高Tc超导体YBa_2Cu_3O_x和YBaCu_2O_x的荧光光谱研究(英文)

本文分别在室温和液氨温度下,测定了高Tc超导体YBa_2 Cu_3 O_x和YBaCu_2O_x的UV激发荧光光谱。所观察到的位于390hm左右的宽发射峰与X-光激发荧光光谱的结果相吻合。激发光谱出现了246nm、275nm和308nm三个峰,它们的相对吸收强度和温度的变化有关,初步认为这一现象可能与超导性质存在者一定的关系。     

YBa_2Cu_3O_x体材料在液氮温区的临界电流密度J_c

以定向反应合成的 YBa_2Cu_3O_x 为原料,用加大成型压力——高温熔化——三段热处理工艺,可将 YBa_2Cu_3O_x 体材料的 J_c 提高到 713 A/cm~2(78 K);讨论了晶粒间界的空隙,微区化学组成不均匀性,高温熔化及凝固过程对 J_c的影响。结果表明,采用较大压力成型,高温熔化工艺,提高碳酸盐分解率,有助于提高临界电流密度J_c。     

高T_c超导体Y_1Ba_2Cu_3O_(7—■)中~(63)Cu核的核磁共振研究

给出了高场(7.05 T)下高T_c超导体Y_1Ba_2Cu_8O_(7-δ)(δ=0.1)的核磁共振(NMR)研究结果。在室温下,测量了自制的Y_1,Ba_2Cu_8O_(7-δ)超导体中~(68)Cu的NMR谱及~(68)Cu的四极共振频率,计算了~(68)Cu核的四极耦合常数C和不对称性系数η,观察到~(68)Cu(I)的NMR谱的分裂。     

影响BiSr_1Ca_1Cu_2O_x及Y_1Ba_2Cu_sO_(7-x)超导相形成的几个重要因素

目前,已有大量不同的所谓高温超导体,其可分为两类。第一类是以La_(2-x)Sr_xCuO_(4-x)为代表,T_c=30～40K,晶体是K_2NiF_4结构;第二类是以YBa_2Cu_3O_(7-x)为代表,T_c=90K左右,晶体是缺氧钙钛矿结构,即所谓“123”结构。新高温超导体都是混合含氧化物,显示出陶瓷的机械和物理性能。新材料性能的关键在于化学键合在一起的铜(Cu)和氧(O)原子构成的原子平面,铜-氧化学键合的特殊性质使得材料在某些方向能很好地传导电流,这与大多数陶瓷为绝缘体形成对照。目前,人们在BiSrCaCuO系中以微量Pb取代部分Sr已可获得160K的高临界温度。作者利用化学纯原料成功地研制出零电阻温度达125K的Bi_1Ca_1Cu_2O_x系超导体和T_c在90K以上的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)高温超导陶瓷。在研制过程中发现Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)超导相的形成过程中,氧环境及退火降温速度对其形成起十分重要的作用,而原料中的微量杂质对其形成不起关键作用;BiSrCaCuO系对微量杂质不敏感,而对退火温度要求甚高。     

YBa_2Cu_3O_x超导体的临界电流与显微结构

用X光结构分析,电子显微镜(SEM)和高分辨率透射电镜(TEM)观察及电、磁测量等手段,系统地研究了烧结YBa_2Cu_3O_x超导体的制备工艺、显微结构与临界电流密度之间的关系,通过讨论分析,提出了主要影响临界电流密度J_c的3种界面缺陷     

两种Y_1Ba_2Cu_3O_(9-x)超导材料的相分析

实验 样品为不同配方,不同烧结工艺烧结的圆片状(φ13mm)多晶体试样,序号为nη3和nμ4。低温磁性实验及电阻的测量结果表明,nμ3有较好的超导性。 两种样品在同一条件下进行实验,使用转靶X射线衍射仪,Co靶,V=50kV,I=180mA。连续扫描后,选择四个主要衍射峰做阶梯扫描。广角连续扫描自2θ=10°到2θ=145°。     

高临界电流密度外延T12Ba2CaCu2O8超导薄膜

本文用直流磁控离子溅射及后热处理工艺在（００１）ＬａＡ１０３单晶衬底上制备的Ｔ１２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８高温超导薄膜，经Ｘ－光衍射θ－２θ和Φ扫描测试证明，薄膜是外延生长的。薄膜的超导转变温度高达１０８．６Ｋ。在液氮温度下，零磁场时的临界电流密度达７．６×１０６Ａ／ｍ２。薄膜具有很强的磁通钉扎能力。当垂直于膜面外加一个４特斯拉的磁场时，临界电流密度仍可保持１．１×１０６Ａ／ｃｍ２。     

高临界电流密度Y-Ba-Cu-O系超导体的研究

研究了长时间流氧烧结、高温微熔-回火处理、高温淬火-回火处理等对Y Ba Cu O系超导体临界电流密度JC的影响,找到了Y Ba Cu O系超导体提高临界电流密度JC的加工工艺,且发现JC与磁通钉札有关———磁通钉札越强,临界电流密度JC越大.     

Y_1Ba_2Cu_3O_(7-8)超导体的交流磁化率及其频谱

1986年,J.G.Bednorz 和 K.A.Müller 发现 La-Ba-Cu-O 陶瓷超导体,迅速掀起了世界范围的“超导热”,接着发现的 Y-Ba-Cu-O 超导体临界温度高达90K,实现了临界温度的大幅度提高。仅几个月的时间,几乎测量了 Y-Ba-Cu-O 超导体的各种参数,如临界温度、临界电流密度、临界磁场强度、比热、能隙、约瑟夫逊效应、氧缺位、铜价态、相图以及微观结构等,为理论研究和实际应用奠定基础。     

Y1—xNdxBa2Cu3O7—δ微结构及临界电流密度

研究Ｎｄ替代Ｙ后对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（Ｙ１２３）超导织构体的临界电流密度及微结构的影响,采用溶胶－凝胶工艺制备名义组份为Ｙ１－ｘＮｄｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的先驱物,用熔融织构生长（ＭＴＧ）工艺生长织构样品．结果表明,组份的熔点［θｍ（ｘ）］随着ｘ的增加而提高,并随着Δθ＝θｍａｘ－θｍ（ｘ）（θｍａｘ是ＭＴＧ工艺过程的最高保持温度）的提高,织构体中ＣｕＯ的含量增加,晶界之间及织构畴之间的弱连接的性质更加明显．由于晶粒内部及织构畴的磁通钉扎力得到一定程度的提高,临界电流密度ＪＣ随ｘ的变化有１个最大值．     

La_（3－x）／2Ba_（（3－x）／2）Ca_xCu_3O_y超导体正电子寿

用ｘｔ子寿命谱方法研究Ｃａ局域替换Ｌａ（３－ｘ）／２Ｂａ（３－ｘ）／２ＣａｘＣｕ３Ｏｙ中的Ｌａ和Ｂａ引起的电子结构变化；并结合氧含量和转变温度的测量，分析了电子密度增加的原因．实验表明，随着Ｃａ含量的增加，体系正常态的正电子寿命明显减小，这表明正电子探测的电子密度增加．     

Y_1Ba_2Cu_3O_(7—δ)的结构变化特征与超导电性的关系

利用动态高温X射线衍射和高温TG-DTA实验相结合,可得到不同温度时氧缺位量δ所对应的结构形态。但该法不能同时给出不同结构的超导性能的情况。本文通过对空气中缓慢退火过程中的样品,在不同温度下,于不同淬火介质(水、液氮和空气)中的淬火,分析测     

Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超导陶瓷的烧结反应与临界电流密度

用高温X射线衍射、SEM-EDX分析、差热分析和目测法确定了Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超导陶瓷烧结过程中的中间产物的熔融反应,并考察了这种反应对超导陶瓷显微组织和临界电流密度(J_c)的影响。上述综合研究表明,中间产物[30A相与(Sr_(1-x)Ca_x)_2PbO_4相]的熔融反应产生(Sr_(1-x)Ca_x)_2CuO_3相粗粒,形成成分偏析的显微组织,这是高温反应烧结导致低J_c超导陶瓷的原因。     

溶液法制备的高k Y_2O_3薄膜电学性质分析

<正>近年来,原来占据主流地位的介电材料SiO2已经被高介电常数(高k)材料(HfO2,ZrO2,Y2O3,Al2O3,etc)代替。高k材料能在减小漏电流密度的同时增大电容密度使AOS TFTs具有较低的阈值电压,较小的亚阈值摆幅和较高载流子迁移率[1]。迄今为止,在应用于AOS TFTs器件的介电材料中,Y2O3是最好的选择,因其具有良好的热稳定性和化学稳定性,较低的漏电流,较高的反射系数(~2),较宽的禁带宽度     

草酸盐一次共沉淀法制备YBa2Cu3O7—x超导体

用改进的双流加料共沉淀法和恰当的草酸盐沉淀剂组成,克服了草酸盐一次共沉淀不完全的缺点;依据共沉淀的钇钡铜草酸盐样品在净化氧气氛中的 DTA/TG 曲线特征,拟定共沉淀样品的合理灼烧程序,以防止混合草酸盐样品内部氧化还原的急剧反应,致使部分 Cu~(2+)被还原为 Cu~0,并释放出大量气体。按此法制得的高温超导体样品,经XRD,SEM,TEM,F_C,J_C 测定,说明样品属 YBa_2Cu_3O_(7-x)斜方晶系;而且该样品未经研磨、压片和重新烧结,T_C 即已达到 91K,说明本方法具有一定的实用意义。     

在共掺杂的Y_2O_2S:RE~(3 )中能量传递的一种方式

本文用杂质离子非直接相互作用模型研究了共掺杂的Y_2O_2S:E(?)中的能量传递.计算结果和实验一致.     

YBa2Cu3Ox超导体中Cl取代O的研究

分别以ＢａＣｌ２和ＣｕＣｌ２为配方试剂之一，制备得到掺Ｃｌ的超导体ＹＢａ２Ｃｕ３ＯｘＣｌｙ（ｙ＝０．２，０．４）。通过对比观测发现，掺Ｃｌ的ＹＢＣＯ超导体样品其Ｔｃ下降，超导转变温区变宽，晶胞参数发生变化，Ｃｌ进入１２３相晶格，文中还讨论了掺Ｃｌ对超导电性的影响。     

高Tc超导体Y—Ba—Cu—O超导临界涨落的正电子湮没研究

利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变温度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。