高阶Kubo公式在巨磁阻中的应用(英文)

利用子动力学理论将计算电导率的Kubo公式被推广成为一个包含高阶项的公式,并利用此公式,计算巨磁阻,显示了高阶影响的重要性.     

高阶Kub0公式在巨磁阻中的应用

利用子动力学理论将计算电导率的Kubo公式被推广成为一个包含高阶项的公式,并利用此公式,计算巨磁阻,显示了高阶影响的重要性.     

巨磁阻效应及恒流电镀制备具有巨磁阻效应的CuNiCo/Cu多层膜

本文叙述金属与合金的各向导性的磁电阻效应，磁性金属／金属多层膜的巨磁阻效应。恒流电镀制备巨磁阻金属多层膜以及巨磁阻金属多层膜应用。在室温条件下，用含有Co2＋、Ni2＋、Cu2＋离子的化合物作电解质，恒流电镀。具有巨磁阻效应的Cu－Co－Ni／Cu多层膜生长在抛光的铜基质上，在室温条件下，磁场强度为0～1T，测得电磁阻变化率达到2．45％。     

颗粒膜中的巨磁电阻效应

纳米颗粒构成的颗粒膜具有巨磁电阻效应，其中的相元互不固溶，颗粒膜中的巨磁电阻效应与电子自旋相关散射有关，以界面散射的贡献为最大，并受到颗粒尺寸、体积百分数、退火及温度的影响。由于颗粒膜制备工艺简便，巨磁电阻效应在信息储存技术中有巨大应用前景，颗粒膜中的巨磁电阻效应引起了人们极大的兴趣。     

巨磁电阻传感器的研究

介绍了巨磁阻效应的发现,巨磁阻效应的原理以及它的应用,并重点对巨磁阻传感器的工作原理和应用进行了举例说明.     

掺杂磁垒纳米结构中的GMR效应及调控

通过在半导体异质结上的上下表面沉积两条平行的铁磁条带可获得一个巨磁阻器件.为了更好地调控其性能,我们从理论上研究了在该器件中加入δ势后,该器件的透射系数、电导和磁阻比率的变化情况.研究发现,加入δ势后,该器件同样具有明显的巨磁阻效应,且其磁阻比率与加入δ势的权重和位置密切相关.因此,我们可以通过改变加入δ势的权重和位置来调控该巨磁阻器件,设计出磁阻比率可调的磁信息存储器.     

FeCr2S4样品的电磁特性

本文研究了FeCr2S4多晶样品的电磁特性，实验结果表明样品没有价态的变化，体系中不存在双交换作用，导电来源于Fe3d巡游电子，确证Tc以上的输运行为属于磁极化子导电，通过提出磁极化子逐步退局域的图像，同时考虑磁振子散射，解释了整个温区的电阻率行为，外加磁场有利于磁极化子的退局域，因此在Tc附近出现巨磁阻效应。     

磁性金属—绝缘体颗粒薄膜

介绍了磁性金属－绝缘体颗粒薄膜的结构特征与电阻率的关系。评述了作为磁传感器件，高密度记录介质和读出磁头潜在应用相关的磁阻效应，巨霍尔效应，高矫元力特性。     

颗粒膜中的巨磁阻效应

本文讨论了颗粒膜中巨磁阻效应（ＧＭＲ）与铁磁颗粒的组成、浓度、颗粒大小和形状依赖关系。     

金刚石膜磁阻效应

在F－S薄膜理论的基础上,考虑了晶格散射和杂质散射,通过求解驰豫近似下的Boltzmann方程,计算了P型单晶半导体金刚石膜（矩形）在球形能带下的电导率及考虑金刚石的轻空穴带、重穴穴带和分裂带为并联电阻模型时的磁阻,给出了磁阻和金刚石膜厚度,磁场强度、迁移率的关系。研究表明：金刚石的轻空穴带、重空穴带和分裂带对磁阻的影响不相同。厚膜的磁阻和块材的磁阻相差不大,磁阻和温度、磁场强度,迁移率有密切关系。