SnO_2(F)、Fe_2O_3和ZnSe(Fe)薄膜厚度的测量

用RBS技术、椭偏法和微量天平称重法测量了掺氟SnO_2(FTO)透明导电膜、掺铁ZnSe磁性半导体膜和Fe_2O_3气敏元件膜的薄膜厚度.实验结果表明,RBS技术的测量数值与椭偏法以及微量天平称重法测得的结果符合得较好。     

Ⅲ.小面积绒面SnO_2透明导电膜研制成功

二氧化锡(SnO_2)薄膜是具有宽光学带隙的 N 型半导体薄膜,在可见光范围内具有很高的透过率,是非晶硅太阳电池理想的透明导电抗反射膜。我校物理系半导体研究室采用常压 CVD 技术,研制成功的这种小面积掺氟绒面 SnO_2透明导电膜,主要技术参数为:电阻率7×10~(-4)Ω·cm,总透过率硅≥90%。南开大学用这种 SnO_2膜研制出了面积为12.6nm~2、转换效率为7.2%的非晶硅太阳能电池。此结果与使用日本的某些     

透明电热玻璃技术介绍

透明电热玻璃技术,是在玻璃上淀积一层既透明又导电的半导体薄膜,再以特殊的工艺在薄膜上制备出金属电极,从而使玻璃具有电热功能的高新技术。早在60年代,国际上就有科学家提出利用这种透明的半导体薄膜制造汽车、飞机等交通工具的防霜挡风玻璃的设想。但是由于电极的制备技术没有得到满意的解决,所以至今没有获得应用。1985年,我校李谟介副教授突破了这一技术难关,首先研制成功了可供使用的电热玻璃板,随后又在生活和医学、化学、生物、物理等科学领域里开发出了若干系列的透明玻璃电热器。在国际上开拓了透明导电膜电热玻璃技术的新领域。     

射频反应性溅射Cd—Sn合金靶沉积透明导电Cd_2SnO_4薄膜

近年来,透明导电 Cd_2SnO_4薄膜以其在可见光区域好的透明性(平均透光率达90%)和高的导电性(电阻率约为10~(-6)Ω·m)而受到广泛重视。尤其是它在用于光电子和太阳能转换装置中的透明电极等方面具有诱人的应用前景。采用射频溅射热压多晶Cd_2SnO_4靶和直流反性应溅射 Cd—Sn 合金靶等方法沉积 Cd_2SnO_4膜及其物理性质的研     

SnO_2薄膜的MOCVD技术及其光电性质

引言SnO_2是一种宽半导体带隙材料(Eg～3.5eV),对Ⅲ,Ⅴ族元素掺杂有效。在可见光波段的透明度高(折射系数 n～1.9),在室温下对酸和碱的抗腐蚀能力强,可用于制做光电极、电阻器、透明加热元件、透明抗反射镀层以及多种器件的环境保护。采用 MOCVD 技术生长 SnO_2薄膜,是七十年代初开始的。最早是 Aoki 和 Sasahur-a 及 Muto 和 Furuuchi,用二甲基氯化锡为物质源(MO)进行化学气相沉积(CVD)制备 SnO_2 薄膜。后来人们采用了四甲基锡 Sn(CH_3)_4为制备薄膜的物质     

发光的鞋底

瑞士红十字会和有关救护组织,出售一种发光的鞋底薄膜。这是一种规格为二点五厘米乘四点五厘米的自粘塑料薄膜,贴在鞋大底与鞋面之间的部位。这块薄膜上有一层金属膜,金属膜上面大约有十五万个微细的玻璃颗粒。步行者穿上粘有这种薄膜的鞋,     

SnO2：F透明导电薄膜及其物理特性

本文中报道优质SnO_2:F透明导电薄膜的制备方法,通过对薄膜透射率和电导(方块电阻)的测量分析,研究薄膜特性与工艺条件的关系,探讨最佳工艺条件和薄膜形成规律。提出一种SnO_2:F 晶体缺陷结构模型,可以较好解释电导随 F掺杂浓度的变化结果。     

透明导电薄膜（Ⅰ）：掺杂透明导电氧化物薄膜

透明导电氧化物薄膜具有良好的光电性能。作为前电极,此类半导体材料薄膜广泛应用于半导体器件。本文以典型的掺杂TCO薄膜为切入点,综述了透明导电氧化物薄膜的发展历史及应用,重点阐述了几种典型掺杂TCO薄膜的结构特征、光电特性、制备方法及应用展望。     

透明导电薄膜(I):掺杂透明导电氧化物薄膜

透明导电氧化物薄膜具有良好的光电性能.作为前电极,此类半导体材料薄膜广泛应用于半导体器件.本文以典型的掺杂TCO薄膜为切入点,综述了透明导电氧化物薄膜的发展历史及应用,重点阐述了几种典型掺杂TCO薄膜的结构特征、光电特性、制备方法及应用展望.     

负压雾化制备透明电导膜

一、引言SnO_2和ITO(Indium—Tin—Oxide)透明导电膜由于具有制造工艺简单、成本低、导电性能好、对可见和近红外光高度透明、对红外光强反射、以及抗蚀性、与其他物体间的良好的粘附性、能与其他半导体形成异质结等一系列的优点,已被用来制造光电器件的透明电极和热镜等.近年来,由于太阳能电池的研究工作广泛开展,透明导电膜的研究更受重视.     

金属栅格和透明导电膜混合结构的设计及电磁屏蔽效能分析

为了实现可视化的电磁屏蔽,提出了一种金属栅格和透明导电薄膜混合的平面屏蔽结构.该屏蔽结构由金属栅格、透明导电膜和玻璃组成.金属栅格屏蔽层栅格边长为4 mm,具有良好的可视性.在金属栅格与玻璃之间引入一层透明导电薄膜结构,使透过的电磁波能够在导电膜与金属栅格之间进行多次反射和吸收,从而提高了其电磁屏蔽效能.该结构可应用于...     

镀膜玻璃的应用与生产

镀膜玻璃在我国才刚刚起步,还只有在建筑上应用。而国外近年发展却很迅速,用量成倍增长,使用范围也愈来愈广,能以不同涂层生产山热反射玻璃、选择性反射玻璃、滤光玻璃、导电玻璃、半导体玻璃、电子玻璃、选择性吸收玻璃、光致色玻璃、电致变色玻璃等,使玻璃具有光学、光电、电光、导电、半导体等各种性能和多种鲜艳色彩及透明与不透明的特性,从而除广泛用于建筑、交通工     

油膜光阀透明电极的研究

本文提出了一种以“双重滤网”手段消除用熏蒸法制备SnO_2透明导电膜时产生缺膜疵斑的方法。并研究了用这种薄膜作油膜光阀透明电极使用时的基本性能.     

SnO_2-ZnO二元系半导体陶瓷薄膜特性研究

本文报导 SnO_2-ZnO 二元系半导体陶瓷薄膜的光学及电学特性。     

铝电解用SnO_2基惰性阳极导电性的研究

采用二探针法测定铝电解用SnO_2基惰性阳极的电阻率。结果表明,掺加Sb_2O_3,CuO和ZnO,可以通过控价和促进烧结作用而改善阳极导电性;阳极电阻率随温度升高而降低,呈高温半导体特性。     

一种用于BIPV的半透明非晶硅薄膜太阳能电池的研究

利用一种半透明非晶硅薄膜太阳能电池采用高导电性能的透明银(Ag)薄膜和TCO薄膜组成透明的背电极代替了普通的不透明铝背电极,通过ZnO/TiO_2薄膜组成复合增透膜提升入射光能,弥补透明背电极的背反射减弱问题。实验采用磁控溅射法制备厚度为10~15 nm的银薄膜与200~300 nm厚度AZO薄膜为透明背电极,采用厚度为65 nm的ZnO薄膜和50 nm的TiO_2薄膜为增透膜,制备的电池样品平均输出功率为39.76 W,透光率为20.17%,对比相同电池工艺的传统半透明非晶硅薄膜太阳能电池组件,有效地减少了光损失,提高了电导率。     

纳米SnO2/TiO2半导体薄膜电极的制备及其光电响应性能

采用化学沉积和电镀的方法在ITO导电玻璃表面制备SnO₂/TiO₂纳米半导体薄膜电极,用SEM,XRD进行了物性表征,并用光电流时间曲线、循环伏安法研究了薄膜电极光电流响应随时间、电压的变化情况。研究结果表明,SnO₂的掺杂有助于TiO₂薄膜表面产生的气孔孔径增大,数量变多。此法可制备具有多孔、粒径小于100nm的纳米SnO₂/TiO₂半导体薄膜电极。与纯纳米TiO₂薄膜电极相比,在光照条件下SnO₂的掺杂使得复合薄膜电极在阳极峰电位下的阳极峰电流的响应程度明显大于纯纳米TiO₂薄膜电极响应程度,有利于提高光生载流子的运输和分离效率,并从机理上阐述了光电流响应的提高归因于不同能级半导体之间的耦合效应。     

三维SnO2/C/rGO复合纤维膜电极制备及储锂性能

三维(3D)纳米纤维复合膜电极结构设计,避免了电极片制备过程中导电剂、黏结剂的添加,增强了电解液的浸润能力,对改善锂离子电池容量及倍率性能具有重要的价值和意义.采用同步静电纺丝和静电喷雾技术,结合氩气煅烧技术,制备了3D网络结构SnO_2/C/rGO复合纤维薄膜电极.这种由一维(1D)SnO_2/C纳米线组合二维(2D)石墨片构成3D纳米复合纤维薄膜电极,一方面通过碳纤维连续包覆SnO_2颗粒,有利于缓解SnO_2充放电过程中剧烈的体积变化,增强其稳定性;另一方面通过碳纤维与二维石墨烯复合构成3D网络结构,有利于改善纤维膜电极的导电性,进而提高其倍率性能.研究表明,制备的SnO_2/C/rGO复合纤维膜电极展示了其优良的放电容量、倍率性能及循环稳定性.于电流密度为0.4、0.8、1.6、2.4和4 A·g~(-1)时,10次循环后放电容量分别达到797、659、626、534和468 mAh·g~(-1),且当电流密度回落至0.4 A·g~(-1)时放电容量可恢复到709 mAh·g~(-1);4 A·g~(-1)充放电540次电极容量仍可达457 mAh·g~(-1),库伦效率接近100%.     

电子密度对PCVD制备SnO_2导电薄膜的影响

利用双探针测得了管式射频等离子体反应器内电子密度的轴向和角向分布,并制得了SnO_2透明导电薄膜.实验表明,薄膜的沉积速率、电学性能及结晶形态受等离子体电子密度的影响较大.在电子密度高的地方,薄膜沉积速率快,薄膜电阻低,其薄膜的晶粒也均匀细微密集.     

高偏压Al-MgF_2-Au(Cu)隧道结的结构、导电和发光

本文对我们所发明的Al-MgF_2-Au(Cu)薄膜发光器件[1]的内层结构、导电过程和发光机理做了进一步的研究,对以前报导的一些结论作了原则性的修正:前所报导的Al-MgF_2-Au结内层的实际结构是Al-Al_2O_3-MgF_2-Au,而不仅仅是Al-MgF_2-Au;且正是由于Al_2O_3膜的存在,方才使MgF_2膜得以具有绝缘作用。是来之负电极的隧穿电子,而不是MgF_2膜内的热电子,导致了该结的导电和发光。据此,本文对该结在高偏压下的logL∝V的新型伏安特性曲线及其发射光谱中位于3.4ev(3600)附近的截止频率给出了理论解释;从而得出:电子隧穿,激发SPP,然后SPP退激发光的这一物理过程,即使在Al、Au两电极间的绝缘层厚度由3μm左右增加到20μm左右时,也可依然存在。