肖特基势垒和欧姆接触

用能带结构的观点分析了金属和半导体相接触的机理，并简要介绍了肖特基二极管的构造及应用。     

关于逸出功实验问题的探讨

从实验和理论上指出了目前所采用的测量逸出功的线路是有缺点的,指出在二极管的饱和区域内灯丝压降对测量逸出功的结果没有影响,并指出和灯丝并联的两个等值电阻是多余的.     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。     

关于逸出功实验问题的探讨

从实验和理论上指出了目前所采用的测量逸出功的线路是有缺点的,指出在二级管的饱和区域内灯丝压降对测量逸出功的结果没有影响,并指出和灯丝并联的两个等值电阻是多余的。     

金属电子的逸出功和权流引起的阴极温降现象

用红外测温仪对理想二极管灯丝温度作精密测量，观察到由板流引起的灯丝温度下降。在教学实验中通常忽略了上述现象，因此有大约-1.86%的系统相对误差。     

一类偶对称势垒透射系数的数值解法

把薛定谔方程的散射态和驻波态联系起来，发展了一种用来求解一些偶对称垫垒透射系数的数值方法。对于一些势垒，透射系数的精确解析表达式是无法得到，而利用该方法既可以精确地求出透射系数，又可以求出偶宇称和奇宇称波函数的位相。对于势垒，利用透射系数可以准确地给出束缚态能级。     

多势垒结构中的共振能量和量子能级的差异分析

利用Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ多项式和传输矩阵方法解析推导出多量子阱（ＭＱＷ）系统的束缚电子级公式，并定量分析了多势垒结构中的共振能量和相应ＭＱＷ系统量子能级的差异。     

处理金属逸出功实验数据的三种方法

金属逸出功实验数据处理比较麻烦,本文对常用的作图法、最小二乘法、origin软件作图法分别做一介绍。     

一类偶对称势垒透射系数的数值解法

把薛定谔方程的散射态和驻波态联系起来，发展了一种用来求解一些偶对称势垒透射系数的数值方法．对于一些势垒，透射系数的精确解析表达式是无法得到，而利用该方法既可以精确地求出透射系数，又可以求出偶宇称和奇宇称波函数的位相．对于双势垒，利用透射系数可以准确地给出束缚态能级．作为例子，我们利用该方法求解了一种单势垒和一种双势垒的透射系数和对应的偶宇和奇宇称波函数的位相．这些结果清楚了显示了微观粒子在受到势垒散射时的运动性质．     

关于电偶极跃迁的普用选择定则的讨论

推导出电偶极跃迁的普用选择定则，以单电子（或单价）原子和多电子原子能级间跃迁为例，阐明了这些规律的实质。     

表面合金化对NiPt金属栅电极功函数的影响

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Ni1-xPtx(111)和Ni1-xPtx(001)表面合金的功函数.计算结果表明,Pt原子掺杂在表面层时对功函数影响较大,而且表面层Pt原子掺杂后的合金结构最为稳定;对于Ni1-xPtx(001),当表面层Pt原子的覆盖度从0增加到100%时,功函数近线性增加了0.6eV;而对于Ni1-xPtx(111),当表面层Pt原子的覆盖度从0增加到25%时,功函数增加了0.22eV,覆盖度从25%增加到100%时,功函数却几乎不再变化.上述结果表明,表面层合金化对功函数有重要影响,而金属功函数又强烈依赖于表面取向.     

金属电子逸出功测定实验数据处理系统

大学物理实验教学中存在着繁杂的数据处理问题,结合Excel软件的特点和优势,文章介绍了利用Excel 2003建立金属电子逸出功测定实验数据处理系统。实践表明,用Excel软件处理大学物理实验数据具有快捷、直观、简易的优点,掌握它能有效提高学生物理实验数据处理能力。     

关于罚函数法与障碍函数法的改进

本文给出了一种改进的罚函数算法与障碍函数算法,并证明了改进后算法仍收敛。同时在很一般的条件下证明了两种方法仍保持原有的主要收敛性质。     

一种简单的功函数跟踪测量系统及其应用

介绍了一种简单而又具有较高性能的功函数自动跟踪测量方法。利用低能电子枪作为阴极,样品作为阳极,组成真空二极管系统,用电子电路进行反馈控制,使样品电流恒定在拒斥场区,用X、Y记录仪跟踪监测阳极电压变化,从而获得样品功函数的变化。应用此系统于超导样品YBa_2Cu_3O_(7-x)的表面特性研究,获得了样品在Ar~+离子枪清洗后表面氧吸附的特性。     

氯原子吸附对氧化铟锡001表面功函数的调制

采用第一性原理计算研究了氯原子吸附对氧化铟锡半导体表面功函数的调制作用,结果表明经过氯原子吸附后的氧化铟锡表面功函数随着氯原子覆盖度的增大而线性地增大。氯原子吸附导致氧化铟锡表面形成电偶极层,这一电偶极层提升了其表面真空势能从而导致功函数的提高。     

表面性质对介质阻挡放电的影响

为了分析介质阻挡放电(DBD)中表面性质改变对气体放电的影响,实验研究了大气压介质阻挡放电介质表面覆盖或不覆盖金属膜时的放电特性,观测了放电丝时空演化行为. 结果表明,未覆盖金属膜的DBD是典型的丝状放电,而覆盖金属膜后DBD放电丝数目锐减而且随时间缓慢游动. 金属膜使介质表面等电位化,电荷表面自由移动使得放电空间只存在少数的放电丝;空间电场梯度减小以及局域热作用导致的自禁止效应使得放电丝在空间中连续随机运动.     

第一性原理研究碳在Ni(111)表面上的功函数及磁性

应用基于密度泛函理论广义近似梯度下的第一性原理方法计算了不同覆盖度下C吸附在Ni(111)表面的吸附能、功函数以及材料的磁性.计算结果表明,无论C原子是吸附在F位或是H位,对应相同的覆盖度,吸附能的大小基本保持一致.而且,随着C吸附覆盖度的增加,吸附能呈线性减小.同时,通过C的吸附可以诱导Ni(111)表面功函数和磁性发生变化,即材料表面功函数的变化量(ΔΦ)随着C覆盖度(θ)的增加而增大,并且材料表面层和次表面层的磁矩表现出明显减小的变化规律.     

求解球壳内微观粒子的能级与波函数

通过求解球壳内微观粒子的薛定谔方程,解出其能级和波函数分别为：     

介质阻挡放电斑图结构的空间相关函数分析

计算了规则分布结构、类规则分布结构以及随机分布结构的空间相关函数.用空间相关函数方法,分析了介质阻挡放电的斑图结构,结果表明介质阻挡放电的斑图结构为类六边形结构.提供了定量分析介质阻挡放电斑图结构的方法.