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相似文献
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1.
应用球形光学模型,系统地分析了~3He、~6Li、~7Li、~9Be和~10B的快中子散射资料。所用的光学势为包含了面吸收和自旋轨道耦合项的Woods-Saxon型势。取实部(氵弓尔)散参数和面吸收深度为入射能量的线性函数,结果表明实部(氵弓尔)散参数随入射能量增加而缓慢减少。所得结果与实验资料符合得较好。  相似文献   

2.
通过同时符合3He引起的核反应截面和弹性散射角分布实验数据,获得了一套适用于靶核质量数为20≤A≤209,3He入射能量从阈能到250 MeV的普适唯象光学势.对3He普适唯象光学势进行物理分析,计算和分析了3He普适唯象光学势实部和虚部的径向关系.结果表明,这套3He普适唯象光学势在物理上是合理的.  相似文献   

3.
本文对~(10)B的10—14MeV中子弹性散射的一组最新实验数据进行了光学模型分析,由此获得了一套较好的中子光学势参数,并应用它计算了15—20MeV的中子弹性散射截面。在此基础上进一步用Hauser-Feshbach统计理论系统地计算了中子非弹性散射和各带电粒子道的截面,得到了与现有实验资料基本相符的结果。  相似文献   

4.
目的 为了获得中子入射Ce^140核反应各种截面的理论计算值,以与现有的实验结果进行对照,并检验和完善所用的理论方法。方法根据中子入射Ce^140核反应的相关实验数据,用APOM94程序进行光学势自动调参,得到入射中子能量在O.01—20MeV之间的一组合适的中子光学势参数。在此基础上,用DWUCK4程序计算了直接非弹性截面,用SUNF程序计算了各反应道的反应截面。结果分别得到总反应截面、(n,γ)道、(n,α)道、(n,p)道、(n,xn)道,以及形弹、去弹、非弹等的反应截面。结论理论计算与实验值符合得很好,所用的理论模型是成功的,结果已被中国核数据中心(CNDC)收入。  相似文献   

5.
利用现有GSI-FRS实验测量的300、500、750、1000和1500 MeV/u 56Fe+p散裂反应产物的结果,分析了正电子放射核在散裂反应中产额随入射能量的变化关系.对正电子放射核的半衰期按照时间量级分类统计表明,半衰期在分钟以上的正电子放射核的总截面的总截面随系统能量在50~70mb之间,所有产生的正电子放射核的截面随反应系统能量变化较小,保持在103mb附近.对一些正电子放射核的截面分析表明它们随入射能量指数变化.这对于当前质子和重离子治疗中利用正电子放射核进行实时正电子监测成像研究具有意义.  相似文献   

6.
使用量子化学从头计算方法,在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ+bf(3s3pdlflg)水平下,计算了He-Li2碰撞体系的相互作用势,并用Murrell-Sorbie函数拟合得到相互作用势解析式.然后,用密耦近似方法计算了低入射能量从1meV至22meV时,He原子与基态Li2分子碰撞的分波截面及碰撞参数.计算...  相似文献   

7.
电子碰撞Li+离子(e,2e)反应微分截面中的干涉效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用修正BBK理论,计算了能量为145.6eV的入射电子碰撞Li (1s),(e,2e)反应三重微分截面(TDCS),并讨论了交换,关联与干涉效应及入射道库仑场对TDCS的重要影响。  相似文献   

8.
在已获得的中能区反质子与核的中心势的光学势基础上,把光学势扩大到包含自旋轨道耦合势.在反质子能量为179.8,294.8和508MeV各情况下,分别计算和分析与~(12)C靶核的微分截面(dσ)/(dΩ),极化度P(θ)和自旋转动函数Q(θ).在与极化度的实验比较中,得到中能区普遍形式的反质子光学势.  相似文献   

9.
目的 计算和分析0.01~20MeV的能量范围内n 127 129 135 I反应截面。方法 首先应用微观光学势参数自动调节程序得到一组中子光学势参数,在此基础上对能量在0.01~20MeV的中子入射n 127 129 135 I的反应截面进行理论计算和分析,并与实验数据进行对比。计算与分析基于光学模型、核反应多步过程的半经典理论、激子模型、扭曲波恩近似等核反应理论模型。结果 反应道截面的计算结果与JENDL-3库的计算结果曲线形状及实验数据均符合得很好。结论 理论模型是成功的,并能成为核安全设计的理论依据。  相似文献   

10.
程函理论     
高能粒子在原子核势场中散射问题的研究,是从本世纪六十年代才发展起来的。它是传统的核物理研究方法和基本粒子的研究方法之一。近十多年来,由于高能实验手段的迅速发展,不仅提供了能量高达 GeV 量级(E≈GeV)的、具有广泛特性的高能粒子束流,而且,其分辨能力也达 MeV 的量级(ΔE≈MeV)。即有ΔE/E≈10~(-3),现可达10~(-4)。另一方面,由于高度精确的中子束流的出现,可以获得n—p,n—n 散射幅的知识。由于入射粒子的能量高,就容易深入到原子核的深部。入射粒子的种类多,就增加了变革原子核的方式,扩大了核反应的自由度。所以原子核在各种不同类型“炮弹”的轰击下,就呈现出了大量的、内容极其丰富的新的高能物理现象。我们应该指  相似文献   

11.
反质子与原子核的散射   总被引:1,自引:1,他引:1  
分析反质子在入射能量低于200MeV 时与原子核的弹性和非弹性散射现象.多次散射的特点很显著.反质子的光学势要求是强吸收型.极化度 P(θ)的实验要求这个光学势应拓广包含自旋轨道耦合项.扭曲波冲量近似理论在描述非弹性过程获得良好的效果.但若要求包含对反常核态的激发,则扭曲波应来自含自旋轨道耦合势下的结果.  相似文献   

12.
用大液体闪烁探测器和飞行时间法,相对于~(197)Au测量了0.7—1.4MeV能区天然Nb的中子辐射俘获截面.在0.5—2.0MeV能区,对~(93)Nb的辐射俘获截面进行了理论计算.  相似文献   

13.
对 MBE-GaAs/Si 进行离子注入和退火.GaAs 外延层的厚度为0.9-2.0μm.Si离子的注入能量及剂量分别为1.2-2.8MeV,l×10~(14)-7×10~(15).cm~(-2).退火采用红外瞬态退火(850℃,15s)及白光退火(1050℃,8s).背散射沟道分析采用4.2MeV~7Li.实验表明,注入结合退火是改善 GaAs 外延层晶体质量的一种有效方法.注入剂量过大,由于正化学配比遭到破坏,外延生长终止.  相似文献   

14.
用T.T(Tang—Toennies)势模型和密耦计算方法分别计算了入射原予的相对碰撞能量E=0.05eV,0.15eV,0.25eV时He,Ne,Ar,Kr,Xe—D2碰撞体系的00—00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,得到了惰性气体原予与D2分子碰撞分波截面随量子数增加和体系相对碰撞能量增加的变化规律.结果表明:对00—00弹性碰撞,分波截面随量子数,的增加不断振荡,并出现一些尾部效应;而随入射原予的相对碰撞能量的变化,振荡极大值位置、收敛分波数均不断变化.  相似文献   

15.
采用密度泛函理论的B3LYP方法,对锂原子用全电子6-311++g(d,p)基组,铅原子用sddall相对论有效实势基组研究了LinPb(n=7~9)二元团簇较低能量构型的几何结构,并讨论了能量最低的基态构型的化学键和稳定性.研究表明,掺入的铅原子与锂原子之间形成的化学键为共价键,并且成键的价电子对倾向于铅原子.Li8Pb二元团簇基态构型的最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占据分子轨道(LUOMO)之间的能隙比LinPb(n=7,9)二元团簇基态构型的大.此外,基于对LinPb(n=7~9)二元团簇基态构型平均原子化能、垂直电离能和垂直电子亲和能的计算分析,得出Li8Pb二元团簇的基态构型最稳定.  相似文献   

16.
笔者采用统一的拟合的MS势计算了在E=40~80meV下He-HCl体系的总微分截面和弹性微皮截面、总分波截面和弹性分波截面。研究结果表明:在低能碰撞过程中,不管是微分散射截面还是分波散射截面,弹性散射的几率大,对总的散射截面贡献最大。入射能量一定时,微分散射截面的小角散射几率大于大角散射几率;入射的能量越高,量子效应就越不显著,尾部效应也越不显著。  相似文献   

17.
用相对论Brueckner-Hartree-Fock(RBHF)方法从微观现实的二体相互作用热出发求解相对论Brueckner-Bethe-Goldstone(RBBG)方程导出相对论微观光学势。用这种相对论微观学位研究了入射能量范围从160到800MeV质子与^16O,^40Ca,^90Zr,^208Pb散射的微分截面和自旋观测量并与相对论唯象学光学势计算进行了比较。并对RBHF方法,Walecka模型分截面和自旋观测量与相对论唯象光学势计算进行了比较。并对RBHF方法,Walecka模型和相对论唯象光学位模型作了比较,同时分析了各种方法的优点及局限性。相对文化核多体方法对有限核结构及天体物理研究也有着广泛的应用前景。  相似文献   

18.
以~(197)Au为标准,用飞行时间方法,测量了10—100keV能区,~3Nb、~(169)Tm、~1Ta、Ag、Hf和W的中子俘获截面.通过~7Li(p,n)~7Be反应产生运动学准直中子,用两个Moxon—Rae探测器探测俘获事件,其结果与有关文献值作了比较.  相似文献   

19.
基于全相对论扭曲波方法,系统研究了入射电子为1~15倍阈值能量范围,电子碰撞激发Fe25+离子1s2S1/2—2p 2P3/2,Fe24+离子1s2 1S0—1s2p 3P1,1P1和Fe23+离子1s22s2S1/2—1s2s2p(3P)4P3/2,1s2s2p(3P)2P3/2,1s2s2p(1P)2P3/2激发态精细结构能级及磁子能级的截面以及退激发辐射Kα线的极化度,并讨论了Breit相互作用的影响,以及总截面、磁子截面和X光的极化度随入射电子能量的变化规律.同时,计算结果与以往的理论及实验结果进行了比较,发现理论计算结果与实验结果具有较好的一致性.  相似文献   

20.
电子与硼、碳和氮原子碰撞角分布的理论计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
用模型势方法研究和计算了电子被B、C、N原子散射的微分截面 (角分布 ) ,入射电子能量从 0 .1~ 1.0eV ,计算的角分布从 0°~ 180°.从理论研究和计算中看到 ,随入射电子能量的增加 ,电子被B、C、N原子散射的微分截面有规律性变化 .  相似文献   

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