a－C：H膜与宁强陨石有序度的比较研究

利用Ｒａｍａｎ谱与退火关系研究ａ－Ｃ：Ｈ与宁强陨石的有序度．非晶碳是宁强陨石的主要组成结构；陨石与非晶碳样品的有序度随退火温度的变化规律类似，只是出现的温度范围不同，并且陨石与Ｔｓ＝１００℃的ａ－Ｃ：Ｈ在经过４５０℃退火后Ｒａｍａｎ谱形状类似．     

a—Ge：H薄膜电学性质的研究

用光吸收谱和电导率测量较全面地研究了射频反应溅射淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜的电学性质；研究了射频功率和退火温度对ａ－Ｇｅ：Ｈ膜电学性质的影响。所得结果为ａ－ＧｅＨ的应用提供了一定的依据。     

PECVD α—SiNx：H的^1H NMR研究

用质子核磁共振（＾１Ｈ ＮＭＲ）方法对等离子体化学气相沉积非晶氢化氮化硅薄膜进行测量，分析膜中Ｈ的含量和分布与沉积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。     

自组装单分子膜的有序度

自组装（Ｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｙ）是８０年代新兴的一种非常简单的成膜技术,该技术提供了在分子水平上方便地构造理想界面的手段,所得到的自组装单分子膜（Ｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｅｄｍｏｎｏｌａｙｅｒｓ,ＳＡＭｓ）具有优于传统的ＬＢ膜的有序性与稳定性,在...     

GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用

将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。     

稳定性与长程有序度的关系

利用建立在对势基础上的原子模型分析了结构生与长程有序的关系，给出了二元体系结合能与有序度解析关系的一般表达工，得出有序结构必须满足ｎ≥ｎ１〉ｎＣＡ的条件，结果表明，同一合金体系中，Ｂ２结构本质上比ＬＩ２结构更难实现从有序向无序的转变．     

a─Ge：H薄膜电学性质的研究

用光吸收谱和电导率测量较全面地研究了射频反应溅射淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜的电学性质：研究了射频功率和退火温度对ａ－Ｇｅ：Ｈ膜电学性质的影响．所得结果为ａ－Ｇｅ：Ｈ的应用提供了一定的依据。     

准分子激光诱导下a—Si：H膜的电导率异常

用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理,测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化。研究表明,能量密度在７５ｍＪ／ｃｍ＾２附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高,这种电导率异常是膜表层形成了ｎｍＳｉ晶粒分散于ａ－Ｓｉ：Ｈ基底中的混合相的反映。     

脉冲式XeCl激光辐照a—Si：H膜诱导晶化的研究

当脉冲辐射ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的ＸｅＣｌ激光能量密度在２４０ｍＪ／ｃｍ＾２以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼（Ｒａｍａｎ）散射谱、扫描电子显微照象（ＳＥＭ）和紫外（ＵＶ）分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果；还研究了使用ＣＯ２激光退火对被辐照膜的影响。结果表明，晶化膜的晶粒大小在０．１～１．０μｍ时，Ｒａｍａｎ位移为５１０ｃｍ＾－１～５１７ｃｍ＾－     

a—Si：H/a—SiN_x：H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究 a-Si:H/a-SiN_x:H 超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大.     

白云石晶体的有序度与去白云石化反应

评价了不同结构组分类别岩石中白云石晶体的有序度,并通过研究在悬浮分散体系中具有不同有序度的白云石晶体去白云石化反应的动力学行为,建立了白云石有序度与白云石去白云石化反应活性之间的关系。结果表明,泥晶白云岩中白云石晶体的有序度最低;白云质泥晶灰岩、泥质条带白云质泥晶灰岩、白云质粉屑砂屑泥晶灰岩及白云质亮晶鲕粒灰岩中的白云石晶体的有序度次之;豹斑白云质泥晶灰岩、粉晶以上晶粒白云岩中的白云石为近完全有序或完全有序。有序度低的白云石晶体去白云石化反应的扩散活化能、界面化学反应活化能和晶体成核与生长活化能也低,低有序度的白云石具有高的反应性。随着体系温度的升高,白云石晶体有序度对去白云石化反应的影响趋于减小,不同有序度白云石的去白云石化程度趋于相同。     

基于熵理论的组织结构有序度模型研究

基于熵理论为基础,通过对组织结构对组织内部信息流的影响,从信息流的时效性和准确性两个方面构建组织结构的有序度评价模型;通过组织结构的时效、组织结构的质量,对组织结构进行有序度的测量。     

高校职能部门大部制改革的方案设置与有序度分析

在对大部制内涵进行简要介绍的基础上,分析了目前我国高校职能部门设置的典型方式,提出了高校职能部门大部制改革的一般设置方案,并进行了简单的对比分析。基于结构熵模型,对大部制改革前后职能部门的结构有序度进行了测算。结果表明,大部制改革有利于提高学校职能部门的有序度。这为人们认清大部制改革的预期效果提供了较为可靠的依据。     

金刚石膜和氢化非晶碳膜电阻率测量的对比研究

对金刚石膜和氢化非晶碳膜的电阻率测试方法进行了对比研究，即对金刚石膜采用“大”尺度电极，氢化非晶碳膜采用“大”尺度电极和小尺度电极测量I－V曲线进行对比分析和讨论，得出了有意义的结果。     

Al2O3／SiNx双层绝缘栅a—Si：H TFT的研究

研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ层双绝缘栅的制作方法，双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高栅电容，使得阈值电压降低，开态电流上升，获得了１０＾７的开关电流比。