新型电子元器件"十五"发展八大重点

据信息产业部提供的资料,我国“十五”期间将重点发展的电子元器件如下: 1.表面贴装元器件重点发展贱金属电极片式陶瓷电容器,片式电阻器,片式电感器,片式钽电容器和片式二、三极管。 2.厚膜混合集成电路(HIC)重点开发和生产为通信产品、汽车电子等投资类整机配套的产品以及     

伏安法和惠斯通电桥法测量低电阻的困难

电阻是所有的电子电路中使用最多的元件,它是一种耗能元件,在电路中用于控制电压、电流的大小,或与电容器、电感器组成具有特殊功能的电路。电阻通常分3大类:1Ω以下的电阻为低电阻;1Ω～0.1mΩ的电阻为中值电阻;0.1mΩ以上的电阻为大电阻。测量不同类型的电阻要选用不同的测量方法和测量仪表。     

科技“生词”解释

<正>MLCC MLCC是片式多层陶瓷电容器英文Multi-layer ceramic capacitors的缩写。目前在便携产品中广泛应用的片式多层陶瓷电容器(MLCC)材料根据温度特性,主要可分为两大     

电感器的现状和发展趋势

简要介绍了插装式电感器和片式电感器的现状和特点及向小型化、高频化、高精度化和集成化的方向发展。     

无铅压电陶瓷中频滤波器的研制

采用本组发明的BNKLT系无铅压电陶瓷,研制了中频陶瓷滤波器.该体系陶瓷具有较高的使用温度,在160℃以上仍然具有较强压电性.利用此体系材料,采用轮廓振动模式,制作了插损约为3dB,中心频率约为530kHz,带宽约为8.8kHz,左、右选择性均良好的无铅压电陶瓷单片式中频滤波器;采用全电极径向振动模式,制作了插入损耗小于6dB、阻带损耗大于30dB、频率特性曲线平滑、具有良好选择性的中频(IF=460kHz)多节带通滤波器.与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性还有差距,有待改进;而对单片式滤波器来说,除中心频率以外,大部分指标可满足村田公司同类含铅陶瓷中频滤波器(SFU系列)产品标准,具有良好的应用前景.     

电感的测量

电感器是兼有固有电感、分布电容、损耗电阻三个参量的元件,一般它是频率敏感、电压敏感的元件,有的电感器Q值极低。这些因素造成电感的测量上的种种困难。本文就针对了这些困难,提出了电感的测量中需要注意的一些问题及解决的方案以及实际的测量电路,以提供测量电感或设计、制作电感电桥时的参考。本文最后还述及了电感测量的最新发展,介绍了数字式电感测量电路的基本原理。     

固相法制备细晶高性能PTCR

针对正温度系数热敏电阻(PTCR)片式化技术对陶瓷晶粒尺寸提出的较高要求,利用固相法制备PTCR,结合提高施受主掺杂比(n(Y∶Mn)21效果明显),高温预烧(1 220℃),低温烧结(1 300℃)等方法抑制晶粒长大;制备出平均晶粒尺寸小于2μm,室温电阻率为205Ω.cm,升阻比为4.082×104的BaTiO3基多层片式细晶PTC陶瓷,使多层片式PTCR产业化成为现实.     

微电子元器件系列

广东风华高新科技股份有限公司是由广东肇庆风华电子厂经股份制改组的高新科技股份制企业,以高新科技微电子基础元件为龙头产品。主要产品有全系列片式、径向引线和轴向引线独石电容器、超小型铝电解电容、压敏电阻、网络电阻、片状电阻、厚膜电路、电子材料、成套电子专用设备、仪器。产品75%以上出口销往香港、东南亚、欧美等地,广泛应用于军工、航天、计算机、通讯设备及各种消费类电子产品领域。该公司已获得 ISO9002国际认证,建立有高水平的省级电子元件工程技术研究开发中心。多年来,承担国家“863”重大科研项目,多项产品获得国家级     

用示波器测电源和电阻元件的伏安特性

1　引言平时我们测伏安特性都是用电流表和电压表。用电压表测元件两端的电压 ,用电流表测通过元件的电流 ,而后再利用坐标纸在Ｕ -Ｉ平面上描点 ,然后将所描点用平滑曲线连结起来 ,得到所测伏安特性。现在我利用双踪示波器 ,直观地将伏安特性显示出来。下面就线性电阻、非线性电阻、理想直流稳压电源和实际直流稳压电源的伏安特性用示波器进行观测2　原理与说明一个二端元件的特性 ,用元件两端的电压ｕ和通元件的电流ｉ之间的关系ｆ(ｕ ,ｉ) =0表示 ,这种关系通常称为元件的伏安特性。2 .1　线性电阻元件的伏安特性服从殴姆定律 ,画在ｕ -…     

浅析解决多层片式陶瓷电容器墓碑现象的措施

该论文介绍多片式陶瓷电容器(MLCC)在电子信息行业的重要意义和墓碑现象的定义,重点论述多片式陶瓷电容器(MLCC)焊接过程中产生墓碑现象的主要因素有两大方面:一是在MLCC的生产、运输、储存、使用过程中表面受污染或被氧化;二是PCB板上的焊盘受污染、或设计不合理、或定位不准确。针对这些影响因素,经过一番论证和研究,采取了一些有效的应对措施和方法,并应用在实际生产中,可有效地避免产生墓碑现象,使产品的表面质量得到很好的保证。     

限流用陶瓷及有机PTCR元件的可靠性研究

对用于程控交换机的陶瓷和有机ＰＴＣＲ限流元件进行了温度循环，电流冲击及耐雷击波冲击等几项可靠性试验，对两种限流元件失效的理化模型进行了初步的分析，在失效判据电阻变化相同及试验频率相同的情况下，陶瓷元件寿命优于有机ＰＴＣＲ元件。     

PTC片式元件注凝成型工艺的研究

研究了注凝成型工艺在制备BaTiO3基PTC片式元件方面的应用,成功制备了高固相含量低粘度的BaTiO3基陶瓷浆料,讨论了注凝成型过程中的影响因素,考察了注凝成型生坯和陶瓷元件的微观结构及陶瓷元件的PTC性能,制备出了室温电阻在3～5Ω、温度系数为18％～19％、升阻比大于5的PTC片式元件．注凝成型所得PTC片式元件的电性能稍优于轧膜成型所得样品的电性能．     

新闻·视点

“高性能片式压电陶瓷变压器的研究与开发”课题通过验收近日,由西安康鸿信息技术股份有限公司和清华大学共同承担的国家863计划特种功能材料主题“高性能片式压电陶瓷变压器的研究与开发”课题在北京通过验收。该项目研制出了能够低温烧结且具有优异工作特性的多层压电陶瓷变压器,连续极化的方法与装置；建立多层     

电阻阵列红外假目标变换弛豫时间研究

为了获得电阻阵列红外假目标变换的弛豫时间,为提高图样变换速度提出解决思路,通过对不同电阻(丝)的升、降温特性测试和分析指出:常见的电阻中金属膜电阻的升、降温时间最短,时间在30s左右;2种康铜电阻丝的升、降温时间变化长于金属膜电阻,其中升温增长约22.4%,降温增长约43.9%。被釉电阻与陶瓷绕线电阻升、降温时间较长,均超过了100s;同一电阻,在不同加热电压下的升、降温时间基本一致;同一电阻其降温时间长于升温时间。实验结果表明:可通过选用质量小、比热容小的电阻及介质材料来降低电阻的升、降温时间,提高电阻元件阵列红外假目标显示屏图样变换速度。     

论线性电路特征方程的系数特征

<正> 1 几个基本概念1、定义1:线性电路N的某一储能元件K(L或C),当电路中其它储能元件的参数值(L及C)等于无穷大(∞)时,元件K两端的代文宁等值电阻(电压源短路,电流源开路),称为储能元件K的无穷限电阻,记为R_(k∞)。     

计算机辅助硅膜片的应变与应力分析

膜片式半导体压力传感器是一种以形变引起硅材料电阻率发生变化为原理而制成的器件,因此正确认识硅弹性形变膜片上的应力和应变分布情况是合理布局应变电阻条的前提。根据硅的晶体结构并利用各向异性腐蚀剂,可以较方便地获得周边固定的矩形和方形形变膜片。本文用计算机模拟出应变和应力在这些膜面上的变化规律。     

人工关节内锆钛酸铅压电陶瓷供能与电路设计

为了利用压电陶瓷作为人工关节无线监视系统的能量来源,从理论上分析了坚硬锆钛酸铅(PZT)陶瓷元件的能量产生特性和等效电路.利用非线性拟合算法计算出等效电路的参数拟合值,并分析了PZT压电陶瓷元件的输入输出特性、输出信号频谱特性以及在植入设备内的位置摆放.仿真结果表明: 等效电路参数拟合值是正确的,当4个PZT压电陶瓷元件呈直线摆放时能输出最大能量(约为1.2 mW).通过对PZT陶瓷元件供电的电源电路设计和仿真发现, PZT陶瓷元件的能量能够转换为电路稳定的可用电源.     

R.L.C的能量特性

电阻器R,电感器L,电容器C是构成电路的基本的端元件。本文力图从能量特性的角度分析这些元件的无源、有损、无损及能量转换的特点。以加强对这些元件物理性质的认识。     

向电子材料与元件前沿迈进——记华中科技大学电子科学与技术系副主任吕文中教授

陶瓷、电阻、天线、元件……正是这些看似微不足道的材料和元器件奠定了电子产业的基础，为电子产品提供了高性能化的动力。近十年来，吕文中教授课题组在电子陶瓷材料领域进行了深入研究，在GPS用宽频带、耐高温、复杂形状微波介质陶瓷天线方面做出了许多创新工作，采用新型铁电移相器降低了相控阵雷达的成本，发明了电滞回线测试仪，     

多层片式PTCR注浆成型工艺的研究

研究了BaTiO3基的片式PTCR陶瓷的注浆成型工艺，包括浆料的制备、粘合剂PVA用量及与粘度等之间的关系，采用PMAA-NH4为分散剂，加入适量PVA(质量分数wp为1％～2％，占粉料)可获得固相质量分数w为75％～80％的浆料，后烧成的瓷片与轧膜成型、(Gelcasting(凝胶注膜)成型方法获得的瓷片进行了主要性能比较，同时采用注浆成型工艺成功制备出了多层PTCR热敏电阻器。