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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 734 毫秒
1.
自行车尾灯大都是反射光型,夜晚骑车时,只有当身后有灯光照射到尾灯上,才能反射出红光,提醒人们注意安全。如果在黑夜里,路上又无灯光,尾灯就不起作用了。因此,有必要将自行车尾灯改为发光型。从收录机上闪烁的发光彩灯上受到启发,笔者设想用发红光的发光二极管作为自行车尾灯。目前市场上出售的闪烁发光型二极管,  相似文献   

2.
针对光伏组件用光伏接线盒在大型光伏电站现场使用过程中出现的失效现象进行分析研究。通过对光伏接线盒的外观检测、电流-电压(I-V)特性分析以及进一步的解剖测试分析,在二极管解剖出的芯片表面保护环位置发现多处烧熔点,确定是雷击造成的二极管击穿导致接线盒失效。  相似文献   

3.
针对实验中发现的受静电损伤LED与共振隧穿二极管(RTD)模型有相似表现的现象,提出一种LED失效分析方法。经过500~3000V的HBM模型损伤,一部分失效LED的1-V曲线表现出类似共振隧穿二极管(RTD),正向电流呈现隧道电流的特征,证实静电损伤路径穿越了LED内量子阱,改变了内部的结构。将这种曲线与RTD做对比...  相似文献   

4.
利用自行编制的半导体器件一维模拟程序mP ND1D ,通过对二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性偏微分方程组进行数值求解 ,计算了二极管在高功率微波激励下失效和烧毁时吸收的能量及所需时间与器件载流子寿命的关系  相似文献   

5.
一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs_(1-x)P_x材料中注入Zn~ 和N~ 提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs_(1-x)P_x发光二极管主要是在结区产生电致发光。因此要提高发光效率就必须研究  相似文献   

6.
利用自行编制的半导体器件一维模拟程序mPND1D,通过对二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性偏微分方程组进行数值求解,计算了二极管在高功率微波激励下失效和烧毁时吸收的能量及所需时间与器件载流子寿命的关系。  相似文献   

7.
为了研究有机薄膜电致发光器件发光区暗斑的形成,制备了Al/8-羟基喹啉铝/铟锡氧化物/玻璃衬底结构的发光器件,观察了器件失效前后的表面形貌,并对器件进行了微区Auger能谱分析。结果表明,铟锡氧化物电极表面In向有机层内的扩散是产生微区高电场,从而形成发光区暗斑的一个不可忽视的重要因素。  相似文献   

8.
本文着重分析微波二极管特性及微波偏置对电子自旋共振波谱仪灵敏度的影响。实验结果表明:微波偏置使国产DSG-K1型波谱仪的信噪比提高约4db;用WJ31型低势垒肖特基二极管取代2DV 14D型点接触二极管,则信噪比也提高3db左右,而且工作稳定可靠。  相似文献   

9.
PN型硅光电二级管模型及参数优化   总被引:2,自引:0,他引:2  
杨叶飞  梁平治 《科学技术与工程》2006,6(12):1686-16891705
建立了硅光二极管(PN型)的SPICE中的宏模型,主要分析了光电流产生模型及各主要参数影响。并定义了这些参数的提取和优化,完成了整个参数化的硅光电二极管电路模型,可以直接用于SPICE的电路模拟仿真中。  相似文献   

10.
发光效率是LED器件的核心指标,为了提升GaN-LED的发光效率,研究了具有不同V型缺陷密度的材料与器件的光致发光及电致发光特性,分析了影响发光效率的因素,研究发现V型缺陷一方面通过提升载流子(特别是空穴)注入效率而改善发光效率,另一方面又会通过减少有效发光面积而降低发光效率,这一竞争机制共同影响具有V型缺陷结构的GaN-LED的发光效率.结果表明,尺寸为0.25mm×0.75mm的芯片在150mA驱动条件下,随着V型缺陷密度的增加,发光功率和外量子效率先上升后下降.对于最优化缺陷密度(4.2×10~8 cm~(-2))的样品,其发光功率和外量子效率分别为183.5mW和45.0%,较最小缺陷密度(1.7×10~8 cm~(-2))样品的发光功率172.2mW和外量子效率42.2%,均约提升6.6%.  相似文献   

11.
研制了N型和P型二种衬底材料构成的PS湿敏二极管,在不同湿度下,分别测试其I-V特性.结果表明,在一定电压下,无论N型衬底,还是P型衬底,其PS二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大,其正向特性却基本保持恒定,即在一定电压下,其正向电流不随湿度发生明显变化.通过与PS的电容、电阻的湿敏特性进行比较,发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性.并根据这种二极管的结构和电流输运过程,对其湿敏机理及特性进行了分析  相似文献   

12.
为研究FRP型材-混凝土组合的梁失效模式与承载能力,提出了一种基于单层纤维失效准则的组合梁极限承载力计算方法.首先,分析了FRP材料特性、铺设方式、界面连接等对组合梁结构性能的影响,揭示了FRP型材-混凝土组合梁失效模式多样性的规律.然后,基于FRP型材失效和混凝土桥面板失效,将各类破坏模式归纳为2类.最后,采用细观力学方法,建立了各单层纤维所承受的应力计算公式.针对3片FRP型材-混凝土组合梁,进行了单调荷载作用下的破坏性试验.试验结果表明,承载能力计算结果与试验结果吻合较好.所提方法可较为准确地判定组合梁失效模式,简化了FRP型材-混凝土组合梁的计算复杂度,适用于由FRP纤维破坏引起的结构失效.  相似文献   

13.
用化学发光仪研究聚酯型光刻胶及其他对照化合物的发光行为.发现聚酯型光刻胶有较复杂的发光曲线,起始发光温度较低,其发光情况与双键的存在和受热时发生的自由基过程有关.讨论了发光曲线与差热分析曲线的关系,以及与热稳定性有关的合成条件、使用条件和保存期.  相似文献   

14.
被部分遮挡的串联光伏组件输出特性   总被引:4,自引:0,他引:4  
以太阳能电池的电流方程和电路的基本理论为基础,对带有旁路二极管的串联组件在被部分遮挡的情况下的输出过程进行了细致的物理分析,并将其划分为旁路二极管导通和阻断两个阶段,从理论上推导出可以运用分段函数准确描述被部分遮挡的串联光伏组件电流和功率输出特性.对两个串联的光伏组件在非均匀光照下的电流和功率情况进行了实验验证,结果证明了文中所提方法的正确性和可行性:①分段函数法可以对被部分遮挡的带有旁路二极管串联光伏组件的电流和功率输出特性进行准确描述;②传统的MPPT法的基础,即功率输出曲线的单峰性,已经失效,因而有必要对跟踪方法进行改进.  相似文献   

15.
通过对单电阻I/V转换和T型网络两种典型的基级电路的分析,提出了光电二极管阵列与这两种电路相结合的噪声模型,仿真分析了输入电阻热噪声和运算放大器输入噪声双重作用下的输出噪声水平.经比较,T型网络输出信号的信噪比要比单电阻的I/V转换电路高6dB.实验结果证明,T型网络的误差主要由并联电阻个数决定,所以减小每个与T型网络相连的光电二极管数量,可以大幅度提高系统的信噪比。  相似文献   

16.
论述了蓄光型自发光材料及制品的发展概况,对第一代和第二代蓄光型自发光材料的发展、典型代表材料及其特点、应用做了详细介绍,同时对蓄光型自发光材料的发展前景进行详细分析。  相似文献   

17.
GaN材料作为第三代半导体材料具有十分独特的性能,其发光波段可以覆盖从红外到深紫外波段。GaN材料击穿电场强、发光效率高,使其在显示、照明、通信等领域具有非常广泛的应用。综述了GaN基激光器的发展历程及其失效和退化机制的研究进展。目前最新的蓝光GaN基激光器在3 A电流连续工作时的电压和输出功率为4.03 V和5.25 W;最新的绿光激光器波长为532 nm,在电流1.6 A时,输出功率为1.19 W。进一步阐述了GaN基激光器退化的主要表现,即随着工作时间的延长,激光器发光效率降低、光转化效率降低以及电压升高。总结了四种主要的退化模式,分别为封装退化、静电损伤、腔面退化和芯片失效。  相似文献   

18.
由于Fabry-Perot微腔效应对有机电致发光二极管有光谱窄化、光强增强及调节发射峰波长等作用,这些特点分别可以提高彩色显示器的色纯度、发光效率等。因此得到研究人员的重视。本文阐述了Fabry-Perot光学微腔结构及微腔效应的理论依据及应用。  相似文献   

19.
为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N^+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的.研究了它的I-V特性,测得的峰谷电流比为3.4.研究了由平面型共振隧穿二极管构成的单双稳态逻辑单元,实现了作为反相器的功能.  相似文献   

20.
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I~V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I~V特性的影响 .  相似文献   

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