硅片清洗技术及发展

在半导体硅片加工工序中,清洗是极其重要的一步,硅片的洁净与否,将直接决定后续产品性能。通过论述目前硅片化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响,针对硅片清洗工艺中存在的问题,提出了改进方向并展望了发展前景。     

预氧化处理对20CrMo齿轮渗碳工艺的影响

热处理前零件表面的清洁程度对渗碳零件的渗碳层质量影响很大,传统的清洗工艺难以有效清除表面附着的油脂和清洗剂;采用热前预氧化处理,对彻底清除零件表面残留附着物十分有效。优化的预氧化工艺不仅可以有效去除零件表面的残留物,还可以提高零件渗碳层的均匀性,从而极大的提高零件的渗碳质量。     

硫酸在硅抛光片清洗中的作用研究。

集成电路用硅片必须经严格清洗，微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除硅抛光片表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅抛光片表面。采用改进的RCA清洗工艺，通过调整预清洗工序流程，对免清洗硅抛光片进行清洗，主要解决免清洗片表面“腐蚀圈”问题，对其进行了分析。     

环保型真空清洗技术在热处理中的应用

清洗是零件热处理前和热处理后必不可少的一道辅助工序,航空领域对零件的热处理质量要求更为严格,热处理清洗的效果好坏会直接影响到零件的使用性能、质量、寿命以及一致性与可靠性等。针对传统清洗工艺清洗效果差、污染环境和危害人身安全等问题,环保型有机溶剂真空清洗技术采用洗净能力强且可循环再生的碳氢溶剂/改性醇作为清洗剂,结合真空清洗和超声清洗,可提高零件表面质量,提升清洗效率,减少污染物排放,实现绿色高效清洗。     

PAN纤维中Fe的高温演变研究

为了考察Fe对PAN基碳纤维的影响,在凝固成型阶段将Fe引入聚丙烯腈(PAN)初生纤维中,通过后续过程制备含Fe的原丝,经过预氧化、碳化处理后,收取不同阶段的纤维。借助电感耦合等离子体-原子发射光谱(ICP-AES)、电子探针(EPMA)、力学性能测试、热重分析等手段,表征不同热处理阶段PAN纤维中Fe的含量、微区分布的变化及对碳纤维性能的影响。结果表明,含Fe的PAN原丝经预氧化、低温碳化过程,PAN纤维中Fe的质量未发生改变,当热处理温度达到1450℃后Fe开始损失,经1550℃高温处理后Fe的质量大幅度降低;热处理温度高于1350℃后,Fe在PAN纤维的径向逐渐呈现外缘多、内部少的特点,Fe有向纤维外部迁移的趋势;Fe的存在及高温迁移,降低了碳纤维的拉伸强度,影响了碳纤维的热稳定性能。     

8090Al—Li合金热处理工艺的研究

研究了８０９０Ａｌ－Ｌｉ合金经不同热处理工艺后，对其显微组织与力学性能的影响，测试了６种热处理状态合金的拉伸性能及其光镜，电镜组织，分析了分级时效与时效前预变形等的影响，对不同工艺参数，组织与性能的相关关系进行了分析讨论。     

氧氮磷杂质对硅片高温形变的影响

通过模拟集成电路高温工艺的１２００℃,１．５ｈ后急冷热处理,研究了硅中氧、氮、磷３种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响．实验结果表明,普通氩气氛下直拉单晶硅（ＡＣＺＳｉ）高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅（ＦＺＳｉ）的１／３左右．在含氮气氛下直拉硅（ＮＣＺＳｉ）中,氮含量为４．５×１０１５ｃｍ－３的单晶尾部高温热处理弯曲度约是氮含量很小的单晶头部的１／３,重掺磷硅片热处理形变比普通硅片大得多．     

太阳能级硅片化学清洗技术进展

介绍了硅片表面污染物的种类、来源及形成机理,论述了太阳能级硅片传统的RCA清洗技术中各种清洗液的清洗原理和优缺点,同时对改进的RCA清洗、HF/O3和电化学清洗等新型湿化学清洗技术进行了阐述,指出了太阳能级硅片化学清洗技术的发展方向。     

齿轮渗碳淬火变形及其改进措施

针对当前齿轮热处理变形对齿轮精度的影响：寻找出渗碳淬火齿轮热处理变形的某些规律，采取相应的改进措施；并且对齿向，齿形的变形可采取热前预修正方法，使热处理后变形减少对精度的影响；同时根据试验数据，改进热处理渗碳淬火工艺，减少齿轮的变形。     

固相反应形成硅化钛薄膜性质的研究

在超大规模集成技术中,有关自对准硅化钛MOS器件工艺的研究正在日益深入.这一工艺通过对淀积的难熔金属膜进行适当的热处理,形成自对准的MOS器件的栅互连电极与源漏区接触.在Ti/Si系统热处理过程中,氧玷污是一个影响硅化钛形成及其性质的重要因素.本工作提出了用表面覆盖层抑制氧玷污而使形成优良硅化钛薄膜的方法,同时也试验了用快速退火技术形成硅化钛薄膜的工艺. 实验中采用的衬底材料为:P-(111)、P-(100)单晶硅和氧化层上淀积的n~+掺杂多     

基于UV光照射在硅片表面活化的阳极键合工艺研究

为了减少阳极键合试验时Si片和Pyrex玻璃片的键合困难,提高硅片表面活性和键合质量,在阳极键合的表面预处理工艺中引进UV光对硅片的活化并对其工艺参数和效果进行评估。基于阳极键合实验的基本流程,采用对比实验,探究UV光对硅片的照射与否,以及对硅片照射的时间长短对硅片表面的影响,并利用大恒图像系列数字摄像机、单轴拉伸测试仪分别对UV光照射前后硅片的活化效果和键合强度进行了测试与表征。结果表明经过该UV光源适当4 min时间照射的硅片,其表面的亲水键合活化能得到很大提高,可以显著地改善键合片的表面状况。验证了该工艺在阳极键合的预处理方法上的可行性和有效性。     

潮喷机衬板用高铬铸铁的研究

本文对高铬铸铁成分,铸造和热处理工艺及机械性能进行了研究。结果表明15—2—1高铬铸铁是潮喷机衬板的理想材料。     

半导体芯片紫外荧光无损检测

Fe、Na、Ni等金属杂质对半导体器件芯片有严重的负面影响，往往导致器件失效，成品率下降，必须进行有效控制处理．采用紫外荧光(UVF)法可有效检测出硅晶片及半导体器件芯片(如GaP、GaAs等)的金属杂质沾污情况，还能检测金属杂质的相对沾污量，对半导体器件芯片的生产可实现实时非破坏性的检测分析．     

国产硅片锥形缺陷的改善方法

针对某国产硅片在验证过程中的锥形缺陷,通过优化拉晶和制作工艺中的等待时间管控,减少硅片的缺陷,提升硅片的质量.     

Self-cleaning property of AZ31 Mg alloy during plasma electrolytic oxidation process

The rolling of metal sheet often leads to strong contamination of the resulting surface. The present work reports the effects of the surface contamination remaining after rolling of AZ31 Mg alloy on plasma electrolytic oxidation(PEO) treatment of the resulting sheet material. Results indicate that most of the contaminants on the surface of as-rolled AZ31 Mg alloy are removed in the early stages of PEO process. The contaminations slightly influence the phase composition of PEO coating. Non-uniform distribution of contaminations results in aggregation of pores on the surface of PEO samples. On the bare substrate the contaminations are responsible for poor wear and corrosion resistance but final PEO coatings reveals similar performance on contaminated substrate compared to the abraded one. A self-cleaning property of the PEO and possibility of one step process,avoiding pre-cleaning stages, is suggested.     

国产磨料的杂质及研磨对硅片的污染分析

本文研究了国产磨料的成分、杂质和磨料、磨具对硅片的污染,分析了铁对硅器件的危害,提出了减少污染的方法.     

Finite Element Analysis for Grinding and Lapping of Wire-sawn Silicon Wafers

Silicon wafers are the most widely used substrates for semiconductors. The falling price of silicon wafers has created tremendous pressure on silicon wafer manufacturers to develop cost-effective manufacturing processes. A critical issue in wafer production is the waviness induced by wire sawing. If this waviness is not removed, it will affect wafer flatness and semiconductor performance. In practice, both lapping and grinding have been used to flatten wire-sawn wafers. Although grinding is not as effective...     

类单晶硅太阳电池制绒工艺及光致衰减现象研究

类单晶硅作为一种较新的太阳电池用硅材料,进一步了解类单晶硅太阳电池的工艺及性能显得非常必要,文中通过酸碱两步制绒法对类单晶硅的制绒工艺进行了探讨,然后对常规工艺制备的类单晶硅太阳电池进行了光致衰减实验,经过与单晶硅及多晶硅太阳电池的对比发现,类单晶硅太阳电池表现出了相对优越的稳定性。实验表明类单晶硅太阳电池具有一定的优势,其发展前景广阔。     

硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究

研究分析了热氧化钝化,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性,通过WT-2000少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片,多晶硅片以及物理提纯硅片在暗条件不同储存时间的少子寿命进行测量,分析得到三种表面钝化工艺的效果以及稳定性。研究结果表明:碘酒钝化效果好,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化和热氧化钝化稳定性好。     

用光反射测试方法检测的硅抛光片和外延片表面的图谱

利用检测半导体硅抛光片及硅外延片表面缺陷的光反射法（魔镜法）［1］,观测到了二十余种硅抛光片及硅外延片表面缺陷的图样．本文报道了部份图样．