BaFX:Eu(X:Cl,Br)中电子陷阱的研究

X线影像板需要近红外光激励．掺入Ca2＋,S2＋,Mg2＋后,用650～700um光激励BaFX：Eu2＋,可以更为灵敏．用正电子湮没寿命谱,电子顺磁共振谱,加热发光谱和光激励发光谱,研究了X射线辐照后BaFx：Eu（X：CI,Br）电子陷阱的性质、状态、密度和转换．     

BaFX：Eu^2＋（X=Cl,Br）的X光影像存储机理研究

报道了一种新的ＢａＦＸ：Ｅｕ＾２＋（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）的Ｘ光影像存储机理。在Ｘ光辐照后，Ｅｕ＾２＋并不变价为Ｅｕ＾３＋，因而不是空穴陷阱。Ｏ＾－Ｆ是一种重要的空穴陷阱。存在电子隧穿过程。     

BaFX : Eu~(2 )(X=Cl,Br) 的 X 光影像存储机理研究

报道了一种新的ＢａＦＸ：Ｅｕ２＋（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）的Ｘ光影像存储机理．在Ｘ光辐照后，Ｅｕ２＋并不变价为Ｅｕ３＋，因而不是空穴陷阱．Ｏ－Ｆ是一种重要的空穴陷阱．存在电子隧穿过程．     

NaCl:Eu2+的电子俘获机制研究

采用固相反应法制备了NaCl:Eu2+粉末样品.测量了发光和光激励发光特性.这种材料可记录用紫外光写入的信息,用绿光读出,读出信号为蓝光.本文初步探讨了这种材料的电子俘获的机制.     

高电场下聚酯薄膜中陷阱捕获电子的特性研究

本文用表面电位测试技术研究了固体介质在强电场作用下陷阱捕获电荷的动力学特性.作者在考虑了碰撞电离退陷阱化后,获得的一级捕获动力学方程,定性地解释了电荷的捕获随施加电场的时间而变化的关系和捕获电荷稳态值随电场的增强而下降的现象。利用这个动态平衡模方程,经实验分析表明:这种捕获电荷稳态值随电场的增强而下降的现象是由于自由电子与陷阱化电子碰撞电离退陷阱化的结果,而不是陷阱化电子隧道效应或Poole-Frenkel效应的结果。当电场增强使碰撞电离退陷阱化达到一定程度时,介质便发生击穿。     

C32衍生物C32X2(X=H,F,Cl,Br)的理论研究

在混合密度泛函B3LYP理论下,用6-31G*基函数对富勒烯C32及其衍生物C32X2(X=H,F,Cl,Br)的几何结构、电子结构和振动频率进行了研究.研究结果表明,C32X2(X=H,F,Cl,Br)均存在着比C32本体更好的离域共轭键,预计它们的稳定性比C32要大,C32X2(X=H,F,Cl,Br)均是势能面上的稳定驻点.振动频率计算表明C32卤化衍生物的稳定性随着卤素原子序数的增大而降低,C—F键稳定化能最大.C32H2和C32F2在所研究的簇分子中是较为稳定的,它们应该能够合成出来.     

Cs_2NaYX_6（X＝Cl，Br）中Cr~（3＋）的d－d电子光谱和EPRg因子的研究

用双自旋－轨道耦合模型研究了Ｃｓ＿２ＮａＹＸ＿６（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）：Ｃｒ￣３＋的ＥＰＲｇ因子。计算表明，配体Ｂｒ４ｐ轨道对络离子（ＣｒＢｒ＿６）￣３－ＰＲｇ因子的贡献不应忽略。解释了Ｃｓ＿２ＮａＹＢｒ＿６：Ｃｒ￣３＋的ｇ因子移动为正值的疑惑。     

X光电子能谱(XPS)对CdSe/Ti光电极表面组成及结构的研究

本文利用558型X光电子能谱(XPS)对CdSe/Ti光电极进行了研究,详细考察了在不同条件下制备的电极表面组成及结构特征,并采用Ar~+溅射剥蚀的方法,对表面氧化膜作了深度分析,结果表明:在500℃空气中烧结制成的电极,以固熔体存在的CdSe表面层有部分镉和硒被氧化,生成CdO和SeO_2,氧化层厚度约有90A。金属钛被氧化为TiO_2,约在24A深的内表层,TiO_2和Ti共存,其厚度不少于1600A 氮气中500℃烧制成的电极,镉和硒基本上不被氧化,仍以固熔体形式存在。在少量氧存在下,钛被氧化为TiO_2的厚度约有15A,据此讨论了电极制备条件对光电效应的影响,提出了一些看法。     

XNCO(X=Cl,Br)异构化反应的量子化学研究

采用B3LYP及外壳方法计算了ClNCO,BrNCO,INCO的电离能,与实验值吻合很好,并用该方法预测了FNCO的电离能,重点讨论了XNCO→XOCN(X=Cl,Br)异构化过程,优化得到了四元环过渡态的构型.     

AgX（X=F,Cl,Br）与HC≡CH间非共价相互作用的理论研究

用密度泛函方法（DFT）,在B3LYP/6-311＋ ＋g（d,p）的理论水平上计算研究了AgX与HC≡CH中碳碳三键间的非共价相互作用.计算结果显示：复合物中Ag -X的键长缩短,伸缩振动频率变大,会发生蓝移；AgX与HC≡CH间非共价相互作用能按照F,Cl,Br的顺序依次减小,即,AgF…HC≡CH＞ AgCl… HC≡CH＞ AgBr…HC≡ CH.由AIM理论分析可知,Ag与碳碳三键之间有一个临界点,而且▽2p（r） ＞0,表明AgX与乙炔（HC≡CH）中的碳碳三键间存在偏离子性的银键.进一步的NBO理论分析表明,AgX与HC≡CH之间的电荷转移对这种π型银键的形成起重要作用.     

X光电子能谱法研究色素炭黑的表面化学性质

色素炭黑是炭黑工业中的高性能、高附加值品种，深入认识色素炭黑的表面物理化学性质对于开发利用新品种色素炭黑很重要．通过X光电子能谱法测试表征了用不同方法生产的多种典型色素炭黑的表面元素组成与化学性质，阐明了导致接触法炭黑和炉法炭黑表面性质上差异的主要原因，以及炉法炭黑在臭氧化处理过程中表面化学结构发生的主要变化．研究结果指出，接触法炭黑与氧化炉法炭黑的表面在碳一氧键合结构形式及含量上有很大的差异；炉法炭黑的pH值高于接触法炭黑的主要原因是炉法炭黑表面碳一氧双键结构含量较低；炉法炭黑表面臭氧化过程中主要生成的是表面碳一氧单键结构，进一步氧化为双键的程度很低．此外，实验分析了接触法炭黑表面氮元素的组成，结果表明主要是以氨基和硝基的形式存在．     

光声光谱法研究（Zn,Cd）（S,Se）发光材料的带隙

报道了采用自行设计组装的光声光谱(PAS)测量系统,直接测定无辐射过程,研究Ⅱ-Ⅵ族化合物粉末发光材料特性。测量了[CdS]_(1-x)[CdSe]_x和[ZnS]_(1-x)[CdS]_x 粉末固溶体带隙与材料制备组份重量百分比x的关系,结果表明,上述关系均呈非线性。     

二聚体HX-ClF(X=F,Cl,Br)的结构及其双卤键X...Cl性质的理论研究

使用从头计算方法,以二聚体HX-ClF(X=F,Cl,Br)作为卤键的摸型进行了研究.几何优化计算使用了高精度的CP(counterpoise)修正的分子间势能面(PES)方法,在MP2/6-311++G(3df,3pd)水平,得到了二聚体HX-ClF,(X=F,Cl,Br)的三个稳定结构.在三个二聚体HF-ClF,HCl-ClF和HBr-ClF的结构中存在着两种分子间相互作用--双卤键X...Cl和氢键H...Cl.二聚体HX-ClF的X...Cl键长顺序是2.758A(HF-ClF)＜3.145A(HCl-ClF)＜3.212A(HBr-ClF),它们的H...Cl键长分别是3.301A(HF-ClF)、 3.471 A(HCl-ClF)和3.554A(HBr-ClF).用高水平的CCSD(T)/6-311++G(3df,3pd)计算的相互作用能分别是-2.15 kcal/mol(HF-ClF)、-1.54 kcal/mol(HCl-ClF)和-1.64 kcal/mol(HBr-ClF).计算结果表明,相互作用能的电子相关效应是重要的.由于相互作用能的电子相关效应随着电子给予体原子F、Cl、Br的顺序增大,从而,二聚体HBr-ClF的X...Cl相互作用能也相应地被增大.     

XCOOH(X=F,Cl,Br)热分解反应的理论研究

用密度泛函理论(DFT)B3LYP方法,在6 311 G 基组水平上,计算了反应XCOOH(X=F,Cl,Br)HX CO2.优化了反应物 中间体 过渡态和产物的几何构型,并用频率分析和内禀坐标法(IRC)验证了各鞍点构型和反应路径,计算了不同温度(200 15～450 15K)下慢反应经零点能校正的活化热力学量、反应过程热力学改变量、正逆反应的速率常数和频率因子以及平衡常数,得到了各反应的动力学信息.     

B2X4（X=F,Cl,Br,I）分子结构稳定性的密度泛函理论研究

用ＬＤＳＡ密度泛函理论系统研究了Ｂ２Ｘ４（Ｘ＝Ｆ,Ｃｌ,Ｂｒ,Ｉ）的分子结构及其稳定性,结果表明Ｂ２Ｅ４的Ｄ２ｈ对称性的构型较Ｄ２ｄ构型略为稳定,而Ｂ２Ｘ４则是Ｄ２ｄ对称性的构型较为稳定,从理论上２解释并预测了实验结果。     

（NPX2）3（X=F,Cl,Br,I）的几何构型和振动频率的MNDO研究

运用ＭＮＤＯ方法对标题化合物的几何构型和振动频率进行了理论计算，计算出来的结构参数与晶体Ｘ－射线实验数据一致；计算出来的捱劝频率与红外和拉曼光谱基本一致，最后，计算得出目前在实验上尚未报道的（ＮＰＩ２）３的上述两个方面的理论数据。