纯STC球罐防腐绝热施工

该文主要是对江西赛维LDK高纯多晶硅材料生产项目,中国化学工程第三建设有限公司施工的纯STC球罐(8350-V-040A,B,C)防腐绝热施工的实践总结。STC为四氯化硅缩写,四氯化硅是生产多晶硅原材料,此3台球罐为储存四氯化硅容器。该文具体介绍了球罐在安装试压完成后,进行防腐、绝热工程的施工工艺程序、施工工艺方法、施工技术措施以及施工用材料。     

多晶硅薄膜制备技术的研究进展

多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.     

兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考

文章简要评述了世界以及中国的电子级多晶硅的生产能力和市场需求。在2000年和2010年中国对多晶硅的需求分别是736t/a和1304t/a。但近几年中国的多晶硅生产仅达到80t/a，所以在中国建设一座年产1000t电子级多晶硅的工厂是很合理的。然而由最新统计数据可知，自1997年以来，世界多晶硅生产能力连年均超过市场需求，而且在最近的将来，这一趋势将会继续。为了占领国内多晶硅市场，未来的多晶硅工厂将面临挑战，产品质量和生产成本是应当考虑的最重要指标。为了占领国内市场，在保证多晶硅产品纯度的前提下，生产成本只能略微超过20美元/kg。     

激光晶化多晶硅的制备与XRD谱

对氢化非晶硅（a-Si∶H）进行了脱氢和不同能量密 度的准分子激光晶化多晶硅的实验, 对所得样品用X射线衍射表征. 针对多晶硅（111）面特征峰的强度、 晶面间距和宽化信息, 分析了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响, 根据谢乐公式（Scherrer）估算了晶粒的大小, 得到用准分子激光晶化多晶硅的较佳工艺参数, 并且验证了激光辐射对薄膜材料作用的3种情况.     

多晶硅电池硝氮废水的处理工艺

针对环太湖地区多晶硅电池生产企业废水总氮排放超标的情况,采用厌氧反硝化工艺对多晶硅太阳电池硝氮废水的进行处理.通过接种A/O系统的缺氧段污泥,在模拟废水pH为7.0~7.5、温度为(23±2)℃、C∶N=4~6的条件下,运行80 d启动厌氧反硝化反应器.结果表明,处理出水符合"太湖地区城镇污水处理厂及重点工业行业主要水污染物排放限值"(DB 32/1072—2007)的排放标准.在稳定运行阶段,通过对主要限制因素的条件优化,实现了快速反硝化深度脱氮.     

光伏产业面临多晶硅瓶颈及对策

叙述了世界以及中国光伏电池材料发展的形势。目前,世界光伏电池产业仍然以硅光电池为主,然而,自2004年以来,全球出现多晶硅短缺,中国的多晶硅也严重不足。这已成为光伏电池发展的瓶颈。因此,必须尽快完成下列紧迫任务:①国内已在建的多晶硅厂应早日建成、投产;②应改进多晶硅生产技术,降低硅生产的能耗、冶金硅消耗、氢耗和氯耗,每kg硅生产成本和环保指标都应该处于世界先进水平。从长远来看,流床技术将被一些工厂用来生产太阳能级多晶硅。薄膜太阳能电池(含非晶硅、微晶硅基及各种化合物半导体薄膜)具有相当大的潜力,但其产品性能还须改进,应努力使之形成规模生产。     

多晶硅生产副产物SiCl4合成高纯石英玻璃的方法

针对国内多晶硅生产副产物四氯化硅的消化处理,通过对多晶硅生产尾气冷凝液主要成分三氯氢硅和四氯化硅等组分和杂质的含量分析,提出了利用多晶硅生产副产物四氯化硅合成高纯石英玻璃的方法及其工艺条件.通过分析四氯化硅合成高纯石英玻璃的影响因素,针对性地提出了生产控制方法.对高纯石英玻璃材料的理化性能及应用进行了探讨,为多晶硅行业资源综合利用及增效减排,提供了切实可行的途径.     

武汉将建中国最大多晶硅生产基地

在当今能源日趋紧张、环境压力日益增大的形势下。面对全球太阳能光伏产业蓬勃兴起．多晶硅的需求量与日俱增，武汉投资15亿元在当地循环经济工业园建设年产1500t的多晶硅生产基地。该项目建设一期为2年。建成达1500t产能后，预计年创产值30亿元，可成为湖北多晶硅产业“龙头”。     

多晶硅薄膜生长因素的分析

近些年来,多晶硅薄膜已广泛地应用在半导体器件上,例如大规模集成电路、太阳能电池等。尽管应用的如此广泛,但由干对多晶硅物理特性的了解尚不是十分充分,因而给器件生产带来一定的盲目性。因此,生长优质多晶硅薄膜并弄清楚生长过程中各个因素之间的关系,对研究多晶硅的物理特性是很有必要的。为此,对多晶硅的生长速率与淀积时间的关系、掺杂剂对多晶硅薄膜生长的影响、淀积温度对多晶硅薄膜生长的影响进行了研究和讨论。 采用常规的硅烷热分解化学气相淀积方法(APCVD)生长多晶硅薄膜,用 WDL-31光电温度计测量多晶硅薄膜淀积温度,用6JA…     

氢化MoS2/石墨烯异质结的第一性原理计算

基于密度泛函理论,研究了二硫化钼/石墨烯(MoS2/Gr)异质结及在异质结表面进行氢化后的结构稳定性、电子性能及光学性质;建立MoS2/Gr异质结结构模型,计算了氢化后的异质结的能带结构、态密度及光吸收系数.研究发现:MoS2/Gr异质结能带的带隙只有0.055 eV,无法用于电子器件;在异质结上表面或在异质结上下表面...     

含氢化诺卜基叔胺氢卤酸盐的合成与抑菌活性研究

以5种含氢化诺卜基的叔胺分别与氯化氢、溴化氢、碘化氢反应,合成了14个氢化诺卜基叔胺的氢卤酸盐:二甲基氢化诺卜基胺盐酸盐(2a)、二甲基氢化诺卜基胺氢溴酸盐(2b)、二甲基氢化诺卜基胺氢碘酸盐(2c)、二乙基氢化诺卜基胺盐酸盐(2d)、二乙基氢化诺卜基胺氢溴酸盐(2e)、二正丙基氢化诺卜基胺盐酸盐(2f)、二正丙基氢化诺卜基胺氢溴酸盐(2g)、二正丙基氢化诺卜基胺氢碘酸盐(2h)、N-氢化诺卜基哌啶盐酸盐(2i)、N-氢化诺卜基哌啶氢溴酸盐(2j)、N-氢化诺卜基哌啶氢碘酸盐(2k)、N-氢化诺卜基吗啉盐酸盐(2l)、N-氢化诺卜基吗啉氢溴酸盐(2m)、N-氢化诺卜基吗啉氢碘酸盐(2n).对所合成的化合物进行了¹H NMR、¹³C NMR和LC-MS分析,表征了它们的结构.采用菌丝生长速率法测试了化合物2a、2b、2f、2h对5种植物病原菌生长的抑制率,结果表明它们均有较好的抑菌活性.当药液质量浓度为500 mg·L^-1时,2a、2b、2f、2h对烟草黑胫病菌的抑制率均在83%以上,其中2a的抑制率为100%; 对西瓜枯萎病菌和苦瓜尖孢镰刀病菌的抑制率均在65%以上,部分高达85%; 对轮枝镰刀病菌的抑制率均在75%以上.     

含2个氢化诺卜基的季铵盐化合物对油茶炭疽病真菌的抑制活性

采用菌丝生长速率法测定了20个含氢化诺卜基的对称型双子季铵盐化合物和6个双氢化诺卜基单季铵盐化合物对油茶炭疽病真菌(Colletotrichum gloeosporioides)的抑菌率,采用SPSS软件计算了在5个不同药液质量浓度时,26个化合物与百菌清的c_IC50值与c_IC90值.研究结果表明:这些含2个氢化诺卜基的季铵盐化合物对油茶炭疽病菌均有一定的抑菌活性; 在药液质量浓度为100.0 mg·L^-1时,有20个化合物的抑菌率达60.00%以上,超过百菌清在质量浓度为200.0 mg·L^-1时的抑菌率(59.83%),其中十亚甲基-1,10双(氢化诺卜基二甲基溴化铵)、双氢化诺卜基二甲基溴化铵、N,N-双氢化诺卜基溴化哌啶的抑菌率超过90.00%,六亚甲基-1,6-双(氢化诺卜基二甲基溴化铵)的抑菌率为87.56%,这4个化合物的c_IC50值均低于百菌清的c_IC50值,而c_IC90值均低于90 mg·L^-1.     

太阳能光伏产业中多晶硅生产与发展研究

本文基于笔者多年从事太阳能光伏产业中单晶硅及多晶硅生产管理的相关工作经验,以多晶硅生产为研究对象,分析了高纯多晶硅的制备方法,探讨了国内外的生产与发展状况,简述了回收再利用的方法,全文是笔者长期工作实践基础上的理论升华,相信对从事相关工作的同行有着重要的参考价值和借鉴意义。     

N-烷基氢化诺卜基胺及其丙酰化衍生物的合成与活性研究

由氢化诺卜醇与亚硫酰氯反应制得氢化诺卜基氯,再分别与甲胺、乙胺、正丙胺、异丙胺、正丁胺在水热合成反应釜中加热下反应,合成了5种N-烷基氢化诺卜基胺(3a～3e).用共沸脱酸法使它们分别与丙酸酐反应,合成了5种N-烷基-N-氢化诺卜基丙酰胺(4a～4e),产物得率85%以上,GC纯度98%以上,对10个化合物均进行了IR、¹H NMR、¹³C NMR与MS分析,表征了它们的结构.以西瓜枯萎病菌(Fusarium oxysporum)、莴苣菌核病菌(Sclerotinia sclerotiorum)、绵腐卧孔菌(Poria vaporaria)、彩绒革盖菌(Coriolus versicolor)、绿色木霉(Triochoderma viride)为供试菌株,开展抑菌活性测定,结果表明,所合成的丙酰胺类化合物均有一定的活性,其中N-甲基-N-氢化诺卜基丙酰胺(4a)对西瓜枯萎病菌的抑制效果较好; N-乙基-N-氢化诺卜基丙酰胺(4b)对莴苣菌核病菌和绵腐卧孔菌的抑制活性较好.     

铝分层诱导晶化非晶硅的研究

铝诱导晶化(AIC)法是一种低成本、低温制备高质量多晶硅薄膜的方法.采用磁控溅射和自然氧化法在石英衬底上生长铝/三氧化二铝/非晶硅结构的材料,然后进行低温(低于硅铝共熔温度577℃)退火处理.通过共焦显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)和X射线衍射(XRD)手段进行表征.结果表明,退火后薄膜分为两层,上层是铝、非晶硅和多晶硅的连续混合膜,随退火时间增加,上层晶化率快速增加;下层形成了完全晶化的大尺寸多晶硅晶粒,晶粒结晶质量接近单晶硅;增加退火时间,下层晶粒增长很缓慢;降低退火温度,下层晶粒尺寸明显增大;形成的多晶硅薄膜均具有高度(111)择优取向.并且,进一步地对上述退火过程中样品的变化行为作出分析.     

改良西门子法生产多晶硅污染物排放调查

通过调查企业改良西门子法生产多晶硅所使用的原料、生产工艺、各污染物产生环节、污染物处置措施、处置设施及各种污染物的有组织排放浓度和厂界无组织排放浓度进行监测,对改良西门子法生产多晶硅排放的污染物进行了全面的调查.阐述了改良西门子法生产多晶硅排放的污染物种类及各种污染物达标排放情况.     

全球光伏产业现状

论述了全球光伏市场的现状和产能扩张计划,分析了光伏技术的现状,介绍了全球五大光伏电池和组件生产企业,重点分析了多晶硅产业现状并介绍了全球五大多晶硅生产企业。     

多晶硅与单晶硅的扩散比较

相同工艺下多晶硅和单晶硅的扩散结果区别非常明显，在扩散温度较低时，多晶硅扩散后的方块电阻大于相同条件下的扩散单晶硅；在扩散温度较高时，多晶硅扩散后的方块电阻小于单晶硅，文章从多晶硅的结构特点对此现象进行了解释。     

多晶硅流化床反应器内气固两相流场与气泡尺寸分布的TFM-KTGF模拟

硅烷流化床法是生产太阳能级多晶硅的重要技术,流化床反应器床层内的气泡大小和分布特性是影响晶体硅纯度和致密度的关键因素。使用TFM-KTGF两相流模型,基于Ansys Fluent软件平台模拟计算了多晶硅流化床内气固两相流场。在200倍粒径的网格尺寸条件下,对直径0.5m的圆柱形流化床多晶硅反应器内等温流场进行了模拟,借助Matlab图像处理工具对气含率进行后处理,得到多晶硅流化床内气泡尺寸分布。比较了经典的Gidaspow曳力模型和文献报道的亚网格修正曳力模型(SGS)对气泡尺寸分布的影响。结果表明:由SGS模型得到的平均气泡尺寸沿床高变化规律与Mori-Wen经验公式较吻合,最大偏差是12.6%,小于Gidaspow模型的21.4%;使用不同的曳力模型对气泡分布特性有较大影响。这些结果为进一步开展多晶硅反应器的热态模拟研究提供了基础。     

浅谈36对棒多晶硅还原炉电源系统及常见故障分析

多晶硅还原炉电源系统是多晶硅生产环节中及其重要的的电气设备,对于保证生产的顺利和产品的工艺要求,起到了至关重要的作用,本文结合我公司的实际情况,重点介绍一下还原炉的电源设备情况和常见的故障分析。