Poole-Frenkel发射（PF）决定,并不受陷阱辅助隧穿trap assisted tunneling（TAT）的影响.同时C-V特性也明显看出NO退火对界面质量的影响.      

交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术.它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度D_(it)等SPICE模拟程序中的模型参数.对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段.     

高压抗噪声干扰MOS栅驱动电路的设计

设计了一种高压抗噪声干扰MOS栅驱动电路,能有效抑制开关转换过程中产生的dv/dt噪声,消除高压电路工作过程中可能出现的误触发,提高系统的稳定性和可靠性.采用共模反馈从而使电路结构简单,同时采用窄脉冲触发式控制降低了功耗.本电路可以集成在高压集成电路(HVIC)中.采用某公司高压600V0.5μm BCD工艺模型,通过Cadence仿真验证表明:本电路可有效滤除dv/dt噪声,被消除的dv/dt噪声最高可以达到60V/ns,同时被消除的失调噪声可以达到20%,保证了高压栅驱动电路稳定、可靠地工作.     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

CUSI神经元模型的一般形式及其应用

提出了ＣＵＳＩ神经元模型的一般形式，给出其学习算法。通过实例将ＣＵＳＩ神经元模型应用到地质数据的分析上，取得了比线性回归更好的效果。     

神经元非线性动力学特征的模拟

本文在四阶Runge-Kutta方法求解HH神经元模型方程的基础上,通过计算机模拟了神经元分别输入直流动作电位和固定动作电位的反应,并应用时间间隔直方图和输入输出时间间隔的return map图做了分析说明.     

CL256型MOS图象传感器的研制

CL256型MOS图象传感器是一种新型的固体图象传感器,国外又称为自扫描光电二极管列阵(Self Scanned Photodiode Array,简称SSPD器件)。该器件采用了硅栅P-MOS工艺,而作为扫描电路的移位寄存器是采用的一种带变容管自举电路的三管动态无比电路。这是一种高速度低功耗电路,对研制高位数的SSPD器件尤为重要。 文中叙述了CL256型MOS图象传感器的电路工作原理,工艺实验及实验结果。     

自适应神经元控制系统的理论分析

对自适应神经元控制系统进行了研究,得出了关于系统的控制作用、稳定性定理的理论结果,为这种新颖的控制系统的工程应用以及神经元控制器件的研制提供了理论依据.     

谈神经元的信息处理

本文主要简述了在神经系统中信息是如何在神经元之间进行传递的。     

基于单个丘脑皮层神经元的房室模型计算与优化

通过构造两种不同类型的神经元房室模型,研究房室模型的相异性对神经元发放特性的影响.首先运用两种模型先后对丘脑皮层神经元的放电现象进行模拟,接着通过分析仿真结果与实验结果的相似性,得出了两者中能够刻画丘脑皮层神经元的最优模型;最后通过对丘脑皮层兴奋性突触后电位的模拟,对模型做了进一步的检验.     

多模式集成MOS方法在精细化温度预报中的应用

利用T213和ECMWF模式产品,对集成MOS预报方法在温度预报方面做了研究试验,并将其与单模式MOS预报方法进行了对比分析.研究结果表明,多模式集成MOS预报方法与传统MOS预报方法相比,预报水平有了进一步的提高,它能同时充分利用多个模式产品的有用信息,吸取其各自的优点,做出更好的预报.在系统程序设计时,给各因子附带...     

关于一类神经元系统的动力学分析

旨在对Caianiello型离散神经元模型进行分析，由于这种模型具有动态阈值，它能够更加贴切地模拟生物神经元。这种神经元模型恰为延迟动力系统。我们所采用的方法是李雅普诺夫直接方法。文中对各种不同情况得到了神经元系统平衡点的数量、位置的结果。对每一种情况，我们还分析了这些平衡点的动态性质，理论分析和计算机仿真表明该神经元可以具有各种不同的特性，如全局吸引性、局部吸引性、不稳定性或振荡。     

一类神经元模型的动力学分析

针对Rulkov提出的一个神经元模型进行混沌动力学分析.通过对模型中的两个主要参数α和β的讨论,阐述并证明了在参数α,β变化下产生的各种分叉情况以及不动点性质,并通过数值模拟方式,对含耦合项的Rulkov神经网络模型的同步性质作初步探讨.