硅／硅直接键合应力的Raman谱研究

介绍了Ｒａｍａｎ谱测试硅片微区应力的方法．用Ｒａｍａｎ谱研究了硅／硅直接键合工艺引入的应力，测试结果表明，高温键合后，硅片表面存在局部的张应力或压应力．应力值最高达７．５×１０￣３Ｎ／ｃｍ￣２．高温退火，应力略有降低．     

液压系统的键合图建模法

叙述了液压控制系统设计中的动态分析问题,着重介绍了动态模型的有力工具－功率键合图的有关概念、建模方法,以及在液压系统中的应用。     

熔盐电解法制备医用Mg-Ca-Zn-Li合金及机理研究

在673 K和773 K采用惰性金属电极,应用多种电化学测试方法研究了Zn(Ⅱ)、Mg(Ⅱ)、Ca(Ⅱ)和Li(Ⅰ)离子在LiCl–KCl熔盐中的电化学行为.结果表明:当阴极电位达到-1. 40 V(vs. Ag/AgCl)时,Mg(Ⅱ)离子在先沉积的Zn表面发生反应,生成MgxZny金属间化合物,而Ca(Ⅱ)离子和Li(Ⅰ)离子同样在金属Mg表面发生欠电位沉积现象.当阴极电位达到-2. 5V(vs. Ag/AgCl)或电流达到-1. 27 A/cm~2时,熔盐共电沉积可以制备Mg-Ca-Zn-Li合金.     

基于功率键合图法的相似系统建模与仿真

应用功率键合图法的基本理论,根据不同物理域中的相似系统,结合功率键合图法将其统一成键合图模型,并用软件20-sim进行系统仿真,得到了不同物理域的相似系统完全一致的仿真结果,为相似系统的建模提出了新的思路.     

甲基（苯乙基）键合硅胶对水中微量有机染料富集作用的研究

采用间歇法和分光光度法测定了甲基（苯乙基）键合硅胶对亚甲兰、亮绿、中性红、品红及孔雀石绿的吸附容量、吸附速率曲线和吸附等温线。实验结果表明，甲基（苯乙基）键合硅胶对五种有机染料均有一定的吸附容量。     

断键与非键电子学的理论及应用研究初探

人们通常讨论的化学键是指那些熟知的共价键、离子键、金属键和范德瓦尔斯键.虽然那些非键例如断键、非键孤对电子、非键单电子、反键偶极子等在我们的日常生活中无处不在,但却很少引人关注.研究发现,恰恰是由于这些非键及其组合的存在,才导致并形成了功能材料尤其是低维功能材料的一系列新奇特性.该文旨在介绍和讨论非键的起因、作用及其研究进展与展望,并强调从有关键和非键的形成、断裂、弛豫、振动和相应的电子转移、极化、局域化和高密度化等的动力学角度出发揭示和预测功能材料宏观行为的必然性.     

多重键的弯键模型

本文根据有关文献探讨了多重键的弯键模型及其理论依据。     

新型注塑机合模机构内循环节能机理分析

随着材料科学的不断发展,出现了各种各样的合成、分子新型材料。新型注塑机作为塑料产品的重要生产设备,在人们生活中起着重要的作用。此前的注塑机合模机构主要为二版直压式的设备,而本文所探讨的是应用内循环机理工作的新型注塑机合模机构。节能是注塑工业发展的必然趋势,针对精密型全液压注塑机移模过程中能耗大的特点,提出一种新型内循环注塑机合模机构。新型合模机构大大提升了生产效能,循环使用生产热能,节约了成本的同时,也减少了设备发热导致的对机器本身的损害。     

无机化学常见分子价键结构研究

针对无机化学中用价键理论给出的有些物质分子结构不能反映与性质的关系问题,基于现有数据与相关研究,采用杂化轨道理论关于参与杂化的轨道"能量相近"的思想方法,通过代表性实例的分析与比较,给出了有关分子能反映其性质的结构,得出了有些多原子分子的中心原子按照np与(n+1)s轨道杂化后再成键的价键理论新观点.     

高阻硅单晶欧姆接触的研究

本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上^[1~6],进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合电火花技术,简捷地分别使高达20000Ωcm的p型硅和4000Ωcm的n型硅都能得到良好的欧姆接触特性,并且在经过30次从300K到77K往返循环后仍保持线性的I-V特性.本文通过对不同温度的I-V特性、接触电阻率和离子探针的测量,结合金属对硅接触的接触电阻率与掺杂浓度的关系计算,讨论了欧姆接触的形成和载流子输运的特征.本方法已成功地用于高阻硅材料杂质补偿度和载流子迁移率的测量.     

硅太阳电池类金刚石增透膜的研制

用类金刚石膜制作硅太阳电池的增透膜可以明显地改善它的光谱特性，实验表明，用类金刚石薄膜制作增透膜之后，硅太阳电池的短路电流增加38％，在较大的光谱范围内响应值增大，并且在650－750nm波长范围内有最大增透效应，在650－950nm波长范围内，量子效率接近1。     

N/P硅外延片的少子扩散长度测量

本文提出了用N/P硅外延片的结光电压光谱响应确定N/P硅外延片中少子扩散长度的方法.导出了入射光强1和结光电压V、光吸收系数a的理论关系,其中包含了外延层和衬底少子扩散长度的信息.     

用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究

在ＨＦ－ＨＮＯ３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）。金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明浸蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环，当显色处于临界时间时，样品光致发光最强，与阳极氧化样品相比，化学浸蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级，其峰值能量为１．９４－２．０４ｅＶ，半峰宽（ＦＷＨＭ）为０．３５－０．４１ｅＶ。还对比讨论了阳     

多机制损伤演化特性的研究

本文研究了多机制损伤演化的干涉现象,指出了连续介质损伤力学的局限性。建议采用复损伤模型研究多机制损伤。并对GH123合金在高温低周疲劳下的损伤响应进行了实验验证,得到了有关损伤演变曲线和演化方程以及材料损伤响应函数随循环频率变化的曲线。同时进行了微观断口分析对比试验,其结果与宏观模型一致。     

重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究

研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关系式，结合霍耳效应测量，得到了喇曼光谱的半峰宽Г同自由载流子浓度ｐ之间的关系曲线为Г＝２．５４ｐ＾０．４０８，其中Г，ｐ分别是以ｃｍ＾－１和１０＾１９ｃｍ＾－３为单位。提供了用喇曼光谱     

氮化硅结合碳化硅材料掺入稀土烧结机理的研究

对氮化硅结合碳化硅材料进行了掺入稀土的系统实验,并对产品进行了力学性能测试和X射线衍射测试,对掺入稀土的氮化硅结合碳化硅材料的烧结热力学,动力学和反应机理等进行了理论研究,简单服掺入稀土的氮化硅结合碳化硅材料性能优于普通氮化硅结合碳化硅材料的原因。     

硅各向异性腐蚀对偏压依赖和重掺杂停蚀机理的新模型

系统研究了硅各向异性腐蚀对偏压的依赖及重掺杂的影响,建立了液一半接触能带模型和界面电荷传递模型,提出了反应注入概念且指出腐蚀速度通常依赖于界面态的填充情况,合理解释了实验得到的蚀速-偏压关系.考虑到非平衡载流子复合后,得到与实验吻合的蚀速比-载流子浓度公式.