BaFCl:Eu~(2 )的正电子湮没谱研究

利用正电子湮没谱研究了不同离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋系列粉末样品．实验结果表明：当晶体中的离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）＜１时，可以有效地产生Ｆ离子空位缺陷，当离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比值在０．９２附近的空位缺陷浓度最大．     

X射线光储材料BaFCL的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术研究了BaFCL晶体的不同氟氯比的正电子湮没参数,发现第一、第二寿命值及强度与氟氯比呈有规律的变化,说明阴离子空位F(CL)心对正电子湮没的第二成份有贡献。     

W-K合金的正电子湮没寿命谱研究

正电子湮没技术（PAT）是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感. 本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术（PLAS）,对WK混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于WK合金的缺陷变化没有明显的影响,而WK合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.     

纳米α-Fe_2O_3的制备及其正电子湮没谱学研究

对氧化铁颗粒进行了X射线衍射谱(XRD)测量和正电子湮没寿命谱(PALS)测量,分别运用Jade和Lifetime软件拟合数据,研究了纳米氧化铁颗粒的结构、缺陷以及自由电子密度.XRD测量结果表明了氧化铁是简单六方晶系,空间群是R-3c(167),其相应的点阵常数分别是三个基矢的长度a=b=0.530 42 nm,c=1.374 60 nm.PALS测量结果表明了正电子在氧化铁材料中的寿命成分有三种,值分别约是τ_1=150.7 ps,τ_2=333.0 ps,τ_3=725.0 ps,主要寿命成分是短寿命τ_1和中等寿命τ_2两种,分别对应的缺陷种类是近似单空位大小的自由体积缺陷和微孔洞缺陷,且其对应的强度比I_1/I_2值为1.52,表明实验试样的界面缺陷以单空位为主,验证了正电子的寿命越短,湮没率越大,则自由电子密度越大.     

高温超导体中的一个正电子陷阱湮没模型

从简单的正电子物理图像出发，引入正电子在陷阱中湮没竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用这个模型分析了多陷阱的高温超导材料中的正电子湮没特征，此模型可用于探索非平衡缺陷问题的普遍情况．     

聚合物共混体系的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命谱仪对聚丙烯PP和三元乙丙橡胶EPDM的共混体系进行了测量.实验研究表明,正电子湮没寿命灵敏地反映了在95—370K温度范围内PP/EPDM共混物的微观结构变化.经分析得到PP/EPDM是两相共混体系的结论.     

离子注入生物样品的正电子湮没研究

以云豆作为生物样品，测量了正电子湮没的寿命谱。比较了低能氮离子注入和未经氮离子注入的云豆样品的正电子湮没寿命谱，发现τ３有差异，说明氮离子注入到生物样品的影响深度可达到２００μｍ左右。由τ３和Ｉ３可知在生物样品中的正电子湮没过程中，大约有１／５正电子将形成正电子素Ｐ３。     

α-Fe充氢热稳定性的正电子湮没研究

用正电子湮没技术测得了两组驱氢后试样的多谱勒加宽参数S随驱氢温度T变化的曲线。结果表明,两组试样的S～T曲线均存在三个S极小值,三个极小值温度分别对应氢从晶界、位错和微空洞处释放,并计算得到了氢从各类缺陷处的释放激活能E_(?)。     

聚合物自由体积特性的正电子湮没研究

聚合物材料在工业上的广泛应用要求人们对其性能有基本的了解，直接从实验上探测聚合物中自由体积的特性是人们感兴趣的课题。正电子湮没方法是探测自由体积特性的灵敏探针，本文介绍了这方面的一些工作。     

正电子湮没对热平衡点缺陷的特性分析

本文所述系通过正电子在空格点的俘获测定晶体空位形成能和熵,并与热分析方法相类比,说明其应用于点缺陷特性分析的积极影响。     

乙烯—辛烯共聚物微结构的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命谱（ＰＡＬＳ）研究了在１４０～３５０Ｋ温度范围的内弹性乙烯－辛烯共聚物（ＰＯＥ）在１４０－３５０Ｋ温度范围内的自由体积的结构转变特性,得到ＰＯＥ的玻璃化转变温度Ｔｇ和次级转变温度Ｔｇ分别为２２０,１７０Ｋ并分析了决定其正电子湮没参数和结构转变的化学结构因素。     

CuZnAl合金热循环效应的正电子湮没研究

ＣｕＺｎＡｌ形状记忆材料（或记忆合金元件）随着热循环反复相变周数增加，相变温度往低温漂移，相变速率与相变热滞减小而记忆性能无大的变化，正电子寿命谱测量表明这些现象主要与空位聚集形成空位团有密切关系。